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公开(公告)号：CN115642469A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202210825115.9
申请日：2022-07-14
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人北海道大学
Abstract: 提供滤光器、波长可变激光元件、波长可变激光模块、波长可变激光模块的控制方法及存储介质。滤光器具备第一环路镜、第二环路镜、与所述第一环路镜及所述第二环路镜光耦合的第一波导、以及第一接入波导，所述第一环路镜具有第一环形波导和第一合分波器，所述第二环路镜具有第二环形波导和第二合分波器，所述第一环形波导与所述第一合分波器光耦合，所述第二环形波导与所述第二合分波器光耦合，所述第一波导与所述第一合分波器及所述第二合分波器光耦合，所述第一接入波导与所述第一波导光耦合。
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公开(公告)号：CN115469470A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202210623939.8
申请日：2022-06-02
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种光调制器以及光调制器的制造方法。光调制器具备：沿第一方向延伸的第一台面波导；以及第二台面波导。第一台面波导具备设置于衬底上的p型的第一半导体层、设置于第一半导体层上的芯层、设置于芯层上的p型的第二半导体层、以及设置于芯层上的n型的第三半导体层。第二半导体层以及第三半导体层配置为在第一方向上彼此相邻。在第三半导体层上设置有电极。第二半导体层与第三半导体层之间的接合面相对于与第一方向正交的面倾斜。
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公开(公告)号：CN110646955A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910562142.X
申请日：2019-06-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种马赫-曾德尔调制器，其包括：第一电阻元件和第二电阻元件，其均具有第一接触区域和第二接触区域，第一电阻元件的第一接触区域和第二接触区域沿第一轴线的方向排列，第二电阻元件的第一接触区域和第二接触区域沿第二轴线的方向排列；共用导体，其将第一电阻元件和第二电阻元件的各第一接触区域彼此连接在一起；第一波导结构和第二波导结构，其均包括沿与第一轴线和第二轴线交叉的第三轴线的方向延伸的波导部分；第一信号导体，其连接至第一波导结构的波导部以及第一电阻元件的第二接触区域；以及第二信号导体，其连接至第二波导结构的波导部以及第二电阻元件的第二接触区域。
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公开(公告)号：CN116661061A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310193349.0
申请日：2023-02-23
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人北海道大学
Abstract: 提供制造容易且能够提高耦合效率的半导体光元件及其制造方法。半导体光元件具备：基板，具有由硅形成的第一光波导；及半导体元件，接合于所述基板的上表面，具有由III‑V族化合物半导体形成的第二光波导，所述第一光波导和所述第二光波导形成定向耦合器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116601841A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202180085208.6
申请日：2021-10-29
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人京都大学
IPC: H01S5/11
Abstract: 一种光子晶体表面发射激光器，其具备：第一半导体层；光子晶体层，其具有比所述第一半导体层高的折射率，并设置于所述第一半导体层之上；以及有源层，其设置于所述光子晶体层的与所述第一半导体层相反侧，所述光子晶体层包含第一区域和多个第二区域，这些第二区域具有与所述第一区域不同的折射率且在所述光子晶体层的面内周期性地配置于所述第一区域，所述第二区域从所述光子晶体层起延伸到所述第一半导体层。
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公开(公告)号：CN115903280A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202210929780.2
申请日：2022-08-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: G02F1/025
Abstract: 本发明提供一种光调制器。光调制器具备：衬底，其具有包含第一区、第二区以及第三区的主面；第一导电型的第一III‑V族化合物半导体层，其设置于第一区上；第一导电型或第二导电型的第二III‑V族化合物半导体层，其设置于第二区上；芯，其设置于第三区上，且包含III‑V族化合物半导体；以及电极，其与第一III‑V族化合物半导体层连接。第一III‑V族化合物半导体层包含：第一部分，其在与主面正交的第二方向上具有比芯的厚度小的厚度；以及第二部分，其在第二方向上具有比第一部分的厚度大的厚度。第二部分配置于第一部分和芯之间。
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公开(公告)号：CN110646880B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN201910554150.X
申请日：2019-06-25
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: G02B6/122
Abstract: 根据本发明的光斑尺寸变换器包括：支撑体，其包括主表面，主表面包括第一至第五区域；台面结构，其包括位于第一区域上的第一部分并包括位于第二至第四区域上的第二部分；以及埋入结构，其包括第一区和第二区，台面结构的第二部分的第一和第二侧表面分别埋入第一区和第二区中。台面结构的第二部分包括宽度沿着从第三区域朝向第五区域的方向逐渐减小的部分。埋入结构的第一区沿着第一侧表面延伸，并终止于第三和第四区域中的一个。埋入结构的第二区沿着第二部分的第二侧表面延伸，并布置在第五区域上。本发明还涉及制造光斑尺寸变换器的方法。
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公开(公告)号：CN112666653A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011089872.1
申请日：2020-10-13
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 河野直哉
Abstract: 本发明提供一种光调制器。光调制器具备输入波导、楔形波导、光分波器、第1分支波导、第2分支波导、第1电极及第2电极，所述输入波导具有能够实现单模的传输的第1宽度。第1分支波导从第1分支波导的输入端至输出端为止具有大于第1宽度的第3宽度。第1分支波导位于从第1分支波导的输入端至输出端为止具有第4宽度的第1带状区域内，第4宽度是第3宽度的2倍。第2分支波导从第2分支波导的输入端至输出端为止具有大于第1宽度的第5宽度。第2分支波导位于从第2分支波导的输入端至输出端为止具有第6宽度的第2带状区域内，第6宽度是第5宽度的2倍。
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公开(公告)号：CN110970411A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910919132.7
申请日：2019-09-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L23/485 , G02F1/025
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件以及制造半导体器件的方法，该半导体器件包括：半导体层，其形成在基板上；第一树脂层，其形成在半导体层上；第二树脂层，其形成在第一树脂层上；第一布线层，其形成在半导体层上，并且被掩埋在第二树脂层中；第二布线层，其形成在第二树脂层和第一布线层上，并且与第一布线层电连接；以及第一无机绝缘膜，其覆盖第二树脂层和第二布线层，其中，第一布线层的面积大于第二布线层的面积。
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