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公开(公告)号：CN114566422A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202011358807.4
申请日：2020-11-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/02 , H01L27/108
Abstract: 本发明涉及一种半导体结构及其有源区的制备方法。一种半导体结构中有源区的制备方法，包括：在蚀刻有沟槽的半导体基底上沉积非晶硅，形成从沟槽底部至顶部的非晶硅层；对所述非晶硅层进行原位低温氧化；所述原位低温氧化的温度为600～700℃，氧化气体采用H2与O2以1:2～10的体积比混合而成；在所述原位低温氧化之后再所述沟槽上沉积氧化物层。本发明在沉积非晶硅之后和沉积氧化层之前对非晶硅进行低温氧化，可以避免沉积氧化层时非晶硅残留的问题，从而避免引起的器件缺陷，还省去了沉积氧化层后氧化非晶硅的工序。
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公开(公告)号：CN114563837B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202011364143.2
申请日：2020-11-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明提供的一种透射窗以及退火装置，涉及半导体技术领域，包括：窗本体，所述窗本体为板状，所述窗本体上均匀设置有多个透射区域；其中，至少所述透射区域的内侧面为凹面结构。在上述技术方案中，透射窗上划分出了多个透射区域，且将每个透射区域的结构均制造成凹面结构，当垂直透射的光线经过该透射区域以后，折射为分散的光线，从而能够使垂直光线经过凹面镜以后，在另一侧更加分散的透射出来，进而消除因烘烤灯排布所形成的间距，使烘烤灯经过透射窗透射至晶圆上时，可以对晶圆形成均匀的烘烤，不会造成间距位置无法烘烤的问题。
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公开(公告)号：CN117038440A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202210467779.2
申请日：2022-04-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种栅极氧化层制备方法，包括以下步骤：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成栅极沟槽；在同一设备中进行原子层沉积工艺和自由基氧化工艺以原位方式在所述栅极沟槽的底部及侧壁形成栅极氧化层，简化了工艺步骤，解决了栅极氧化层的界面污染以及厚度变薄的问题。
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公开(公告)号：CN114743972A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110020454.5
申请日：2021-01-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L27/108 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种多晶硅接触薄膜的沉积方法。一种多晶硅接触薄膜的沉积方法，包括：提供一待沉积多晶硅接触薄膜的半导体结构；向所述半导体结构通入氢气进行烘烤，烘烤温度为400～600℃，压力为0.1～10torr；然后在所述半导体结构上沉积多晶硅薄膜。本发明能够高效率地清除衬底上氧化层杂质，避免氧化层杂质对多晶硅接触薄膜电阻的不利影响，实现良好的欧姆接触，提高电性能。
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公开(公告)号：CN114695249A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011580002.4
申请日：2020-12-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/8242
Abstract: 本发明涉及一种接触部、位线、存储节点和DRAM的制造方法。一种接触部的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质层；在所述介质层中形成穿过所述介质层并暴露出所述衬底的一部分的接触孔；在所述接触孔中沉积由Si或SiGe构成的籽晶层，然后沉积掺杂型多晶硅层，并在惰性气氛中进行退火处理以形成接触部。将该方法用于位线、存储节点和DRAM的制造中。本发明通过将硅单晶化有效降低了掺杂硅的电阻，从而广泛应用各类器件的制备中，尤其用于导线的制作中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114672789A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202011558184.5
申请日：2020-12-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/46
Abstract: 本发明公开了一种气相沉淀设备及其晶圆加热载台和加热方法，包括：载台本体、顶针本体以及加热装置；加热装置设置在顶针本体中；载台本体设置有通孔，顶针本体穿过通孔；顶针本体用于承接晶圆并将晶圆放置在载台本体的上表面，其中，加热装置对顶针本体加热，顶针本体与载台本体共同向晶圆传热。本申请通过在顶针本体中加设加热装置，使得加热装置对顶针本体进行加热，顶针本体和载台本体共同对晶圆传热，顶针本体可以减少通孔中损失的热量，或者弥补通孔中损失的热量，进而减轻晶圆在载台本体上受热不均的程度，或避免晶圆在载台本体上出现受热不均的现象，进而可以加快晶圆上表面薄膜的形成速度，增加薄膜的厚度，提高晶圆表面成膜的效率。
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公开(公告)号：CN114334702A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202011061636.9
申请日：2020-09-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本申请涉及半导体衬底的处理装置，具体包括：处理室；衬底支承件；向所述处理室供给处理气体的处理气体供给系统，所述处理气体供给系统包括沿垂直方向延伸的管嘴，且所述管嘴上沿垂直方向上至少开设有两列气体喷嘴。本申请通过开设两列气体喷嘴，可以有效改善气体喷洒的均匀性，从而保证被处理衬底表面都能被处理气体均匀喷洒覆盖，从而保证扩散等衬底处理的效果。
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公开(公告)号：CN114308947A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202011061643.9
申请日：2020-09-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: B08B9/093 , B08B9/08 , C01B33/035
Abstract: 本发明属于多晶硅生产技术领域，具体涉及一种多晶硅生产设备的清洗方法、清洗装置及多晶硅生产设备。本申请中的清洗方法包括以下步骤：排出多晶硅生产设备内的剩余气体，向多晶硅生产设备内通入刻蚀气体，使刻蚀气体与附着在多晶硅生产设备的部分内壁面的硅薄膜相反应，获取部分内壁面的反应温度，根据部分内壁面的反应温度不再变化，确定附着在多晶硅生产设备的部分内壁面的硅薄膜完全清除，停止向多晶硅生产设备内通入刻蚀气体。根据本申请中的多晶硅生产设备的清洗方法，能够有效的将附着在生产设备的内壁面的硅薄膜完全清除，保证多晶硅生产设备工作的可靠性。
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公开(公告)号：CN114203576A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202010992357.8
申请日：2020-09-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种半导体加工设备，包括：加工腔室、液冷装置和液体抽放装置；所述液冷装置和所述液体抽放装置均与所述加工腔室连接；所述加工腔室包括：腔体和盖体；所述液冷装置用于对冷却液进行降温，并在所述腔体与所述盖体盖合时，向所述腔体或/和所述盖体内输送冷却液；所述液体抽放装置用于在需要将所述腔体与所述盖体分离时，将所述加工腔室内的冷却液抽离出所述加工腔室，并将抽离出的冷却液进行储存；所述液体抽放装置还用于在所述腔体与所述盖体分离后且需要将所述腔体与所述盖体盖合时，将储存的冷却液输送至所述加工腔室内。本发明能够保证加工腔室的加工性能。
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公开(公告)号：CN112018076A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010737827.6
申请日：2020-07-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/768 , H01L27/108 , H01L27/11524 , H01L27/11551 , H01L27/1157 , H01L27/11578 , G02F1/1362
Abstract: 本发明涉及一种半导体结构及其制备方法。一种半导体结构，包括半导体基底；位于所述半导体基底上的有源区；与所述有源区连接的至少一个接触孔，所述接触孔包括在所述有源区处的凹槽；所述凹槽内填充有选择性外延生长硅层；在所述接触孔内填充有与所述选择性外延生长硅层连接的多晶硅层。本发明在容易形成空洞的凹槽底部填充了选择性外延生长硅，从而实现100％消除孔洞的目的。
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