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公开(公告)号：CN102447023A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110302936.6
申请日：2011-09-28
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L33/12 , H01L33/20
Abstract: 一种用于生产III族氮化物半导体发光器件的方法，所述III族氮化物半导体发光器件呈现进一步改善的光提取效率，并且抑制凹陷生成。再该生产方法中，n型层、发光层和p型层(每个层均由III族氮化物半导体制成)经由缓冲层顺序沉积在具有c面主表面的织构化蓝宝石衬底上。掩埋层由III族氮化物半导体于较之当n型层沉积在掩埋层上时1000℃至1200℃的温度更低20℃至80℃的温度下形成在缓冲层上，以通过掩埋织构而使掩埋层的顶表面平坦。提供在蓝宝石衬底上的织构可以具有1μm至2μm的深度，并且侧表面倾斜40°至80°。防护层可以由GaN于600℃至1050℃下形成，以覆盖缓冲层的整个顶表面。这抑制缓冲层的传质。由此，可以抑制晶体中的凹陷生成。缓冲层可以由含有Al的III族氮化物半导体形成。
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公开(公告)号：CN119816011A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411410939.5
申请日：2024-10-10
Abstract: 本发明提供能够形成晶体质量良好的III族氮化物半导体的III族氮化物半导体的制造方法。III族氮化物半导体的制造方法具有：氨处理工序，向由蓝宝石构成的基板10的表面供给包含氨的气体；热清洁工序，在氨处理工序之后，在以氢为主的气氛中对基板10的表面进行热处理；氮化处理工序，在热清洁工序之后，向基板10的表面供给包含氨的气体，对基板的表面进行氮化；以及晶核层形成工序，在氮化处理工序之后，在基板上生成GaN、AlGaN或AlN的核11A而形成晶核层11。
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公开(公告)号：CN117476819A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310926977.5
申请日：2023-07-26
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明提供一种发光元件的制造方法，是具备由III族氮化物半导体构成的发光功能部的发光元件的制造方法，能够在PSS上形成透射率和表面的平坦性优异的基底层。作为本发明的一个方式，提供一种发光元件(1)的制造方法，包括：介由由AlN构成的缓冲层11在PSS10上形成由AlN构成的基底层(12)的工序；在基底层(12)上使III族氮化物半导体外延生长而形成包含发光层(132)的发光功能部(13)的工序；在形成基底层(12)的工序中，使原料气体的V/III比为1.0～2.0的范围内，通过MOVPE法使AlN外延生长而形成基底层(12)。
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公开(公告)号：CN110364597A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910163468.5
申请日：2019-03-05
Applicant: 丰田合成株式会社
Inventor： 斋藤义树
Abstract: 本发明提供一种降低用于n电极的接触的热处理温度的垂直型紫外发光元件。图1的发光元件由依次层叠有n层(11)、发光层(12)、p层(13)的由III族氮化物半导体构成的半导体层。在p层(13)上依次设有反射电极(14)、支承基板(15)、p焊盘电极(16)。另外，在n层(11)背面(11a)隔着改善层(17)设有n电极(18)。是一种从n电极(18)侧提取光的垂直型紫外发光元件。改善层(17)由带隙能量比n层(11)小的n型的III族氮化物半导体构成。另外，改善层(17)具有与n电极(18)相同的平面图案。
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公开(公告)号：CN106505133A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610792168.X
申请日：2016-08-31
Applicant: 丰田合成株式会社
Inventor： 斋藤义树
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/02 , H01L33/12 , H01L33/145 , H01L33/0075 , H01L33/325
