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公开(公告)号：CN115323470B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211239595.7
申请日：2022-10-11
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明涉及晶圆封装领域，尤其涉及一种实现多片晶圆电镀的装置，包括电镀槽，放置在电镀槽内的设置成多层结构的晶圆底座，与所述晶圆底座配合设置的并联连接的电极结构，以及与晶圆位置对应的阳极金属条。本发明利用晶圆底座分层结构，实现多片晶圆同时电镀，既节约电镀时间，又可以有效避免电镀溶液的污染与浪费；利用环形电极阵列，实现电镀沉积，既可以稳定晶圆，又可以保证电镀质量，提高电镀晶圆表面的均匀性；利用晶圆底座的稳定，可以实施与传统方式不同的电镀方法，将晶圆表面保持水平状态，针对大尺寸晶圆电镀，可以有效节省电镀溶液，节约成本。
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公开(公告)号：CN115542461A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211414571.0
申请日：2022-11-11
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于逆向设计的超高集成度硅基光接收芯片，包括所述光接收芯片上设置的端面耦合器、逆向设计偏振分束器、逆向设计波分解复用器以及高速锗硅探测器，所述逆向设计波分解复用器包括TE模式逆向设计波分解复用器和TM模式逆向设计波分解复用器，各器件之间通过光波导进行连接，高速锗硅探测器通过高频引线和高频电极与外部功能芯片连接。本发明一种基于逆向设计的超高集成度硅基光接收芯片，通过逆向设计方法设计偏振分束器以及基于TE、TM模式的波分解复用器件来解决传统光接收芯片上由于集成系统中分立器件中存在占位面积大、性能不稳定、带宽不够，串扰高的问题。
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公开(公告)号：CN114823592B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210758528.X
申请日：2022-06-30
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/488 , H01L23/367 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开一种晶上系统结构及其制备方法，该结构包括晶圆基板、集成芯粒、系统配置板和系统散热模组。所述晶圆基板和集成芯粒通过晶圆基板上表面的晶圆微凸点阵列和集成芯粒下表面的芯粒微凸点阵列键合相连；所述晶圆基板和系统配置板通过晶圆基板上的铜柱阵列和系统配置板下表面的焊盘键合相连；晶圆基板和系统配置板之间设有塑封层，塑封晶圆基板、集成芯粒和铜柱阵列；所述集成芯粒之间通过晶圆基板的顶部设置的重布线层电连接；所述系统配置板通过所述重布线层以及铜柱阵列与集成芯粒电连接；所述系统散热模组贴合在晶圆基板的下表面。本发明解决了SoW制备良率的忧虑和高密度TSV带来的晶圆可靠性的问题。
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公开(公告)号：CN115172192A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202211098655.8
申请日：2022-09-09
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L21/60 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种多芯粒晶圆级集成的混合键合方法，包括：基于提供的待键合的半导体晶圆衬底、n个芯粒以及预键合晶圆衬底，将待键合晶圆衬底上的对准标记的图形转移到预键合晶圆衬底；利用临时键合胶将n个芯粒按照对准标记依次贴合在预键合晶圆衬底上构成预键合晶圆；经CMP处理半导体晶圆衬底和芯粒表面后，将待键合半导体晶圆衬底与预键合晶圆对准后进行键合形成晶圆组；最后将晶圆组进行退火热处理，实现半导体晶圆衬底与芯粒的稳定键合，同时去除预键合晶圆衬底，完成多芯粒的晶圆级集成。本发明实现多芯粒集成的一次性混合键合，避免D2W多次键合的铜表面氧化，提高多芯粒键合的质量和精度，提高键合良率及可靠性。
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公开(公告)号：CN114551385B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210454688.5
申请日：2022-04-28
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/473 , H01L23/433 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及电子技术领域，尤其涉及一种含有微流道散热结构的三维堆叠封装结构及其封装方法，该结构包括芯片封装部分和硅基板封装部分，所述芯片封装部分由含有硅通孔的多层芯片通过三维堆叠封装构成，所述硅基板封装部分由硅基板构成，硅基板上设有与外部引线互连的微凸点，所述芯片封装部分通过微凸点键合装配到硅基板上，所述多层芯片上刻蚀有相对应的供冷却液水平方向流动的微流道和上下层流动的通孔，所述微流道和通孔的周围设置有密封环。本发明不仅降低了工艺复杂度和成本，也不会造成三维堆叠结构整体厚度的增加。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117003197B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311247135.3
