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公开(公告)号：CN114373820A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202210029909.4
申请日：2022-01-12
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01L31/072 , H01L31/0392 , H01L31/0445 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于光伏技术领域，特别涉及一种薄膜太阳电池及其制备方法。本发明提供的薄膜太阳电池，包括依次层叠设置的衬底、第一载流子传输层、p型光学吸收层、n型窗口层、铁电膜层、第二载流子传输层和金属栅电极层；所述铁电膜层的材质包括BaTiO3、KNbO3、NaNbO3或BiFeO3。本发明同时利用传统光伏器件的p‑n结内建电场和铁电材料的退极化场，通过p‑n结内建电场、铁电退极化场多物理场耦合增强效应提高光生载流子分离与传输能力，降低复合，增加电池的开路电压，提高薄膜太阳电池的光电转化效率。
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公开(公告)号：CN114351516A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210037028.7
申请日：2022-01-13
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明公开了一种超导磁悬浮轨道结构，涉及超导电磁应用技术领域，包括轨道体和若干永磁体，所述轨道体内设置有至少一条轨道腔体，各所述轨道腔体内均设置有若干所述永磁体，各所述永磁体能够沿所述轨道腔体的长度方向滑动，同一条所述轨道腔体内的各所述永磁体的磁极相同，且各所述永磁体的充磁方向与所述永磁体对应的所述轨道体的表面垂直。本发明解决了现有技术中永磁体轨道安装繁琐困难的缺陷，提供一种更加简单便捷的低成本的结构，实现更轻便和/或可变形的超导磁悬浮轨道结构。
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公开(公告)号：CN111106453B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201911250570.5
申请日：2019-12-09
Applicant: 东部超导科技(苏州)有限公司 , 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明涉及一种第二代高温超导带材的连接方法及超导线，连接方法包括以下步骤：去除保护层：去除第二代高温超导带材的待连接区域的部分区域银层，使剩余银层和裸露出的超导层间隔分布；银层扩散焊：将至少两根经过去除保护层步骤处理的第二代高温超导带材的待连接区域两两搭接形成搭接区域，使彼此的剩余银层重合接触，然后夹住搭接区域，对银层进行扩散焊；超导层熔融扩散焊；以及超导电性恢复。本发明所述方法可以不破坏超导层结构，同时又能提供氧扩散通道，制备的超导接头在液氮温区具备超导特性的同时还具有较高的机械强度，同时剩余银层也可通过电流，使得超导接头还具有一定的失超保护能力。
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公开(公告)号：CN111349902A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN202010371633.9
申请日：2020-05-06
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明提供了一种化学组成为Mg3.2Bi1.5Sb0.5的热电薄膜及其制备方法，属于热电材料技术领域。本发明通过真空磁控溅射的方式制备热电薄膜，所得热电薄膜具有二维空间结构，热导率低；同时薄膜结构能够形成量子禁闭效应，从而提高材料的功率因子。本发明使用c轴取向的LaAlO3单晶作为真空磁控溅射的基底，其与Mg3.2Bi1.5Sb0.5有非常高的晶格匹配度，能够诱导热电薄膜沿c轴方向择优生长，最终所得热电薄膜载流子迁移率大大增加，其热电性能也大幅增加。本发明通过先球磨、再热压的方式制备Mg3.2Bi1.5Sb0.5合金靶，所得合金靶在磁控溅射过程中不易开裂，沉积的薄膜成分非常均匀。
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公开(公告)号：CN109449226B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201811284427.3
申请日：2018-10-31
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/072 , H01L31/18 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种薄膜太阳电池及其制备方法，属于太阳电池领域，包括依次叠层设置的衬底、透明导电薄膜、窗口层、CdTe光学吸收层、量子点缓冲层和导电背电极；所述量子点缓冲层包括SnSe量子点缓冲层或Sb2Se3量子点缓冲层。本发明以SnSe量子点缓冲层或Sb2Se3量子点缓冲层作为量子点缓冲层，由于SnSe量子点或Sb2Se3量子点的能级与CdTe不同，可以吸收CdTe不能吸收的光，从而提升短路电流密度。实施例的实验结果表明，本发明提供的薄膜太阳电池短路电流密度达35.64mA/cm2，此外，本发明提供的薄膜太阳电池结构简单，适宜规模化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111270214A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010223363.7