Abstract: 本发明提供了一种紫外发光器件及其制造方法，其呈现出改进的晶体质量、平坦性以及填充表面奇点的可实现性。该紫外发光器件包括：具有表面奇点的衬底；通过溅射在衬底上形成的AlN缓冲层；未掺杂AlGaN层；n型AlGaN层；发光层；由p型AlGaN制成的电子阻挡层；以及由p型AlGaN制成的p型接触层，所述层中的各个层顺次沉积。未掺杂层的Al组成比是最小的，并且Al组成比按照未掺杂层、n型层、p型接触层和电子阻挡层的顺序增加。因而，整个器件的Al组成比降低。因此，改进了晶体质量或平坦性以及填充衬底上的表面奇点的可实现性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104347769A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410381883.5
申请日：2014-08-05
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明提供了防止驱动电压增加并且整体上具有低穿透位错密度的第III族氮化物半导体发光器件。发光器件包括浮凸衬底。衬底在其主表面上具有以小间距布置有突起的第一区和以大间距布置有突起的第二区。第二区对应于p焊盘电极和n焊盘电极的通过衬底的主表面观察时的投影区域。第一区对应于既没有形成p焊盘电极也没有形成n焊盘电极的区域的通过衬底的主表面观察时的投影区域。
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公开(公告)号：CN101883881A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200980101248.4
申请日：2009-01-27
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L21/0242 , C30B25/18 , C30B29/403 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L33/007
Abstract: 为了制造具有m面主表面和均匀取向的晶轴的III族氮化物系化合物半导体。在蓝宝石衬底的a面主表面中形成具有侧表面的台面，该侧表面具有与c面成45°或更小的倾角。随后，在300-420℃下供应三甲基铝，从而形成具有或更小厚度的铝层。将铝层氮化以形成氮化铝层。通过该程序，在具有a面主表面的蓝宝石衬底中，III族氮化物系化合物半导体仅从具有与c面成45°或更小倾角的台面侧表面外延生长。因此，可形成具有与蓝宝石衬底的主表面平行的m面的III族氮化物系化合物半导体。
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公开(公告)号：CN101853909A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN201010139981.X
申请日：2010-03-30
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 一种III族氮化物化合物半导体发光元件及其制造方法，所述发光元件包括：作为III族氮化物化合物半导体的单晶层的第一层，所述第一层在缓冲层上形成并且包括穿透位错；在第一层上形成的III族氮化物化合物半导体的第二层，所述第二层包括凹坑和平坦部，其中所述凹坑从穿透位错延续，并且具有沿所述第二层的生长方向扩展的与衬底平行的截面；发光层，其包括对应于第二层的平坦部和凹坑的平坦部和凹坑。发光层的凹坑中的铟浓度小于发光层的平坦部中的铟浓度。与其中不存在凹坑的情况相比，其发光光谱宽度得到扩展。
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公开(公告)号：CN113823722B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202110648357.0
申请日：2021-06-10
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明提供具有n型接触层的发光元件及其制造方法，该n型接触层通过费米能级与导带的简并有效地降低了电阻，且由将Si作为掺杂剂的AlGaN构成。作为本发明的一个方式，提供发光元件(1)，其具备费米能级与导带简并的由AlGaN构成的n型接触层(12)、和层叠于n型接触层(12)的由AlGaN构成的发光层(13)，n型接触层(12)的Al成分比发光层(13)的Al成分大10％以上且为70％以下，n型接触层(12)含有发生上述简并的浓度且为4.0×1019cm‑3以下的浓度的Si。
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公开(公告)号：CN118825149A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410467985.2
申请日：2024-04-18
Abstract: 本发明提供高质量的III族氮化物半导体。III族氮化物半导体的制造方法具有：晶核层形成工序，在蓝宝石基板上生成GaN、AlGaN或AlN的核11A而形成晶核层11；低温三维生长层形成工序，在比晶核层形成工序低的温度，从核11A使AlGaN或AlN生长并使相邻的来自核11A的晶体彼此合并，形成低温三维生长层12A；以及高温三维生长层形成工序，在比低温三维生长层形成工序高且为晶核层形成工序的温度以下的温度，从低温三维生长层12A使AlGaN或AlN生长而形成高温三维生长层12B。
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