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公开(公告)号:CN111742073A
公开(公告)日:2020-10-02
申请号:CN201980014119.5
申请日:2019-02-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种复合材料,其包含:包覆粒子,其各自包含由碳基物质制成的碳基粒子和覆盖所述碳基粒子的表面的至少一部分的碳化物层;以及将所述包覆粒子彼此结合的铜相,其中所述碳化物层由含有选自由Si、Ti、Zr和Hf构成的组中的至少一种元素的碳化物制成,并且所述碳基粒子的平均粒径为1μm以上且100μm以下。
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公开(公告)号:CN110036473A
公开(公告)日:2019-07-19
申请号:CN201780074099.1
申请日:2017-11-08
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 联合材料公司
IPC: H01L23/373 , C22C26/00 , C22C29/06 , H05K7/20
Abstract: 一种设置有基板的复合构件,所述基板由包含金属和非金属的复合材料构成。所述基板的一个表面具有球面状翘曲,该球面状翘曲的曲率半径R不小于5000毫米且不大于35000毫米。测量所述基板的翘曲部分的轮廓的多个测量点与由所述多个测量点限定的近似弧之间的平均距离被定义为球面误差。所述球面误差不大于10.0微米,所述基板的热导率不低于150W/m·K,并且线膨胀系数不大于10ppm/K。
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公开(公告)号:CN102834534A
公开(公告)日:2012-12-19
申请号:CN201180017828.2
申请日:2011-03-16
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 联合材料公司
CPC classification number: C22C1/1068 , B22F3/11 , C22C1/1015 , C22C23/00 , C22C23/02 , C22C29/065 , C22C29/067 , C22C47/06 , C22C49/04 , C22C49/14 , H01L23/3733 , H01L23/3736 , H01L23/4006 , H01L2924/0002 , Y10T428/12007 , Y10T428/12361 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种镁基复合构件(1A),其具有通孔(20A),通过所述通孔(20A)插入用于连接到固定目标上的紧固构件(100)。本发明提供一种基板(10),其具有基板孔(21),并由作为SiC和基体金属的复合体的复合材料制成,其中通过所述基板孔(21)插入所述紧固构件(100),且所述基体金属为镁和镁合金中的任一种。接收部(22)连接到所述基板(10)上且由与所述基体金属不同的金属材料制成。所述接收部(22)具有接收部孔(22h),通过所述接收部孔(22h)插入所述紧固构件(100),且所述通孔(20A)的内周面的至少一部分由所述接收部孔(22h)的内周面形成。
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公开(公告)号:CN115427599A
公开(公告)日:2022-12-02
申请号:CN202180024227.8
申请日:2021-03-05
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 联合材料公司
Abstract: 一种复合材料,其具备金属相和分散于所述金属相的多个颗粒。所述多个颗粒为碳系材料,所述金属相包含主元素、第一元素和第二元素,所述多个颗粒的每个颗粒的包覆层为所述第二元素的碳化物。所述主元素为铜,所述第一元素为具有比铜低的表面张力的金属元素,所述第二元素为选自由铍、硅、钛、铬、锆、铌、铪以及钽组成的群组中的至少一种。所述第一元素在所述主元素、所述第一元素和所述第二元素的合计中所占的含量为0.25原子%以上且10.0原子%以下,所述第二元素在所述主元素、所述第一元素和所述第二元素的合计中所占的含量为1.5原子%以上且14.0原子%以下。
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公开(公告)号:CN112912524A
公开(公告)日:2021-06-04
申请号:CN201980068473.6
申请日:2019-08-30
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 联合材料公司
Abstract: 提供了一种具有优异的耐热性的复合构件。所述复合构件设置有:由包含非金属相和金属相的复合材料形成的基板、以及覆盖所述基板的至少一部分表面的金属层,其中构成所述金属相和所述金属层各者的金属中主要含Ag,并且所述金属层的与所述基板的边界区中Cu含量对Ag和Cu总含量的比率为20原子%以下。
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公开(公告)号:CN102170986B
