一种可实现自旋动态存储的器件

    公开(公告)号:CN101916587B

    公开(公告)日:2011-08-17

    申请号:CN200910237089.2

    申请日:2009-11-04

    CPC classification number: G11C11/161

    Abstract: 本发明公开了一种可实现自旋动态存储的器件,该器件包括从下到上依次生长的衬底(10)、缓冲层(20)和微腔结构(30),且该微腔结构(30)包括从下到上依次生长的下反射镜(31)、有源区(32)和上反射镜(33),该有源区(32)是由交替生长的镓氮砷(321)和砷化镓(322)构成。本发明通过将室温下具有长弛豫时间的镓氮砷材料置入微腔中作为有源区,利用微腔具有的强耦合机制,有效放大镓氮砷材料中电子的弛豫时间,为实现自旋的动态存储以及量子计算机的实现打下坚实的基础。

    一种可调整测量几何的磁光圆偏振二向色性测量系统

    公开(公告)号:CN101196559A

    公开(公告)日:2008-06-11

    申请号:CN200610164886.9

    申请日:2006-12-07

    Abstract: 一种可调整测量几何的磁光圆偏振二向色性测量系统,其结构为:一飞秒激光器激发超连续光谱白光,通过一单色仪进行分光,成为波长可以调节的单色光,该单色光通过一个消光系数为10-5的格兰-泰勒棱镜纯化偏振;一光弹调制器,其光轴与格兰-泰勒棱镜的光轴成45°角,使光成为左旋和右旋交替变化的圆偏振光;一样品,放在低温磁体的中心;圆偏振光聚焦到样品上,从样品反射回来的反射光聚焦到第一光二极管探测器上;一锁相放大器,其参考信号由光弹调制器的控制器提供,用于测左旋和右旋圆偏振光的光强差。本发明不仅可以测量材料的磁光圆偏振二向色性的频谱、磁场强度和温度依赖性,还可以测量磁性半导体的磁晶各向异性。

    显微拉曼谱仪与近红外光谱仪的联合测试系统

    公开(公告)号:CN101059439A

    公开(公告)日:2007-10-24

    申请号:CN200610011750.4

    申请日:2006-04-19

    Abstract: 一种显微拉曼谱仪与近红外光谱仪的联合测试系统,包括:可见光显微拉曼光谱仪,该谱仪包括了样品平台和工作在可见光范围的探测器;反射镜位于可见光显微拉曼光谱仪的光路上;透镜位于反射镜折射的光路上;三维调节架位于透镜的光路上;多模石英光纤的一端固定在三维调节架上;近红外光谱仪与多模石英光纤的另一端连接。反射镜将从可见光显微拉曼光谱仪样品平台上样品发出的荧光信号偏离原方向,荧光信号经过透镜会聚后准确地入射到位置由三维调节架精密地调整的多模石英光纤内芯,多模石英光纤随之将信号传输到近红外光谱仪进行荧光光谱测量。

    可改变工作波长且无光线偏移的滤光器及其使用方法

    公开(公告)号:CN101206312B

    公开(公告)日:2011-04-13

    申请号:CN200610165536.4

    申请日:2006-12-21

    Abstract: 一种可改变工作波长且无光线偏移的滤光器,包括:一底板;一第一旋转台安装在底板上面一侧的上方;一第二旋转台安装在底板上面另一侧的上方;第一晶片固定器固定在第一旋转台上中央位置;一第二晶片固定器固定在第二旋转台上中央位置;一薄膜干涉滤光片安装在第一晶片固定器上;一光学晶片组安装在第二晶片固定器上;一丝轴基座固定在底板上中间的上端;一丝轴的一端安装在丝轴基座上;一滑块安装在丝轴上,其上部还带有可以滑轨配合的凸状卡头;一步进电机安装在底板中间的下端,与丝轴的另一端连接;一第一杆件的一端固定于第一旋转台上;一第二杆件的一端固定于第二旋转台上。

    一种可实现自旋动态存储的器件

    公开(公告)号:CN101916587A

    公开(公告)日:2010-12-15

    申请号:CN200910237089.2

    申请日:2009-11-04

    CPC classification number: G11C11/161

    Abstract: 本发明公开了一种可实现自旋动态存储的器件,该器件包括从下到上依次生长的衬底(10)、缓冲层(20)和微腔结构(30),且该微腔结构(30)包括从下到上依次生长的下反射镜(31)、有源区(32)和上反射镜(33),该有源区(32)是由交替生长的镓氮砷(321)和砷化镓(322)构成。本发明通过将室温下具有长弛豫时间的镓氮砷材料置入微腔中作为有源区,利用微腔具有的强耦合机制,有效放大镓氮砷材料中电子的弛豫时间,为实现自旋的动态存储以及量子计算机的实现打下坚实的基础。

    一种谐振腔增强探测器腔模的控制方法

    公开(公告)号:CN101471396A

    公开(公告)日:2009-07-01

    申请号:CN200710304257.6

    申请日:2007-12-26

    CPC classification number: H01J23/20 G01N21/65

    Abstract: 本发明一种谐振腔增强探测器腔模的控制方法,包括:1)设计谐振腔增强探测器的腔模,初始设置探测器每一个结构层的厚度,由分子束外延设备生长样品;2)采用显微拉曼光谱仪测量样品的反射谱,得到高反带的中心位置以及样品实际腔模位置;3)运用模拟程序,计算出与实际样品高反带完全对应的砷化镓层的厚度,砷化铝层的厚度以及与实际腔模完全对应所要求的腔体的厚度;4)根据步骤3)所得数据对第一次生长样品高反带的砷化镓层厚度、砷化铝层厚度以及腔体厚度进行校正,并对分子束外延设生长样品的时间参数进行校正,生长出新样品。5)采用显微拉曼光谱仪测量新样品反射谱。

    扩展截止滤光片工作波长的结构及其使用方法

    公开(公告)号:CN1959446A

    公开(公告)日:2007-05-09

    申请号:CN200510115446.X

    申请日:2005-11-03

    Abstract: 本发明涉及光谱分析技术领域,一种扩展截止滤光片工作波长的结构及其使用方法,该结构包括底板、截止滤光片、光学晶片组、晶片固定器和转动装置。将转动装置安放在底板上,用晶片固定器固定截止滤光片和与之匹配的光学晶片组,并将它们安装在设计的转动装置上,通过转动装置改变截止滤光片和光学晶片组的角度,可以在很宽范围内扩展截止滤光片的工作波长。

Patent Agency Ranking