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公开(公告)号：CN114695249A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011580002.4
申请日：2020-12-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/8242
Abstract: 本发明涉及一种接触部、位线、存储节点和DRAM的制造方法。一种接触部的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质层；在所述介质层中形成穿过所述介质层并暴露出所述衬底的一部分的接触孔；在所述接触孔中沉积由Si或SiGe构成的籽晶层，然后沉积掺杂型多晶硅层，并在惰性气氛中进行退火处理以形成接触部。将该方法用于位线、存储节点和DRAM的制造中。本发明通过将硅单晶化有效降低了掺杂硅的电阻，从而广泛应用各类器件的制备中，尤其用于导线的制作中。
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公开(公告)号：CN114628333A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011443548.5
申请日：2020-12-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108
Abstract: 一种半导体器件的制备方法，包括以下步骤：提供一半导体衬底，在半导体衬底上形成多个栅极结构，所述栅极结构含有金属材料；将形成有栅极结构的半导体器件置于腔室中，升高腔室内的温度至一预设温度，向腔室中通入反应气体，所述反应气体为氮气，并保持预设时间以完成合金化处理。在合金化处理过程中采用惰性气体，避免活跃气体的使用导致的部分气体渗透到其他膜层使得电容器漏电，从而提高半导体器件的性能。
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公开(公告)号：CN114628246A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011452881.2
申请日：2020-12-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/8242
Abstract: 本发明涉及一种半导体栅极的制备方法。一种半导体栅极的制备方法，包括：在半导体衬底形成栅极沟槽；在所述栅极沟槽的底壁和侧壁上依次形成氧化层、阻挡层，所述阻挡层为氮化钛；然后对所述阻挡层进行等离子处理，所述等离子处理采用的气体源至少含有氨气；之后填充金属栅极。本发明能够去除氮化钛TiN沉积和RTN处理过程中产生的氧、氯等杂质，降低栅极电阻，避免因晶体管温度升高引发的器件不良。
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公开(公告)号：CN114628245A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011444927.6
申请日：2020-12-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/8242
Abstract: 本发明涉及一种半导体结构的制备方法。一种半导体结构的制备方法，包括：提供具有栅极沟槽的半导体衬底；在所述栅极沟槽的底壁和侧壁上依次形成氧化层、阻挡层；然后先进行H2和/或D2气流烘烤后进行快速热氮化处理，或者先进行热氮化处理后进行H2和/或D2气流烘烤；之后填充金属栅极。本发明能够修复因快速热氮化出理引起的氧化层表面损伤，提升器件电性能。
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公开(公告)号：CN111900150B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202010604961.9
申请日：2020-06-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明涉及电容及其制备方法、应用。电容中SiGe膜的沉积方法，包括：先向半导体基底上供应硅烷系气体，再供应SiGe膜所需的前驱体气体，进行沉积。本发明可以避免SiGe晶体应力对下层膜的损伤，减少电流泄露，提高电容量和器件运行速度。
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公开(公告)号：CN114308947A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202011061643.9
申请日：2020-09-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: B08B9/093 , B08B9/08 , C01B33/035
Abstract: 本发明属于多晶硅生产技术领域，具体涉及一种多晶硅生产设备的清洗方法、清洗装置及多晶硅生产设备。本申请中的清洗方法包括以下步骤：排出多晶硅生产设备内的剩余气体，向多晶硅生产设备内通入刻蚀气体，使刻蚀气体与附着在多晶硅生产设备的部分内壁面的硅薄膜相反应，获取部分内壁面的反应温度，根据部分内壁面的反应温度不再变化，确定附着在多晶硅生产设备的部分内壁面的硅薄膜完全清除，停止向多晶硅生产设备内通入刻蚀气体。根据本申请中的多晶硅生产设备的清洗方法，能够有效的将附着在生产设备的内壁面的硅薄膜完全清除，保证多晶硅生产设备工作的可靠性。
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公开(公告)号：CN112018076A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010737827.6
申请日：2020-07-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/768 , H01L27/108 , H01L27/11524 , H01L27/11551 , H01L27/1157 , H01L27/11578 , G02F1/1362
Abstract: 本发明涉及一种半导体结构及其制备方法。一种半导体结构，包括半导体基底；位于所述半导体基底上的有源区；与所述有源区连接的至少一个接触孔，所述接触孔包括在所述有源区处的凹槽；所述凹槽内填充有选择性外延生长硅层；在所述接触孔内填充有与所述选择性外延生长硅层连接的多晶硅层。本发明在容易形成空洞的凹槽底部填充了选择性外延生长硅，从而实现100％消除孔洞的目的。
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公开(公告)号：CN111501016A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010275215.X
申请日：2020-04-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种高均一性的原子层沉积方法及其应用。一种高均一性的原子层沉积方法包括：以含有至少一个环戊二烯基配体的金属有机化合物为前驱体，在载体上进行原子层沉积，形成薄膜。本发明解决了现有技术膜质共形性低的问题。
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公开(公告)号：CN114678307A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202011547659.0
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/316 , H01L21/762
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种晶圆热氧化层的形成方法，包括以下步骤：对晶圆包装拆封；将拆封后的所述晶圆直接地且无污染地方式运送至氧化生长机台上；执行热氧化生长。与现有技术中使用FOUP运载晶圆的方法相比，本申请实施例利用FOSB将晶圆直接运送到氧化生长机台，在此过程中晶圆始终装在FOSB中，并无暴露，进而避免了外界颗粒对晶圆表面造成的污染。同时由于晶圆的表面没有被污染，本实施例还省略了晶圆的清洗的步骤，从而缩短了氧化层的形成时间，提高了效率。
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公开(公告)号：CN114678268A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202011550472.6
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/28 , H01L29/423 , H01L21/8242 , H01L27/108
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种栅叠层结构、栅极、DRAM及其制造方法，包括以下步骤：提供一种半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅叠层结构以及其上的盖层，所述栅叠层结构的中部包括栅金属层；在所述栅金属层的侧壁形成氧化层；对所述栅金属层执行离子注入；对所述栅叠层结构进行热处理。通过对栅金属层进行处理，以在栅金属层的侧壁形成氧化层，避免后续的热处理工艺对栅金属层造成损伤，提高了栅金属层的良率，避免栅极漏电的问题。
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