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公开(公告)号:CN114559651A
公开(公告)日:2022-05-31
申请号:CN202210454656.5
申请日:2022-04-28
Applicant: 之江实验室
IPC: B29C64/112 , B29C64/40 , B29C64/379 , C25D5/02 , C25D7/00 , H02K15/02 , B33Y10/00 , B33Y40/00 , B33Y40/20
Abstract: 本发明公开了一种微静电马达执行器的一体化增材制造方法,采用具有多个打印喷头的三维打印机同时制造微静电马达的转子、转子电极、定子、定子电极、转轴、衬底、转子临时性支撑结构、转轴临时性支撑结构的制造,打印完成后,浸入相应的溶液中选择性地去除转子临时性支撑结构和转轴临时性支撑结构,得到微静音马达执行器,而不损害其他功能性材料结构,以导电材料为种子层可以在表面生长金属层,而不导电材料表面不会生长金属,实现金属层的选择性生长,整个器件在一个打印制造过程中完成,不需要额外的图形化、对准、装配工艺。
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公开(公告)号:CN113985524B
公开(公告)日:2022-04-01
申请号:CN202111606890.7
申请日:2021-12-27
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明公开了一种基于超材料波导的阵列波导光栅,所述阵列波导光栅包括阵列波导部分、输入平板波导、输出平板波导、输入信道波导、输出信道波导,所述阵列波导部分两端分别与所述输入平板波导和输出平板波导连接,所述输入平板波导末端与所述输入信道波导连接,所述输出平板波导末端与所述输出信道波导连接,所述阵列波导部分包括若干根阵列波导,所述阵列波导为超材料波导,在传统波导的周围周期性地排布亚波长波导得到多层结构,这一结构具有很强的各向异性,这一结构可用作传统波导的包层,使用强各向异性包层包围传统波导,整体形成超材料波导,有效抑制了传统波导的倏逝波及趋肤深度。
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公开(公告)号:CN117466240A
公开(公告)日:2024-01-30
申请号:CN202311711891.7
申请日:2023-12-13
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种面向晶上集成的耐高温静电驱动垂直微镜光开关芯片,包括晶圆及其上的固定电极、可静电驱动垂直微镜、反射镜,可静电驱动垂直微镜为悬臂式或梳齿式,可静电驱动垂直微镜或反射镜为平面、凸面或凹面,通过固定电极和可静电驱动垂直微镜之间的排斥或吸引实现出射光线的移动,其中凹面镜或凸面镜实现出射光线角度的偏转,实现光信号切换;光开关芯片的制备工艺包括:在晶圆上表面深刻蚀形成固定电极、垂直微镜及反射镜,对垂直侧壁进行平坦化抛光;在晶圆、固定电极、垂直微镜和反射镜表面沉积二氧化硅绝缘层;在固定电极、垂直微镜及反射镜表面沉积金属层,通过剥离的方法形成互连线及金属化的固定电极、垂直微镜、反射镜。
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公开(公告)号:CN116990905B
公开(公告)日:2024-01-16
申请号:CN202311252627.1
申请日:2023-09-26
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请提供一种折射率可调的亚波长光栅耦合器及其设计方法。该光栅耦合器包括依次层叠的衬底、埋氧层、波导层和上包层,模式光在波导层上沿第一方向传播,波导层包括光栅结构,光栅结构包括沿第一方向依次排列的多个单元光栅结构,其中,单元光栅结构包括第一折射率区和第二折射率区,第一折射率区包括第一波导;第二折射率区与第一折射率区相邻,第二折射率区包括多个沿第一方向交替排列的第二波导和间隔区,第二波导的折射率不等于间隔区的折射率,第一折射率区的等效折射率不等于第二折射率区的等效折射率,光栅结构的结构参数通过多次迭代确定。可实现调整光栅结构的有效折射率,降低器件的耦合损耗和尺寸,受制造工艺水平的影响较小。
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公开(公告)号:CN116314169B
公开(公告)日:2023-08-11
申请号:CN202310585098.0
申请日:2023-05-23
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L25/16 , H01L23/538
Abstract: 本发明公开了一种硅基集成光接收芯片的封装结构,包括硅基光接收芯片、载体晶圆和外功能芯片;其中,所述硅基光接收芯片用于对接收的光载波信号进行分解得到多个单波长光信号,对单波长光信号进行波长调控,并将波长调控后的单波长光信号转化为电信号;在所述载体晶圆上集成硅基光接收芯片和外功能芯片,其中,在载体晶圆内部设置有金属电路,通过金属电路将硅基光接收芯片和外功能芯片相连;所述外功能芯片用于向所述硅基光接收芯片施加电压使得硅基光接收芯片能够对单波长光信号进行波长调控,还用于获得和放大硅基光接收芯片输出的电信号。该封装结构能够使得硅基光接收芯片在保证波长可调的同时保证了高速信号的质量。
