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公开(公告)号：CN103125028B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180046381.1
申请日：2011-07-12
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/60 , H01L33/38 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L2933/0025
Abstract: 通过在蓝宝石衬底上依次形成SiO2的第一绝缘膜和反射膜来制造样品(A)。通过在蓝宝石衬底上依次形成SiO2的第一绝缘膜、反射膜以及SiO2的第二绝缘膜来制造样品(B)。在两个样品(A)和样品(B)中，在热处理之前和热处理之后，在450nm的波长下测量反射膜的反射率。在600℃下进行三分钟的热处理。如图1所示，在Al具有1？至30？厚度的Al/Ag/Al中、在Al具有20？厚度的Ag/Al中以及在Al具有20？厚度的Al/Ag/Al/Ag/Al中，反射率是95％或更大，其等于或高于Ag的反射率，甚至在热处理之后也是如此。
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公开(公告)号：CN102169940B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201110040295.1
申请日：2011-02-16
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: 公开了一种半导体发光元件，其包括：包括夹在第一和第二导电型层之间的发光层的半导体层叠结构，用于在第二导电型层侧提取来自发光层的发射光；与第二导电型层欧姆接触的透明电极；形成在透明电极上的绝缘层；形成在绝缘层上的用于引线键合的上电极；下电极，其穿透绝缘层，与透明电极和用于引线键合的电极欧姆接触，并且在顶视图中具有比上电极小的面积；以及反射部分，其用于至少反射透过不与下电极接触的透明电极的区域的光的部分。
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公开(公告)号：CN104733570A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410790329.2
申请日：2014-12-17
Applicant: 丰田合成株式会社
Inventor： 户谷真悟
IPC: H01L33/00 , F21V8/00 , G02F1/13357 , H01L33/48 , F21Y105/00
CPC classification number: G02B6/0073 , G02B6/0031 , H01L33/0062 , H01L33/20 , H01L33/48 , H01L33/50
Abstract: 本发明提供了一种包括导光板和发光装置的平面光源以及用于制造在衬底的主表面上具有第III族氮化物半导体层的发光器件的方法。该平面光源包括：导光板以及设置在导光板的侧表面上的发光装置。该发光装置包括发光器件、壳体和密封树脂。该发光器件在俯视图中具有矩形形状，半导体层的长边侧表面为具有倾斜度的倒锥状以使得沿平行于蓝宝石衬底的主表面的方向的横截面面积随着与蓝宝石衬底的距离增加而增大，并且短边侧表面垂直于蓝宝石衬底的主表面。发光器件的短边方向和长边方向分别垂直于和平行于导光板的平面主表面。发光器件的主表面平行于导光板的侧表面。
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公开(公告)号：CN102544258A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110398032.8
申请日：2011-11-30
Abstract: 本发明提供一种发光装置，其在次安装基台上安装有面朝上型的发光元件，不使用引线而高位置精度地进行安装。发光装置由面朝上型的发光元件(1)和次安装基台(2)构成，该面朝上型的发光元件(1)由III族氮化物半导体构成。发光元件(1)具有贯穿孔(17、18)，次安装基台(2)具有2个棒状电极(22)。次安装基台(2)的棒状电极(22)分别插入发光元件(1)的贯穿孔(17、18)中。棒状电极(22)的前端部(22a)从发光元件(1)的n焊盘电极(14)、p焊盘电极(16)的表面凸出，其前端(22a)被压扁并扩展，与发光元件(1)的n焊盘电极(14)、p焊盘电极(16)连接。
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公开(公告)号：CN101312228A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810097739.3
申请日：2008-05-23
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/42 , H01L2933/0091
Abstract: 本发明涉及一种半导体发光元件100及其形成方法，所述半导体发光元件100包括在蓝宝石衬底上依次层叠的缓冲层102、n－型GaN层103、发光层104和p－型层105，并且具有由ITO针状晶体制成的透光电极106。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106972087B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201610832387.6
