公开(公告)号：CN100530552C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200680001819.3

申请日：2006-01-06

Applicant: 丰田合成株式会社 ,  财团法人神奈川科学技术研究院

Inventor： 一杉太郎 ,  古林宽 ,  长谷川哲也 ,  广濑靖 ,  笠井淳平 ,  守山实希

IPC: H01L21/28 ,  C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  C30B29/16 ,  G02F1/09 ,  H01L33/00

CPC classification number: C23C14/08 ,  C23C30/00 ,  G02F1/09 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L33/42

Abstract: 本发明鉴于目前正期待着适用范围大的透明电极材料以及磁性材料这一状况，提供具有新特性的功能元件和氧化物材料形成方法。所述的功能元件具有AlxGayInzN和在所述AlxGayInzN上形成、含有金属氧化物的氧化物材料，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1；所述金属氧化物为TiO2。根据本发明，可以得到在具有优异的物理化学性质的3族氮化物上一体形成的在界面的反射少、兼具耐化学品性和耐久性膜而构成的功能元件。

公开(公告)号：CN104233457B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410250941.0

申请日：2014-06-06

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 久米川尚平 ,  药师康英 ,  永井诚二 ,  守山实希

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02623 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/7806

Abstract: 本发明提供了一种用于制造第III族氮化物半导体晶体和GaN衬底的方法，其中可以确定地减小生长衬底上位错密度的转移或裂纹的出现，并且第III族氮化物半导体晶体可以容易地分离于籽晶。在GaN衬底上形成掩模层，以由此形成GaN衬底的露出部分和GaN衬底的未露出部分。通过助熔剂法，在包含至少第III族金属和Na的熔融混合物中在GaN衬底的露出部分上形成GaN层。此时，在掩模层上形成包含熔融混合物的组分的非晶体部分以被生长在GaN衬底和掩模层上的GaN层覆盖。

公开(公告)号：CN103243389B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201310048487.6

申请日：2013-02-06

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 永井诚二 ,  守山实希 ,  久米川尚平 ,  山崎史郎

IPC: C30B29/38 ,  C30B19/02

CPC classification number: C30B19/12 ,  C30B9/06 ,  C30B9/10 ,  C30B19/02 ,  C30B19/04 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/7806

Abstract: 本发明提供了一种用于制造具有优异的结晶度的第III族氮化物半导体单晶的方法以及一种用于制造具有优异的结晶度的GaN衬底的方法，所述方法包括控制回熔。具体地，在用作生长衬底的GaN衬底上形成掩模层。之后，通过光刻形成穿过掩模层并且到达GaN衬底的多个沟槽。获得的籽晶和单晶的原材料被供给到坩埚并且在加压和高温条件下经历处理。在熔剂中使GaN衬底的露出到沟槽的部分经历回熔。通过GaN衬底的溶解，沟槽的尺寸增加，以提供大沟槽。GaN层从掩模层的作为起始点的表面生长。

公开(公告)号：CN103510155B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201310254899.5

申请日：2013-06-25

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 山崎史郎 ,  永井诚二 ,  守山实希

IPC: C30B19/00 ,  C30B29/38 ,  C30B33/00 ,  C30B35/00 ,  H01L21/208

CPC classification number: C30B9/12 ,  C30B9/02 ,  C30B9/04 ,  C30B29/403 ,  C30B33/00 ,  C30B35/002 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1092

Abstract: 公开了半导体晶体移除设备和半导体晶体的产生方法。本发明提供了一种半导体晶体移除设备，该半导体晶体移除设备通过固化的熔剂的快速熔化而实现从坩埚有效移除半导体晶体；并且提供了一种用于产生半导体晶体的方法。所述半导体晶体移除设备包括：坩埚支撑件，用于支撑所述坩埚，使得所述坩埚的开口被定向为朝下；加热器，用于加热所述坩埚支撑件上支撑的所述坩埚；以及半导体晶体接纳网，用于接纳从所述坩埚的开口跌落的所述半导体晶体。所述半导体晶体移除设备进一步包括确定部，用于基于因所述半导体晶体的跌落而导致的重量的改变来确定所述半导体晶体的移除。

公开(公告)号：CN104233457A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410250941.0

申请日：2014-06-06

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 久米川尚平 ,  药师康英 ,  永井诚二 ,  守山实希

IPC: C30B19/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02623 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/7806

Abstract: 本发明提供了一种用于制造第III族氮化物半导体晶体和GaN衬底的方法，其中可以确定地减小生长衬底上位错密度的转移或裂纹的出现，并且第III族氮化物半导体晶体可以容易地分离于籽晶。在GaN衬底上形成掩模层，以由此形成GaN衬底的露出部分和GaN衬底的未露出部分。通过助熔剂法，在包含至少第III族金属和Na的熔融混合物中在GaN衬底的露出部分上形成GaN层。此时，在掩模层上形成包含熔融混合物的组分的非晶体部分以被生长在GaN衬底和掩模层上的GaN层覆盖。

公开(公告)号：CN103510155A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310254899.5

