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公开(公告)号：CN100357487C
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200410098995.6
申请日：2004-12-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/00 , C23C16/455
Abstract: 本发明设计涉及到半导体设备制造技术领域，特别是涉及金属有机物化学气相淀积(MOCVD)设备中的多层流反应室结构。该结构有多层气流，包括至少一层原材料气流层，一层隔离气流层，或/和反应室天棚的控温装置。原材料气流层紧贴着衬底，其中原材料通过扩散等机制迁移到衬底表面参与材料生长。隔离气流层夹在原材料气流层和反应室天棚之间，减少原材料与反应室天棚之间的接触和淀积。另外，反应室天棚的控温装置，控制反应室天棚的温度，提高了隔离气流层的隔离效果。本发明减少了原材料在反应室天棚上的淀积，提高原料的使用效率和衬底上生长晶体的质量。
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公开(公告)号：CN1964081A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200510086844.3
申请日：2005-11-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种氧化锌基的蓝光发光二极管，包括：一衬底，该衬底为圆形；一缓冲层制作在衬底上，该缓冲层有利于提高材料的外延生长质量；一n－氧化锌层制作在缓冲层上，在该n－氧化锌层的边缘刻蚀出环形台阶，该n－氧化锌层有利于作出环形金/钛电极；一i－氧化锌有源层制作在n－氧化锌层上，该i－氧化锌有源层的主要作用是电子空穴复合；一p－氧化锌层制作在i－氧化锌层上，该p－氧化锌层提供注入的空穴；一金/镍层制作在p－氧化锌层上，该金/镍层有利于注入电流的扩散；一金/镍电极制作在金/镍层上，该金/镍电极提供与导线的接触；一环形金/钛电极制作在n－氧化锌层的环形台阶上。
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公开(公告)号：CN1796598A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200410101886.5
申请日：2004-12-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/00
Abstract: 对于金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备，特别是生产型金属有机物化学气相沉积设备，在生长完材料后烘烤石墨基座的过程中，反应室内沉积物特别是石墨基座上的沉积物受热蒸发上升，上升到反应室天棚时，由于温度差石墨沉积物会受冷再次沉积在天棚上。这些天棚上的沉积物造成降低外延片质量，延长金属有机物化学气相沉积设备所需清洗和停机时间，以及浪费原材料等一系列不利影响。本发明提供一种反烘烤沉积结构，可以有效的避免由于烘烤石墨基座所造成的反应室天棚沉积。本发明减少了原材料在反应室天棚上的淀积，降低了原材料的损耗，并减少设备的停机时间，提高设备的使用效率。
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公开(公告)号：CN1448536A
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN02108158.1
申请日：2002-03-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Inventor： 刘祥林
IPC: C23C16/455 , C30B25/14
Abstract: 本发明一种化学原料新型配送系统，包括，原料瓶、压强控制器、流量控制器，其中：该原料瓶的入口通过管道与压强控制器的一端连结，且该管道伸入到原料瓶的底部；该压强控制器的另一端通过管道与载气加入端相连接；该原料瓶的出口通过管道与多个流量控制器的一端连接，且该管道伸入到原料瓶的内的上部；该流量控制器的另一端分别接有管道，且分别是原料出口，该原料出口分别接入材料生长室。
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公开(公告)号：CN1361554A
公开(公告)日：2002-07-31
申请号：CN00136136.8
申请日：2000-12-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种铟镓氮薄膜的快速填埋生长方法,其是在氮化镓/蓝宝石复合衬底上、或在其它形式的氮化镓基化合物复合衬底上,用快速填埋方法生长铟镓氮薄膜,其特征在于,快速填埋方法是:采用较大的有机源流量将铟埋入正在生长的氮化镓薄膜中,以阻止铟的聚集和逃逸,并形成铟组份调制的量子点;同时通过生长温度、有机源流量和环境气氛来控制铟镓氮组份比例。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118727136A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202411114498.4
