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公开(公告)号：CN101446620A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200710178326.3
申请日：2007-11-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明是一套基于电池的半导体交流微分电导扫描测量系统：利用电池对放大器上跨导电容的充电原理，对样品施加直流偏压，使样品处于不同的直流偏置下，同时利用锁相内部交流输出信号加于样品上；测量样品在不同直流偏压下，对于输入的交流信号的响应，得出样品的动态电阻，即微分电导。因为半导体样品是非线性元器件，所以微分电导会有不同的频率响应；调节锁相的工作方式为2F，同时可以读出样品在不同直流偏置下样品电导的导数随偏压的变化关系。
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公开(公告)号：CN101764152B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200810240933.2
申请日：2008-12-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种调制掺杂增强型高电子迁移率晶体管结构，该增强型高电子迁移率晶体管结构由下至上依次包括：衬底、GaAs/AlAs超晶格层、GaAs量子阱层、Al0.3Ga0.7As层、AlxGa1-xAs层(x线性从0.3减至0.1)、Al0.1Ga0.9As层、GaAs层、源漏电极以及栅电极。本发明还公开了一种增强型高电子迁移率晶体管的制作方法。利用本发明，降低了HEMT器件的功耗，简化了制作工艺，降低了制作成本。
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公开(公告)号：CN101764152A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200810240933.2
申请日：2008-12-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种调制掺杂增强型高电子迁移率晶体管结构，该增强型高电子迁移率晶体管结构由下至上依次包括：衬底、GaAs/AlAs超晶格层、GaAs量子阱层、Al0.3Ga0.7As层、AlxGa1-xAs层(x线性从0.3减至0.1)、Al0.1Ga0.9As层、GaAs层、源漏电极以及栅电极。本发明还公开了一种增强型高电子迁移率晶体管的制作方法。利用本发明，降低了HEMT器件的功耗，简化了制作工艺，降低了制作成本。
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公开(公告)号：CN101471396A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200710304257.6
申请日：2007-12-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明一种谐振腔增强探测器腔模的控制方法，包括：1)设计谐振腔增强探测器的腔模，初始设置探测器每一个结构层的厚度，由分子束外延设备生长样品；2)采用显微拉曼光谱仪测量样品的反射谱，得到高反带的中心位置以及样品实际腔模位置；3)运用模拟程序，计算出与实际样品高反带完全对应的砷化镓层的厚度，砷化铝层的厚度以及与实际腔模完全对应所要求的腔体的厚度；4)根据步骤3)所得数据对第一次生长样品高反带的砷化镓层厚度、砷化铝层厚度以及腔体厚度进行校正，并对分子束外延设生长样品的时间参数进行校正，生长出新样品。5)采用显微拉曼光谱仪测量新样品反射谱。
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公开(公告)号：CN101673675B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200810119798.6
申请日：2008-09-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/28
Abstract: 一种在本征砷化镓表面温度77k以下实现欧姆接触的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：在制备好的GaAs基片上进行涂胶、均胶、前烘、光刻、显影；步骤2：将显影后的GaAs基片置入氧离子轰击炉中，对基片轰击；步骤3：将轰击后的基片浸入semico-clean-23溶液，时间2分钟；步骤4：用去离子水冲洗基片，并用温氮气吹干；步骤5：再将基片浸入1：1的盐酸溶液中5秒后，用去离子水冲洗基片，并用温氮气吹干；步骤6：将基片放入金属蒸发炉内，并立即对蒸发炉系统开始抽真空，在基片上淀积金属；步骤7：将基片从金属蒸发炉中取出，用丙酮进行剥离，经乙醇、去离子水清洗后，用温氮气吹干；步骤8：将淀积完金属的基片退火，完成制作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101673675A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200810119798.6
申请日：2008-09-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/28
Abstract: 一种在本征砷化镓表面温度77K以下实现欧姆接触的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：在制备好的GaAs基片上进行涂胶、均胶、前烘、光刻、显影；步骤2：将显影后的GaAs基片置入氧离子轰击炉中，对基片轰击；步骤3：将轰击后的基片浸入semico-clean-23溶液，时间2分钟；步骤4：用去离子水冲洗基片，并用温氮气吹干；步骤5：再将基片浸入1∶1的盐酸溶液中5秒后，用去离子水冲洗基片，并用温氮气吹干；步骤6：将基片放入金属蒸发炉内，并立即对蒸发炉系统开始抽真空，在基片上淀积金属；步骤7：将基片从金属蒸发炉中取出，用丙酮进行剥离，经乙醇、去离子水清洗后，用温氮气吹干；步骤8：将淀积完金属的基片退火，完成制作。
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公开(公告)号：CN101562213A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200810104244.9
申请日：2008-04-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/111
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种光学自旋注入的方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底，在该衬底上生长缓冲层，缓冲层用于平滑衬底，使得后面生长的外延结构完整性好；步骤2：在缓冲层上生长有源层，有源层用来操控自旋极化的电子；步骤3：在有源层上生长共振隧穿结构，起到自旋滤波的作用；步骤4：在共振隧穿结构上生长光吸收层，用来产生自旋极化的电子；步骤5：在光吸收层上生长电子阻挡层，用来阻挡避免非自旋极化的电子；步骤6：在电子阻挡层上生长重掺杂层，用于做欧姆接触。
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公开(公告)号：CN101446620B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200710178326.3
申请日：2007-11-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明是一套基于电池的半导体交流微分电导扫描测量系统：利用电池对放大器上跨导电容的充电原理，对样品施加直流偏压，使样品处于不同的直流偏置下，同时利用锁相内部交流输出信号加于样品上；测量样品在不同直流偏压下，对于输入的交流信号的响应，得出样品的动态电阻，即微分电导。因为半导体样品是非线性元器件，所以微分电导会有不同的频率响应；调节锁相的工作方式为2F，同时可以读出样品在不同直流偏置下样品电导的导数随偏压的变化关系。
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公开(公告)号：CN101562213B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200810104244.9
申请日：2008-04-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/111
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种光学自旋注入的方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底，在该衬底上生长缓冲层，缓冲层用于平滑衬底，使得后面生长的外延结构完整性好；步骤2：在缓冲层上生长有源层，有源层用来操控自旋极化的电子；步骤3：在有源层上生长共振隧穿结构，起到自旋滤波的作用；步骤4：在共振隧穿结构上生长光吸收层，用来产生自旋极化的电子；步骤5：在光吸收层上生长电子阻挡层，用来阻挡避免非自旋极化的电子；步骤6：在电子阻挡层上生长重掺杂层，用于做欧姆接触。
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公开(公告)号：CN101471396B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200710304257.6
申请日：2007-12-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明一种谐振腔增强探测器腔的控制方法，包括：1)设计谐振腔增强探测器的腔模，初始设置探测器每一个结构层的厚度，由分子束外延设备生长样品；2)采用显微拉曼光谱仪测量样品的反射谱，得到高反带的中心位置以及样品实际腔模位置；3)运用模拟程序，计算出与实际样品高反带完全对应的砷化镓层的厚度，砷化铝层的厚度以及与实际腔模完全对应所要求的腔体的厚度；4)根据步骤3)所得数据对第一次生长样品高反带的砷化镓层厚度、砷化铝层厚度以及腔体厚度进行校正，并对分子束外延设生长样品的时间参数进行校正，生长出新样品；5)采用显微拉曼光谱仪测量新样品反射谱。
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