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公开(公告)号：CN116113312A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310084475.2
申请日：2023-01-13
Applicant: 之江实验室
IPC: H10N70/20
Abstract: 本申请提供一种半导体器件阵列及其制备方法和电子设备。该制备方法包括以下步骤：S1.在衬底表面形成第一电极阵列；S2.在衬底的一侧涂覆光刻胶，在光刻胶上形成通孔阵列，通孔阵列在衬底上的正投影与第一电极阵列在衬底上的正投影至少部分重合，衬底至少部分裸露于通孔阵列；S3.采用Langmuir‑Blodgett工艺形成二维材料层；S4.使用有机溶剂冲洗二维材料层远离衬底的一侧；S5.重复步骤S2～S4，直至通孔阵列远离衬底的一侧均覆盖有二维材料层，形成二维材料层阵列；S6.在衬底上依次形成绝缘层阵列和第二电极阵列。本申请结合LB工艺和二维材料的特性，扩充了二维材料在半导体器件中实现阵列化的构建方案。
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公开(公告)号：CN115144104A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210765210.4
申请日：2022-07-01
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于低维碲网络的电容式压力传感器及其制造方法，属于柔性压力传感器领域，包括从上到下依次设置的第一电极层、低维碲介电敏感层、第二电极层，第一电极层和第二电极层通过激光直写等微纳加工制备获得，低维碲介电敏感层通过制造二维碲纳米片和一维碲纳米线的混合粉末，并将此粉末和聚合物弹性体混合制备得到介电弹性薄膜，由于碲具有高介电常数和低导电性，这使得低维碲填充聚合物复合材料具有较高介电常数和较低的介电损耗。此外，一维和二维碲构成多结构混合网络，当外力施加在传感器表面时，除了介电敏感层的厚度变化，随着低维碲网络的变化，介电常数也随之变化，这显著增加了传感器的灵敏度景。
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公开(公告)号：CN114824070A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210370901.4
申请日：2022-04-11
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种基于二维碲烯掺杂铜二价阳离子的忆阻器及其制备方法，包括基底，所述基底上设有忆阻层，所述忆阻层为掺杂铜二价阳离子的二维碲烯；步骤S1：二维碲烯溶液；步骤S2：制备硝酸铜溶液；步骤S3：将所述硝酸铜溶液滴加到所述含有单晶二维碲烯的溶液形成混合溶液中；步骤S4：制备二维碲烯掺杂铜二价阳离子的基底；步骤S5：制备出一种基于二维碲烯掺杂铜二价阳离子的忆阻器。本发明利用小直径铜离子原位掺入二维单质碲烯晶格后，形成碲化物共价键和游离态阳离子的弛豫，过程所产生的游离态阳离子随着外电场的控制而形成导电通道，从而实现二维碲烯微纳忆阻晶体管更加稳定和均一的忆阻特征。
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公开(公告)号：CN116984623B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311250956.2
申请日：2023-09-26
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于分段式水热法的二维铋纳米晶体合成方法，所述方法包括：将亚铋酸钠均匀分散到丙三醇溶液，得到浓度为0.025‑0.075 mol/L的第一溶液；将溴代十六烷基三甲胺和聚乙烯吡咯烷酮按照1:0.5‑1:3.5 的摩尔比充分溶解在丙三醇溶液中形成第二溶液；将等体积的第一溶液与第二溶液充分混合，得到第三溶液；第一水热阶段：将第三溶液加热至30‑80℃，保温至少5小时；第二水热阶段：再将第三溶液加热至160‑200℃保温20个小时以上，冷却离心分离得到二维铋纳米晶体。
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公开(公告)号：CN116994943A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202311257435.X
申请日：2023-09-27
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L21/06 , H01L29/18 , H01L29/786 , H05K1/18
Abstract: 本发明公开了一种基于碘蒸汽掺杂法的N型碲烯的制备方法，所述制备方法包括：提供二维碲烯；将二维碲烯放入一密闭腔体内，通过碘蒸气对二维碲烯进行掺杂，得到N型碲烯。其中，通过碘蒸气对二维碲烯进行掺杂包括：将固态碘加热至30℃~45℃使固态碘升华为碘蒸气持续4‑9小时。基于此，本发明实施例还提供了一种由上述制备方法制得的N型碲烯，一种基于碘蒸汽掺杂法的N型碲烯场效应晶体管及其制备方法。本发明使用碘蒸气进行掺杂，工艺简单可控、制备周期短、安全无污染。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115295676B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210990649.7