公开(公告)日:2015-03-11
申请号:CN200980139128.3
申请日:2009-10-02
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 联合材料公司
CPC classification number: C09K5/14 , B22D19/14 , B22F2998/00 , B32B15/01 , C22C1/1036 , C22C1/1068 , C22C29/02 , C22C29/065 , C22C32/00 , C22C32/0063 , H01L23/3733 , H01L23/3736 , H01L23/3738 , H01L2924/0002 , Y10T428/12049 , Y10T428/12576 , Y10T428/24355 , Y10T428/24479 , Y10T428/249969 , Y10T428/259 , B22F1/02 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供适合半导体元件的散热构件的复合构件及其制造方法。该复合构件由镁或镁合金与SiC复合而成,该复合构件中的孔隙率小于3%。该复合构件可以通过在原料SiC的表面形成氧化膜,将形成有氧化膜的被覆SiC配置于模具中,并使溶融金属(镁或镁合金)熔浸到该被覆SiC集合体中来制造。通过形成氧化膜,能够提高SiC与溶融金属的润湿性,降低复合构件中的孔隙率。通过该制造方法,能够制造热膨胀系数为4ppm/K以上且10ppm/K以下、热导率为180W/m·K以上的热特性优良的复合构件。
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公开(公告)号:CN103443315A
公开(公告)日:2013-12-11
申请号:CN201280014238.9
申请日:2012-02-20
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 联合材料公司
IPC: C22C29/06 , H01L23/373 , B22F7/04 , C22C1/10
CPC classification number: C22C29/065 , B22F2999/00 , C04B41/009 , C04B41/515 , C04B41/88 , C04B2111/00844 , C22C2001/1073 , C22C2204/00 , C25D7/12 , H01L23/15 , H01L23/34 , H01L23/3731 , H01L23/3735 , H01L23/3736 , H01L2924/0002 , Y10T428/24612 , Y10T428/2495 , Y10T428/263 , B22F3/02 , B22F3/10 , B22F3/26 , C25D7/00 , C23C18/00 , H01L2924/00 , C04B35/565 , C04B38/00 , C04B41/4523
Abstract: 本发明公开了一种复合构件(1a),包含由具有与镁或镁合金结合的SiC的复合材料制成的衬底(2),并具有不小于0.01×10-3且不大于10×10-3的翘曲度,所述翘曲度是指lmax/Dmax,其中lmax是沿所述复合构件的最长边测得的所述复合构件的一个表面的表面位移的最大值与最小值之差,且Dmax是所述最长边的长度。由此,本发明提供能够有效地将热散逸到安装对象的复合构件、使用所述复合构件的散热构件以及具有所述散热构件的半导体装置。
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公开(公告)号:CN102170986A
公开(公告)日:2011-08-31
申请号:CN200980139128.3
申请日:2009-10-02
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 联合材料公司
CPC classification number: C09K5/14 , B22D19/14 , B22F2998/00 , B32B15/01 , C22C1/1036 , C22C1/1068 , C22C29/02 , C22C29/065 , C22C32/00 , C22C32/0063 , H01L23/3733 , H01L23/3736 , H01L23/3738 , H01L2924/0002 , Y10T428/12049 , Y10T428/12576 , Y10T428/24355 , Y10T428/24479 , Y10T428/249969 , Y10T428/259 , B22F1/02 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供适合半导体元件的散热构件的复合构件及其制造方法。该复合构件由镁或镁合金与SiC复合而成,该复合构件中的孔隙率小于3%。该复合构件可以通过在原料SiC的表面形成氧化膜,将形成有氧化膜的被覆SiC配置于模具中,并使溶融金属(镁或镁合金)熔浸到该被覆SiC集合体中来制造。通过形成氧化膜,能够提高SiC与溶融金属的润湿性,降低复合构件中的孔隙率。通过该制造方法,能够制造热膨胀系数为4ppm/K以上且10ppm/K以下、热导率为180W/m·K以上的热特性优良的复合构件。
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