申请日：2024-08-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中科镓(深圳)半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种氮化镓单晶片的制备方法，可应用于半导体技术领域。该方法包括：准备硅单晶衬底；采用脉冲磁控溅射工艺在硅单晶衬底上制备第一外延层；采用原位退火工艺将第一外延层中的锌组分完全热分解析出，得到第二外延层；采用脉冲磁控溅射工艺在第二外延层上外延生长氮化镓单晶薄膜模板层；按第一预设降温速率降低温度至室温；采用气相外延工艺，在氮化镓单晶薄膜模板层上生长氮化镓单晶厚膜外延层；按第二预设降温速率降低温度至室温；以及将氮化镓单晶厚膜外延层与其他部分剥离，并加工氮化镓单晶厚膜外延层得到氮化镓单晶片。本发明还提供了一种氮化镓单晶片及其应用。
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公开(公告)号：CN118064978A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410226705.9
申请日：2024-02-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种Si(111)衬底MOCVD制备ZrN(100)单一取向氮化锆薄膜方法，包括：将Si(111)衬底置入MOCVD设备的反应腔室中，在第一预设条件下烘烤Si(111)衬底，去除Si(111)衬底的表面氧化层和杂质；在第二预设条件下，在Si(111)上制备氮化锆成核层；在第四预设条件下，向反应腔室中通入载气携带的四(甲乙氨基)锆源料和氨气源料，在氮化锆成核层上制备氮化锆薄膜；按照预设降温速率使反应腔室内部降至室温，得到氮化锆薄膜膜层。本发明能够通过调控反应室压强、衬底加热温度、源料气体流量等MOCVD工艺参数，在Si(111)衬底上实现ZrN(100)单一择优取向、低残余应力、低电阻率且表面平整的高质量氮化锆薄膜制备。
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公开(公告)号：CN104993012B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201510270779.3
申请日：2015-05-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种大尺寸非极性A面GaN自支撑衬底的制备方法，属于光电子器件的制备领域。本发明区别于现有技术的核心是：在衬底外延生长表面上形成一掩膜层，通过光刻和刻蚀工艺使掩膜层形成图形结构，随后生长非极性A面GaN厚膜，通过GaN横向合并或者腐蚀去除掩膜层在GaN厚膜底部形成孔洞结构，然后采用腐蚀方法将GaN厚膜与衬底进行剥离，进而得到非极性A面GaN自支撑衬底。本发明容易制备大尺寸的A面GaN衬底，将A面GaN厚膜与衬底剥离的过程中，不需要复杂昂贵的激光剥离设备，其工艺简单且成本较低，易于实现大规模生产使用。
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公开(公告)号：CN102839417B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201210325765.3
申请日：2012-09-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法，利用MOCVD设备在r面蓝宝石衬底上以InGaN插入层和GaN低温缓冲层作为弱键合层生长a面氮化镓的自剥离薄膜，具体包括：取一蓝宝石衬底；在MOCVD设备中通入氨气，对蓝宝石衬底进行氮化，在其上生成一层氮化层；在MOCVD设备中利用载气通入铟源、镓源和氨气，使得在氮化层上得到InGaN层；在MOCVD设备中利用载气通入镓源和氨气，生长一层低温GaN缓冲层；在MOCVD设备中利用载气通入镓源和氨气，生长氮化镓外延层。本发明以InGaN插入层和低温GaN缓冲层做弱键合层，可以得到高结晶质量的自剥离GaN薄膜。
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公开(公告)号：CN104878450A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510245599.X
申请日：2015-05-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种AlN单晶衬底生产设备及其使用方法，其主体是一耐高温坩埚，坩埚分为两个部分：晶体生长室和原料室。晶体生长室侧壁有一氨气或氮气或二者混合气体的气管，与之相对位置有一气体出口；衬底固定于反应室的顶部；原料室底部有一载气气管，原料放置于原料室的底部；生长室和原料室之间由一带孔挡板隔开。坩埚可以由放置于其周围的加热器进行加热，也可以通过坩埚自身直接进行加热。本发明采用大尺寸廉价蓝宝石衬底作为AlN晶体生长的籽晶，解决了PVT设备籽晶昂贵的问题；此外，本设备相比于卤化物气相外延(HVPE)设备而言，生长温度更高，更接近AlN晶体的平衡生长温度，所生长的晶体质量更高。
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