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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114763878B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202110057327.2
申请日：2021-01-15
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种泄漏检测件、气体管路、制造设备以及管道泄漏检测方法，该泄漏检测件用于检测管道，包括固定部和检测部，固定部用于与管道以可拆卸连接的方式连接，管道中通入气体，检测部设置在固定部上，通过检测部与气体接触的化学反应确定管道发生泄漏。根据发明实施例的泄漏检测件，通过检测部与气体接触时，发生化学反应确定管道泄漏，将微小的变化转变为肉眼可以观察到的变化，弥补了通过压力检测的方式检测范围有限的缺点，响应时间短，灵敏度高，检测成本低。确定管道出现泄漏后，对管道进行及时的维修，使气体能够完全被导入反应室中并在工件表面发生反应，进而保证集成电路产品的生产过程和品质。
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公开(公告)号：CN114678360A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202011553616.3
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 本发明提供的一种掩埋沟道阵列晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域，包括衬底，衬底上包括栅沟槽；栅介质层位于栅沟槽的内壁上；功函数层位于栅沟槽的下部且位于栅介质层的表面上；栅电极层位于栅沟槽的下部，并且栅电极的顶面低于功函数的顶面；盖层位于栅沟槽中且位于栅电极层上。在上述技术方案中，在该掩埋沟道阵列晶体管中，功函数层在沟槽深度方向的高度大于栅电极层的高度，因此可以有效的改善栅极诱导漏极泄漏电流的增加，改善动态随机存储器的刷新特性。
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公开(公告)号：CN116845088A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310896473.3
申请日：2023-07-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法和低温ISSG工艺的应用，属于半导体技术领域，解决了垂直型3D全环绕栅极晶体管中的纳米片边缘的尖角易引发高电场带来栅电压击穿的问题。该方法包括：在后栅工艺中释放纳米片结构后，采用低温ISSG工艺将纳米片边缘的尖角修饰为圆角。本发明在不影响源极和漏极的情况下，采用低温ISSG工艺将纳米片的尖角修饰为圆角，避免尖角高电场引起栅电压击穿问题。
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公开(公告)号：CN111912216A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010588877.2
申请日：2020-06-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: F26B21/00
Abstract: 本发明公开了一种干燥机构及具有其的石英管清洗装置，该干燥机构包括供气模块、承托模块和喷射模块，供气模块内清洗有吹扫气体，承托模块用于承托待干燥石英管，喷射模块与承托模块配合且与供气模块连通，喷射模块上设有喷射孔组，喷射模块为可伸缩结构，至少部分喷射模块能够伸入到待干燥石英管的内部，以使吹扫气体对待干燥石英管的内表面进行干燥。由于喷射模块为可伸缩结构且能够进入到待干燥石英管的内部，使得吹扫气体能够充分与待干燥石英管的内壁接触，从而提高了待干燥石英管的吹扫干燥的速度，进而提高了石英管的处理效率，降低了制造的成本。
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公开(公告)号：CN111900150A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010604961.9
申请日：2020-06-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明涉及电容及其制备方法、应用。电容中SiGe膜的沉积方法，包括：先向半导体基底上供应硅烷系气体，再供应SiGe膜所需的前驱体气体，进行沉积。本发明可以避免SiGe晶体应力对下层膜的损伤，减少电流泄露，提高电容量和器件运行速度。
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