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公开(公告)号：CN106165202B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201580012762.6
申请日：2015-01-19
Abstract: 端子连接构造具备：阳端子及具有弹性以从两侧夹住上述阳端子的方式与上述阳端子嵌合的阴端子，上述阳端子包括：母材、覆盖上述母材的第一基底层、覆盖上述第一基底层的第二基底层及覆盖上述第二基底层的最表层，上述第一基底层和上述第二基底层硬度不同。
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公开(公告)号：CN104701306B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201410738558.X
申请日：2014-12-05
IPC: H01L25/07
CPC classification number: H01L23/047 , H01L21/565 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/4334 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/13055 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 公开了一种半导体装置，其包括：半导体元件，其设置在平面上；密封树脂，其对所述半导体元件进行密封；端子，其电连接到所述半导体元件并且包括从所述密封树脂的预定表面突出的部分；以及凹部，当沿与所述平面垂直的方向观察时，所述凹部从所述预定表面朝向所述半导体元件侧凹进。当沿与所述平面垂直的方向观察时，在所述半导体元件侧的所述凹部的边包括R形状。
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公开(公告)号：CN106062950A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201580012369.7
申请日：2015-01-15
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具有：半导体元件；第一板状部，其与所述半导体元件的上表面侧的电极电连接，并具备从侧面突起的第一接头部，且由导电体构成；第二板状部，其具备从侧面突起的第二接头部，且由导电体构成，所述第一接头部的下表面与所述第二接头部的上表面以对置的方式被配置，且经由导电性的接合材料而被电连接，在所述第一接头部的下表面与所述第二接头部的上表面对置的部分处，设置有确保所述第二接头部的顶端上部和所述第一接头部的下表面之间的所述接合材料的厚度的接合材料厚度确保单元。
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公开(公告)号：CN105849894A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201480071098.8
申请日：2014-12-18
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L23/051
CPC classification number: H01L23/26 , H01L21/4825 , H01L21/4882 , H01L21/565 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/4952 , H01L23/49562 , H01L23/49568 , H01L23/564 , H01L2924/18301
Abstract: 一种半导体装置，包括金属构件(54)、半导体元件(30)、树脂部(66)、底料层、以及剥离抑制部。所述金属构件具有包括半导体元件安装区(540b)和树脂紧密接触区(540a)的表面，所述树脂紧密接触区从所述半导体元件安装区延伸至所述金属构件的外周边缘。所述半导体元件安装在所述半导体元件安装区上。所述树脂部延伸到所述金属构件的侧表面外的位置，与所述树脂紧密接触区紧密接触，并一体地覆盖所述半导体元件和所述金属构件。所述底料层布置在所述树脂紧密接触区和所述树脂部之间。所述剥离抑制部被构造成抑制所述金属构件和所述树脂部在所述树脂紧密接触区的外周部彼此剥离。
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公开(公告)号：CN115440712A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210617510.8
申请日：2022-06-01
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L25/07 , H01L21/48 , H01L23/495
Abstract: 一种半导体装置，包括半导体元件、密封构件和第一导电板。半导体元件包括第一电极。密封构件密封半导体元件。第一导电板包括在密封构件内部面向第一电极的第一表面。第一导电板的第一表面包括安装区域、粗糙化区域和非粗糙化区域。第一电极接合到安装区域。粗糙化区域位于安装区域周围。非粗糙化区域位于粗糙化区域与第一表面的外周边缘之间。粗糙化区域的表面粗糙度大于非粗糙化区域的表面粗糙度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114503255A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202080069629.5
申请日：2020-09-25
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体装置具备在表面形成有发射极电极、在背面形成有集电极电极的半导体元件(30)。集电极电极与配置于半导体元件(30)的背面侧的散热器(40)经由焊料(80)连接。在焊料接合部设有多个线片(90)。所有的线片(90)接合于散热器(40)的安装面(40a)，朝向半导体元件(30)突起。焊料(80)具有在俯视时与包含元件中心(30c)的半导体元件(30)的中央部分重叠的中央区域(80a)与将中央区域(80a)包围的外周区域(80b)。在外周区域，至少与半导体元件(30)的四角分别对应地配置有四个以上的线片。线片中的至少一个在俯视时朝向元件中心延伸。
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公开(公告)号：CN115516624A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202180031629.0
申请日：2021-03-12
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 形成在半导体元件的两面上的主电极与对应的热沉连接。发射极电极经由接线柱(60)而与热沉(50)连接。在接线柱(60)中，热沉侧的端面(60b)呈具有平行于X方向的两个边(61a、61b)和平行于Y方向的两个边(61c、61d)的矩形。热沉(50)经由焊料(91)而与接线柱(60)的端面(60b)连接。热沉(50)在与接线柱(60)对置的对置面(50a)上具有与接线柱(60)连接的连接区域(51)和将连接区域(51)包围而收容剩余的焊料(91)的槽(52)。槽(52)设置为，在平面视图下与端面(60b)的4边中的仅一个或仅两个重叠。
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公开(公告)号：CN117995829A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311425654.4
申请日：2023-10-31
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L25/07 , H01L23/48 , H01L23/31 , H01L23/367 , H02M7/797
Abstract: 第一配线(50)具有散热器(51)和正极端子(52)。第二配线(60)具有在Y方向上与散热器(51)排列配置的散热器(61)和输出端子(62)。第三配线(80)具有接线件(81)和负极端子(82)。半导体元件(40H)配置于散热器(51)，漏极电极(40D)连接于散热器(51)。半导体元件(40L)配置于散热器(61)，漏极电极(40D)连接于散热器(61)。接线件(70)将半导体元件(40H)的源极电极(40S)与散热器(61)连接。第三配线(80)的接线件(81)连接于半导体元件(40L)的源极电极(40S)。第三配线(80)与第一配线(50)及接线件(70)并行。
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公开(公告)号：CN112805823B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201980064631.0
申请日：2019-09-19
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体装置具备：半导体芯片(12)，具有有源区域(124)和将有源区域包围的外周区域(125)；金属部件(18)，在半导体芯片侧的一面具有安装半导体芯片的安装部(182)和将安装部包围的周围部(183)；接合部件(16)，介于半导体芯片与安装部之间，将半导体芯片与金属部件连接；以及封固树脂体(14)，将半导体芯片、金属部件的至少一面及接合部件一体地封固。金属部件，作为周围部而具有：密接部(184)，以将安装部包围的方式设置，与封固树脂体密接；和环状的非密接部(185)，设在安装部与密接部之间，不连接接合部件，与密接部相比对于封固树脂体的密接性低。在非密接部的全长的至少一部分中，宽度的整个区域在半导体芯片的厚度方向的投影观察中设在与半导体芯片重叠的区域内。
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公开(公告)号：CN112805823A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201980064631.0
申请日：2019-09-19
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体装置具备：半导体芯片(12)，具有有源区域(124)和将有源区域包围的外周区域(125)；金属部件(18)，在半导体芯片侧的一面具有安装半导体芯片的安装部(182)和将安装部包围的周围部(183)；接合部件(16)，介于半导体芯片与安装部之间，将半导体芯片与金属部件连接；以及封固树脂体(14)，将半导体芯片、金属部件的至少一面及接合部件一体地封固。金属部件，作为周围部而具有：密接部(184)，以将安装部包围的方式设置，与封固树脂体密接；和环状的非密接部(185)，设在安装部与密接部之间，不连接接合部件，与密接部相比对于封固树脂体的密接性低。在非密接部的全长的至少一部分中，宽度的整个区域在半导体芯片的厚度方向的投影观察中设在与半导体芯片重叠的区域内。
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