申请日：2023-09-26
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种具有垂直法珀腔的可晶上集成的高温惯性芯片制备方法，包括：在单晶硅晶圆上表面深刻蚀质量块填充孔并填充制成质量柱；围绕质量柱的三个侧面深刻蚀形成间隙，并对间隙进行临时填充；在间隙的对侧的单晶硅晶圆上表面刻蚀形成台阶，并在台阶上依次沉积下包层、芯层、上包层，形成光波导；在光波导的出射端面和质量柱之间的台阶顶部深刻蚀深沟槽结构，减薄单晶硅晶圆下表面使深沟槽和质量柱贯穿单晶硅晶圆，并形成垂直敏感结构；用湿法腐蚀从上下两端同时腐蚀减薄质量柱形成质量块；去除临时填充的材料，对得到的芯体结构进行密封，形成垂直法珀腔。
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公开(公告)号：CN117486167A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311711893.6
申请日：2023-12-13
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了面向晶上集成的具有耐高温垂直微镜结构的光计算芯片，包括晶圆及其上若干光计算基本单元和光路控制光学元件，光计算基本单元包括N型光逻辑开关和P型光逻辑开关，二者均包括透光结构、可动结构、固定结构，根据逻辑需要向所述透光结构、可动结构、固定结构施加电压，实现可动结构保持不动、偏转或移动，进而实现光路的通断；光计算基本单元通过如下过程制备得到：在晶圆上表面深刻蚀或先沉积结构层再光刻刻蚀形成包括透光结构、可动结构、固定结构的垂直微镜结构；对垂直微镜结构的垂直侧壁进行平坦化抛光；在垂直微镜结构上和晶圆衬底间沉积绝缘层，实现电学绝缘隔离；在垂直微镜结构上沉积金属层，形成引线互连。
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公开(公告)号：CN116429299A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310686488.7
申请日：2023-06-12
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种可晶圆系统集成的压力传感芯片制造方法，包括深槽隔离步骤，深刻蚀间隙步骤，电极生长步骤，深刻蚀进气孔步骤，气密封装步骤。本发明在绝缘体上硅晶圆的垂直方向制造深槽平行板电容结构，与传统的在晶圆上下表面水平方向制造压力敏感膜片的方法相比，占用的芯片面积较小；深槽平行板电容结构的真空参考腔需要密封的面积小，并不一定依赖复杂的硅‑硅、硅‑玻璃键合工艺；且垂直方向的压力敏感膜片可以与梳齿式平行板电容结构相结合，形成类似差分式的结构，具有放大压力信号的功能，有利于与信号处理部分在晶圆上实现单片集成。
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公开(公告)号：CN116130436A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211566235.8
申请日：2022-12-07
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/473 , H01L23/373 , B81C1/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了关于集成多孔微流道散热结构阵列的封装结构及其制备方法，所述封装结构包括晶圆基板，芯片阵列和PCB供电板。晶圆基板为集成了高密度的纳米多孔微流道散热结构阵列和信号传递部分的一体结构。根据不同芯片的功耗，纳米多孔微流道散热结构可设置具有不同通道宽度和孔隙尺寸的微通道，在实现对芯片阵列精准散热的同时，明显减小封装结构的厚度，提高了系统集成度。微流道盖板采用聚二甲基硅氧烷材料，做密封层和应力缓冲层；并且在封装结构制备过程中采用两次临时氮化铝载板键合，可避免大尺寸晶圆基板异质异构集成过程产生的应力积累和基板损坏。
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公开(公告)号：CN115799076B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310052792.6
申请日：2023-02-03
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L21/48 , G01D21/02 , H01L23/473
Abstract: 本发明公开了一种可测流速压力温度的晶圆系统微流道制造方法，包括：液体传感测量元件制造步骤：在硅晶圆上的微流道中分别沉积温度传感单元和流速传感单元、压力传感单元及对应的水平引线；薄膜沉积步骤：在所述硅晶圆上依次生长牺牲层和二氧化硅层；信号引出步骤：生长垂直引线，将所述硅晶圆上的所述温度传感单元、流速传感单元、压力传感单元通过所述水平引线和垂直引线引到外侧；选择性释放牺牲层步骤：用激光选择性加热或者湿法腐蚀的方法将所述牺牲层选择性去除，形成微流道。该方法在不需要与额外的硅片或玻璃片键合的情况下，就能制造出供冷却液水平方向流动的闭合管路，而且可以实时监测冷却液的温度、流速、压力等物理参数。
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