申请日：2020-03-26
Applicant: 郑州科之诚机床工具有限公司 , 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明提供了一种磁控溅射制备C轴择优取向氮化铝多晶薄膜的方法和氮化铝多晶薄膜，涉及薄膜材料制备技术领域。本发明将半导体材料基片与高纯溅射铝靶相对垂直放置，可大幅提高溅射铝原子团到达基片后平行基片表面迁移运动的能量，有利于氮化铝薄膜C轴择优取向生长，提高薄膜的压电响应及机电耦合系数；本发明在半导体材料基片附近设置热丝，热丝产生的高温辐射对氮化铝薄膜进行快速热处理，能够提高薄膜的结晶程度。因此，本发明提供的方法能够实现较低温度下利用磁控溅射技术生长C轴择优取向氮化铝薄膜，得到的氮化铝薄膜结晶度高，具有较高的压电响应系数及机电耦合系数，能够作为芯片材料在声表面波器件或体声波器件中应用。
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公开(公告)号：CN109449226A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811284427.3
申请日：2018-10-31
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/072 , H01L31/18 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种薄膜太阳电池及其制备方法，属于太阳电池领域，包括依次叠层设置的衬底、透明导电薄膜、窗口层、CdTe光学吸收层、量子点缓冲层和导电背电极；所述量子点缓冲层包括SnSe量子点缓冲层或Sb2Se3量子点缓冲层。本发明以SnSe量子点缓冲层或Sb2Se3量子点缓冲层作为量子点缓冲层，由于SnSe量子点或Sb2Se3量子点的能级与CdTe不同，可以吸收CdTe不能吸收的光，从而提升短路电流密度。实施例的实验结果表明，本发明提供的薄膜太阳电池短路电流密度达35.64mA/cm2，此外，本发明提供的薄膜太阳电池结构简单，适宜规模化生产。
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公开(公告)号：CN107919411A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201710989585.8
申请日：2017-10-20
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01L31/18 , H01L21/368 , C23C18/00
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18 , C23C18/00 , H01L21/02557 , H01L21/02628
Abstract: 一种制备Zn(S,O)多晶薄膜的方法，采取化学水浴沉积法制备。主要采用锌盐，如乙酸锌、硫酸锌等、硫脲、氨水三种物质配成反应液，曲拉通为表面活性剂，反应溶液温度70-90℃，反应时间为20-200min，最后得到所需的Zn(S,O)多晶薄膜。
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公开(公告)号：CN107871936A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710904335.X
申请日：2017-09-29
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 一种第二代高温超导带材接头的制备方法。首先去除第二代高温超导带材的银稳定层，然后采用钇钡铜氧的前驱液涂覆在去除银后的第二代高温超导带材上，两根超导带材的超导层对压后放入管式炉中进行低温热处理，形成无定型的前驱膜并排出有害的残余物质。然后在800～900℃、湿润的氩气和氧气氛围下进行高温热处理，最后进行吸氧处理，制备出具有完全呈超导态的第二代高温超导带材接头。
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公开(公告)号：CN107502861A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710609914.1
申请日：2017-07-25
Applicant: 中国科学院电工研究所
CPC classification number: C23C14/086 , C23C14/35
Abstract: 一种室温下制备AZO透明导电薄膜的方法，将衬底放置在磁控溅射设备的真空腔室内，对该腔室内抽真空。当背底真空到达2×10-3Pa以下，通入Ar，生长AZO多晶薄膜。溅射AZO多晶薄膜的工艺条件为：采用AZO陶瓷靶材，以Ar为溅射气体，采用的电源为射频电源，射频电源功率密度为2.78-3.98W/cm2；溅射压强为0.05-0.15Pa；溅射时间1h；采用的靶基距为110-150mm。
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