申请日：2016-09-19
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/08
Abstract: 本发明涉及发光器件，提供了一种在提高响应速度的同时抑制光输出的降低的发光器件。如图1所示，该发光器件包括四个正方形元件区域，所述四个正方形元件区域以二乘二阵列形式布置且元件区域的边对准。发光区域设置在元件区域的中心侧处的拐角附近，并且发光区域位于整个元件区域的中心附近。各个发光区域的平面图案形成为使得p电极和n电极的平面图案未设置在被发光区域夹在中间的区域中。
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公开(公告)号：CN105810782B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201610028252.4
申请日：2016-01-15
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/324 , H01L33/36
Abstract: 本发明提供了一种用于制造半导体器件的方法，所述半导体器件通过减少p接触层与透明电极之间的应变而呈现出提高的发射效率。通过气相沉积或溅射在p型接触层上形成由IZO(掺杂锌的铟氧化物)制成的透明电极。随后，通过间接电阻加热使p型覆层和p型接触层被p型活化，并且使透明电极结晶。在700℃的温度下在较小的压强下进行所述热处理。接下来，在100℃至350℃的温度下通过在氮气气氛中采用频率为5.8GHz的微波照射进行微波加热达三分钟至三十分钟。这减少了透明电极的应变，并且提高了透明电极的导电性或半透明性。
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公开(公告)号：CN106887491A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201610825760.5
申请日：2016-09-14
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明的目的在于实现发光的均匀化且抑制高电流下的光输出降低。p电极(16)以及n电极(17)的一方的平面图案是与各发光区域(101a～d)的圆周或者圆弧的平面图案的内侧对置设置且中心以及中心角与该圆周或者圆弧相同的圆或圆周(发光区域(101a～d)的平面图案为圆周的情况)、或者扇型或圆弧(发光区域(101a～d)的平面图案为圆弧的情况)。另外，p电极(16)以及n电极(17)的另一方的平面图案是与各发光区域(101a～d)的圆周或者圆弧的平面图案的外侧对置设置且中心以及中心角与该圆周或者圆弧相同的圆周(发光区域(101a～d)的平面图案为圆周的情况)、或者圆弧(发光区域(101a～d)的平面图案为圆弧的情况)。
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公开(公告)号：CN105810782A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610028252.4
申请日：2016-01-15
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/324 , H01L33/36
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/32 , H01L2933/0016 , H01L21/324 , H01L33/0075 , H01L33/36
Abstract: 本发明提供了一种用于制造半导体器件的方法，所述半导体器件通过减少p接触层与透明电极之间的应变而呈现出提高的发射效率。通过气相沉积或溅射在p型接触层上形成由IZO(掺杂锌的铟氧化物)制成的透明电极。随后，通过间接电阻加热使p型覆层和p型接触层被p型活化，并且使透明电极结晶。在700℃的温度下在较小的压强下进行所述热处理。接下来，在100℃至350℃的温度下通过在氮气气氛中采用频率为5.8GHz的微波照射进行微波加热达三分钟至三十分钟。这减少了透明电极的应变，并且提高了透明电极的导电性或半透明性。
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公开(公告)号：CN103682026A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310359009.7
申请日：2013-08-16
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明涉及半导体发光元件及其制造方法。制造半导体发光元件的方法包括如下步骤：在衬底的主表面上形成由第III族氮化物基化合物半导体构成的半导体层；在半导体层上形成透明导电金属氧化物膜；在透明导电金属氧化物膜上方形成电极；形成用于覆盖透明导电金属氧化物膜的一部分的掩模层；以及在含氧气氛中对其上形成有掩模层的透明导电金属氧化物膜进行热处理；其中，在热处理步骤中，使透明导电金属氧化物膜的未被掩模层覆盖的剩余部分的氧浓度高于透明导电金属氧化物膜的被掩模层覆盖的部分的氧浓度。
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