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公开(公告)号:CN116314169A
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN202310585098.0
申请日:2023-05-23
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L25/16 , H01L23/538
Abstract: 本发明公开了一种硅基集成光接收芯片的封装结构,包括硅基光接收芯片、载体晶圆和外功能芯片;其中,所述硅基光接收芯片用于对接收的光载波信号进行分解得到多个单波长光信号,对单波长光信号进行波长调控,并将波长调控后的单波长光信号转化为电信号;在所述载体晶圆上集成硅基光接收芯片和外功能芯片,其中,在载体晶圆内部设置有金属电路,通过金属电路将硅基光接收芯片和外功能芯片相连;所述外功能芯片用于向所述硅基光接收芯片施加电压使得硅基光接收芯片能够对单波长光信号进行波长调控,还用于获得和放大硅基光接收芯片输出的电信号。该封装结构能够使得硅基光接收芯片在保证波长可调的同时保证了高速信号的质量。
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公开(公告)号:CN117471676A
公开(公告)日:2024-01-30
申请号:CN202311513166.9
申请日:2023-11-14
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了可晶圆集成的含有静电驱动垂直微镜的耐高温干涉仪,包括晶圆及其上的固定干涉臂和可调干涉臂,可调干涉臂包括固定电极和静电驱动的垂直微镜,垂直微镜包括透镜及驱动电极,通过固定电极和驱动电极之间的排斥或吸引实现垂直微镜的偏转或折射率改变,使得通过调干涉臂的光程差发生改变,再与通过固定干涉臂的光形成干涉,其中可调干涉臂的制备工艺为:在晶圆上表面深刻蚀形成固定电极及垂直微镜,对形成的垂直侧壁进行平坦化抛光;在晶圆、固定电极和垂直微镜表面沉积绝缘层;在晶圆的上表面形成电极及互连线图形,在垂直微镜上沉积金属层,通过剥离的方法形成引线互连;去除垂直微镜未被金属层覆盖的绝缘层,形成透镜。
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公开(公告)号:CN117003197A
公开(公告)日:2023-11-07
申请号:CN202311247135.3
申请日:2023-09-26
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种具有垂直法珀腔的可晶上集成的高温惯性芯片制备方法,包括:在单晶硅晶圆上表面深刻蚀质量块填充孔并填充制成质量柱;围绕质量柱的三个侧面深刻蚀形成间隙,并对间隙进行临时填充;在间隙的对侧的单晶硅晶圆上表面刻蚀形成台阶,并在台阶上依次沉积下包层、芯层、上包层,形成光波导;在光波导的出射端面和质量柱之间的台阶顶部深刻蚀深沟槽结构,减薄单晶硅晶圆下表面使深沟槽和质量柱贯穿单晶硅晶圆,并形成垂直敏感结构;用湿法腐蚀从上下两端同时腐蚀减薄质量柱形成质量块;去除临时填充的材料,对得到的芯体结构进行密封,形成垂直法珀腔。
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公开(公告)号:CN116990905A
公开(公告)日:2023-11-03
申请号:CN202311252627.1
申请日:2023-09-26
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请提供一种折射率可调的亚波长光栅耦合器及其设计方法。该光栅耦合器包括依次层叠的衬底、埋氧层、波导层和上包层,模式光在波导层上沿第一方向传播,波导层包括光栅结构,光栅结构包括沿第一方向依次排列的多个单元光栅结构,其中,单元光栅结构包括第一折射率区和第二折射率区,第一折射率区包括第一波导;第二折射率区与第一折射率区相邻,第二折射率区包括多个沿第一方向交替排列的第二波导和间隔区,第二波导的折射率不等于间隔区的折射率,第一折射率区的等效折射率不等于第二折射率区的等效折射率,光栅结构的结构参数通过多次迭代确定。可实现调整光栅结构的有效折射率,降低器件的耦合损耗和尺寸,受制造工艺水平的影响较小。
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公开(公告)号:CN116520487B
公开(公告)日:2023-09-12
申请号:CN202310812463.7
申请日:2023-07-04
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请提供一种偏振不敏感的硅基光接收集成芯片及其实现方法。该芯片包括端面耦合器、波分解复用器、光电探测器阵列及偏振自动反馈调节装置。在波分解复用器的上层沉积有相变材料,波分解复用器具有多个输出端口,多个输出端口包括偏振检测端口,波分解复用器的偏振检测端口连接偏振自动反馈调节装置的一端;偏振自动反馈调节装置的另一端用于连接至设于芯片外部的信号激励装置,偏振自动反馈调节装置用于测量偏振检测端口的输出光功率的强度来得到当前入射光的偏振态,并基于当前入射光的偏振态来控制信号激励装置产生激励信号的强度以触发相变材料的相态改变,进而调节波分解复用器的最佳工作偏振态以实现入射偏振不敏感。
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