申请日：2013-06-25

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 山崎史郎 ,  永井诚二 ,  守山实希

IPC: C30B19/00 ,  C30B29/38 ,  C30B33/00 ,  C30B35/00 ,  H01L21/208

CPC classification number: C30B9/12 ,  C30B9/02 ,  C30B9/04 ,  C30B29/403 ,  C30B33/00 ,  C30B35/002 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1092

Abstract: 公开了半导体晶体移除设备和半导体晶体的产生方法。本发明提供了一种半导体晶体移除设备，该半导体晶体移除设备通过固化的熔剂的快速熔化而实现从坩锅有效移除半导体晶体；并且提供了一种用于产生半导体晶体的方法。所述半导体晶体移除设备包括：坩锅支撑件，用于支撑所述坩锅，使得所述坩锅的开口被定向为朝下；加热器，用于加热所述坩锅支撑件上支撑的所述坩锅；以及半导体晶体接纳网，用于接纳从所述坩锅的开口跌落的所述半导体晶体。所述半导体晶体移除设备进一步包括确定部，用于基于因所述半导体晶体的跌落而导致的重量的改变来确定所述半导体晶体的移除。

公开(公告)号：CN103243389A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201310048487.6

申请日：2013-02-06

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 永井诚二 ,  守山实希 ,  久米川尚平 ,  山崎史郎

IPC: C30B29/38 ,  C30B19/02

CPC classification number: C30B19/12 ,  C30B9/06 ,  C30B9/10 ,  C30B19/02 ,  C30B19/04 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/7806

Abstract: 本发明提供了一种用于制造具有优异的结晶度的第III族氮化物半导体单晶的方法以及一种用于制造具有优异的结晶度的GaN衬底的方法，所述方法包括控制回熔。具体地，在用作生长衬底的GaN衬底上形成掩模层。之后，通过光刻形成穿过掩模层并且到达GaN衬底的多个沟槽。获得的籽晶和单晶的原材料被供给到坩埚并且在加压和高温条件下经历处理。在熔剂中使GaN衬底的露出到沟槽的部分经历回熔。通过GaN衬底的溶解，沟槽的尺寸增加，以提供大沟槽。GaN层从掩模层的作为起始点的表面生长。

公开(公告)号：CN101339969A

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200810097730.2

申请日：2008-05-23

Applicant: 丰田合成株式会社 ,  财团法人神奈川科学技术研究院

Inventor： 守山实希 ,  五所野尾浩一 ,  一杉太郎 ,  长谷川哲也

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/32 ,  H01L2933/0091

Abstract: 通过向氧化钛层中加入可获得良好电导率范围内的杂质(例如，铌(Nb))改善其折射率。本发明的基于第III族氮化物的化合物半导体发光器件包括蓝宝石衬底、氮化铝(AlN)缓冲层、n－接触层、n－覆层、多量子阱层(发光波长：470nm)、p－覆层和p－接触层。在p－接触层上提供由氧化钛铌制成并具有浮凸的透明电极。在n－接触层上提供电极。在透明电极的一部分上提供电极垫。由于透明电极由含3％铌的氧化钛形成，其对于光(波长：470nm)的折射率变得和p－接触层几乎相同。因此，最大可能地避免p－接触层和透明电极之间界面处的全反射。此外，由于所述浮凸，光提取性能提高了30％。

公开(公告)号：CN101276872A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810084079.5

申请日：2008-03-26

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 五所野尾浩一 ,  守山实希

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/32

Abstract: 一种形成用于第III族氮化物化合物半导体发光器件的电极的方法，该方法包括在第III族氮化物化合物半导体层上形成平均厚度小于1nm的第一电极层的步骤，所述第一电极层由对第III族氮化物化合物半导体层具有高粘合性或与第III族氮化物化合物半导体层具有低接触电阻的材料制成，并且该方法还包括在所述第一电极层上形成由高反射性金属材料制成的第二电极层。

公开(公告)号：CN112680604B

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202011103399.8

申请日：2020-10-15

Applicant: 丰田合成株式会社 ,  国立大学法人北海道大学

Inventor： 守山实希 ,  上田干人 ,  铃木树生 ,  森勇介 ,  今西正幸

IPC: C22B58/00 ,  C22B26/10 ,  C25C1/22 ,  C30B19/04

Abstract: 本发明涉及镓的制造方法、钠的制造方法、氮化镓的制造方法。本发明提供一种能循环再利用Na和Ga的、使用Na助熔剂法的氮化镓的制造方法。从在使用Na助熔剂法来育成GaN结晶结束后残留的Na‑Ga合金中分离并回收Ga。在容器中放入Na‑Ga合金和HTf2N(双(三氟甲烷磺酰)胺)。接下来加热容器，使HTf2N熔解。当HTf2N的熔融液与Na‑Ga合金接触时，HTf2N与Na‑Ga合金发生反应，Na发生溶解，一部分形成NaTf2N，Ga以液体金属的形式分离。接下来，使用在采用Na助熔剂法来育成GaN结晶结束后回收的低纯度Na作为阳极，使用在Ga的分离工序中回收的NaTf2N和另外准备的Tf2N阴离子的非金属盐的混合物作为电解液，通过电解使钠在阴极析出。