申请日：2022-08-18
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L31/18 , C23C16/06 , C23C16/30 , C23C16/52 , H01L31/0224 , H01L31/109
Abstract: 本发明公开了一种高光响应Te/MoS2异质结的光探测器及其制备方法，通过对二维Te和MoS2晶面的准确控制，形成了不同二维Te和MoS2的异质结堆叠方式，实验结果结合第一性原理的仿真计算分析，确定了形成I型和II型能带排列结构的Te/MoS2异质结的制备方法，由于I型能带排列结构的Te/MoS2异质结中光生电子和光生空穴在内建电场的作用下均向能带较窄的二维Te材料转移，使得光生电子‑空穴对的复合几率较II型能带排列结构高得多，降低了光生载流子的寿命，减小了光电流的大小，不利于光探测能力的提升，所以需要选择具有II型能带排列结构的Te/MoS2异质结来制备高光响应度的光探测器。
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公开(公告)号：CN115295675A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210990580.8
申请日：2022-08-18
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明一种基于二维材料Te/MoS2异质结的光探测器的制备方法，包括以下步骤：采用机械剥离或化学气相沉积制作含有二维MoS2的衬底一；制备含有二维Te的衬底二；转移二维Te形成异质结；光探测器件制备；对制备出的光探测器件进行高压退火处理；在器件制备过程中通过减小Te/MoS2异质结中Te和MoS2的层间间距，将具有典型I型能带排列结构的Te/MoS2异质结向II型能带排列结构转变，显著提高了基于二维材料Te/MoS2异质结光探测器的光探测灵敏度。
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公开(公告)号：CN114735661B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210670961.8
申请日：2022-06-15
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于二维碲纳米晶体制备二维超导PtTe2及其制备方法和应用,铂和碲的化学计量比为1:2,包括以下步骤：步骤S1：将晶体二维碲烯溶解于去离子水中配置浓度为0.05mol/L的二维碲烯溶液；步骤S2：将氯铂酸用去离子水稀释，得到浓度为0.10mol/L的氯铂酸溶液；步骤S3：将二维碲烯溶液与氯铂酸溶液按摩尔比为3:1‑7:1的比例混合，反应一段时间后得到含有二维超导PtTe2的溶液；步骤S4：将二维超导PtTe2的溶液用去离子水和离心机清洗后得到二维超导PtTe2晶体。本发明制备的碲化铂纳米片具有模板的相同的形貌，并且该纳米片颜色有所变化，在高分辨扫描电镜下表现出高结晶度和清晰的原子排列。
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公开(公告)号：CN113567752A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110830626.5
申请日：2021-07-22
Applicant: 之江实验室
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明公开了一种面向触觉感知的高动态阵列式电容测量电路及其测量方法。包括模拟开关电路、激励源式电容传感芯片和FPGA；阵列式电容主要有多个电容以行列阵列布置而成，模拟开关电路包括多个选择开关，每一行的电容的一端连接在一起后均经一个选择开关连接到激励源式电容传感芯片的正向电容输入通道，每一列的电容的另一端连接在一起后连接到激励源式电容传感芯片的负向电容输入通道，激励源式电容传感芯片和FPGA连接。本发明减小了阵列式电容上电容单元的耦合，具备同一时刻读取多个电容的能力，实现了并行高速、低耦合的阵列式电容数值读取、数据存储和显示，具有阵列扩展性。
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公开(公告)号：CN111999341A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010835525.2
申请日：2020-08-19
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于微纳光纤的柔性热导检测装置和方法。本发明柔性热导检测装置包括热导传感器、光源和控制器，热导传感器利用柔性导热封装物包覆微纳光纤和柔性加热器进行热传导，且热导传感器又与控制器形成闭合的温度控制反馈回路，利用柔性导热封装物作为微纳光纤的包层，基于微纳光纤中传输光的强倏逝场与包层封装材料的热光效应的耦合，使单个的、柔性的热导传感器在控制器的调控下实现了温度测量和温度调节功能的微型化集成，无需增加其它额外的模块即可实现待测物体导热性能的准确评估，具有显著的轻量化特征，且具有灵敏度高、响应速度快、不受电磁辐射干扰等显著优势，更适合在极端和特殊环境中的应用。
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