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公开(公告)号：CN104867997A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510169684.2
申请日：2015-04-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/04 , H01L31/0256 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/04 , H01L31/0256 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种叠层太阳能电池及其制备方法，该叠层太阳能电池包括：硅太阳能电池；在该硅太阳能电池上表面形成的高带隙光电转换材料；和/或在该硅太阳能电池下表面形成的低带隙光电转换材料。本发明针对硅太阳能电池性能难以大幅度提高的问题，添加额外的吸收层，即在硅基太阳能电池的正面和/或背面增加高能量光电转换材料和低能量光电转换材料，实现叠层多结硅基太阳能电池，以达到大幅提高硅基太阳能电池转换效率的目的，同时又不增加过多基础设施的投资，实现了低投入的高效太阳能电池制造能力。
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公开(公告)号：CN104485367A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410785507.2
申请日：2014-12-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0236 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/0236 , B82Y20/00 , H01L31/20
Abstract: 一种改善HTT太阳能电池性能的微纳结构，包括：一衬底；一倒金字塔结构，该倒金字塔结构是在衬底正面腐蚀形成的；一纳米线结构，该纳米线结构是在倒金字塔结构上腐蚀形成的；一绝缘层，该绝缘层制作在倒金字塔结构上，并覆盖纳米线结构；一本征非晶硅层，其制作在衬底的背面；一掺杂非晶硅层，其制作在本征非晶硅层上；多个电极层，其制作在掺杂非晶硅层上。本发明可以减少光的反射，从而改善光吸收，提高转化效率，适用于制备高效的HIT太阳能电池。
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公开(公告)号：CN106952856B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201710063306.5
申请日：2017-01-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/683 , H01L33/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种氮化物纳米带的制备方法，包括：刻蚀硅衬底，得到图形化硅衬底；在图形化硅衬底的壁面上生长氮化物外延层；对粘连在一起的图形化硅衬底与氮化物外延层结构，进行腐蚀去除图形化硅衬底，得到氮化物纳米带。本发明对Si衬底的晶向没有苛刻的要求，在Si(100)和Si(111)衬底上皆可进行降低生产成本，采用图形化衬底生长氮化物，生长氮化物的尺寸可控。
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公开(公告)号：CN106935852A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710248369.8
申请日：2017-04-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01M4/58 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M4/58 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供了一种Si掺杂氮化镓/金属负极电池材料及其制备方法、锂电池。上述Si掺杂氮化镓/金属负极电池材料包括：金属衬底；以及形成于金属衬底上方的Si掺杂氮化镓薄膜，具有疏松多孔结构，为晶态与非晶态的混合态。Si掺杂氮化镓/金属负极电池材料的比表面积较大，并且Si3N4四面体结构及Si3N4四面体与Ga原子构成的稳定的开放性三维框架结构，在增强锂离子输运效率的同时也避免了在锂离子嵌入脱出过程中因结构坍塌导致的电化学活性降低问题，具有较高的储锂容量和稳定的循环特性，为发展高性能锂电池提供了新的选择。
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公开(公告)号：CN105870287A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610374754.2
申请日：2016-05-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/502
Abstract: 一种GaN基白光LED，包括：一衬底；一缓冲层，其制作在衬底的上面；一n?GaN层，其制作在缓冲层的上面，其上面的一侧形成一台面；一蓝光多量子阱层，其制作在n?GaN层台面另一侧的上面；一p?GaN层，其制作在蓝光多量子阱层的上面；一透明导电层，其制作在p?GaN层的上面；一上电极阵列，其制作在透明导电层的上面；一下电极，其制作在n?GaN层的台面上；一钙钛矿层，其制作在透明导电层上，位于上电极阵列空隙处。本发明是GaN基白光LED将成熟的GaN基LED技术与新型的钙钛矿材料结合，制造出低成本、高效的白光LED。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105552230A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610110998.X
申请日：2016-02-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L51/42
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/4213
Abstract: 一种基于钙钛矿单晶衬底的太阳电池，包括：一钙钛矿单晶衬底；一空穴传输层，其制作在钙钛矿单晶衬底的下面；一下电极，其制作在空穴传输层的下面；一空穴阻挡层，其制作在钙钛矿单晶衬底上；一上电极，其制作在空穴阻挡层上。本发明的太阳能电池对300-800nm的光有超过90％的吸收率，单晶的钙钛矿层能够减少复合中心，提高太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN105552187A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510940416.6
申请日：2015-12-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/12 , B82Y40/00 , H01L33/0075
Abstract: 一种采用GaN纳米图形衬底同质外延制备GaN薄膜及方法，其中采用GaN纳米图形衬底同质外延制备GaN薄膜，包括：一衬底材料层；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底材料层上；一GaN薄膜层，其制作在缓冲层上；一纳米尺寸同质外延层，其制作在GaN薄膜层上表面内；一GaN层，其制作在纳米尺寸同质外延层上。本发明可以提高氮化镓外延薄膜的质量。
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公开(公告)号：CN105405979A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510881246.9
申请日：2015-12-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/42 , H01L51/0032
Abstract: 一种有机无机杂化钙钛矿单晶的制备方法，包括以下步骤：步骤1：将原料A及原料B进行混合，溶解于溶剂C中形成前驱溶液；步骤2：将配好的前驱溶液用聚四氟乙烯过滤器过滤，然后装入容器中，并密封；步骤3：将装有前驱溶液的密封容器加温至一预定温度；步骤4：待前驱溶液中有晶体析出，间隔一预定的时间，并逐步提高温度，随着温度逐渐提高，晶体逐渐长大；步骤5：待晶体长到适当尺寸后从密封容器中取出，完成制备。本发明具有实现低成本、快速制备有机无机杂化钙钛矿单晶的优点。
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公开(公告)号：CN117293559A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311458848.4
申请日：2023-11-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种太赫兹超表面吸收器及其器件和应用，属于吸波体技术领域。太赫兹超表面吸收器从顶部至下依次包括第一介质层、相变结构层、第二介质层以及金属层；相变结构层由遗传算法模型随机生成的离散贴片组成，用于在电磁波入射的情况下，对电磁波进行吸收；第一介质层和第二介质层之间形成法布里珀罗谐振腔，用于进一步吸收电磁波；金属层用于对电磁波进行全反射。本发明提供的太赫兹超表面吸收器具有超宽带的吸收效果和可调谐的功能，在隐身、能量收集和光电设备领域中具有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN106935852B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201710248369.8
申请日：2017-04-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01M4/58 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供了一种Si掺杂氮化镓/金属负极电池材料及其制备方法、锂电池。上述Si掺杂氮化镓/金属负极电池材料包括：金属衬底；以及形成于金属衬底上方的Si掺杂氮化镓薄膜，具有疏松多孔结构，为晶态与非晶态的混合态。Si掺杂氮化镓/金属负极电池材料的比表面积较大，并且Si3N4四面体结构及Si3N4四面体与Ga原子构成的稳定的开放性三维框架结构，在增强锂离子输运效率的同时也避免了在锂离子嵌入脱出过程中因结构坍塌导致的电化学活性降低问题，具有较高的储锂容量和稳定的循环特性，为发展高性能锂电池提供了新的选择。
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