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公开(公告)号：CN118727136A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202411114498.4
申请日：2024-08-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中科镓(深圳)半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种氮化镓单晶片的制备方法，可应用于半导体技术领域。该方法包括：准备硅单晶衬底；采用脉冲磁控溅射工艺在硅单晶衬底上制备第一外延层；采用原位退火工艺将第一外延层中的锌组分完全热分解析出，得到第二外延层；采用脉冲磁控溅射工艺在第二外延层上外延生长氮化镓单晶薄膜模板层；按第一预设降温速率降低温度至室温；采用气相外延工艺，在氮化镓单晶薄膜模板层上生长氮化镓单晶厚膜外延层；按第二预设降温速率降低温度至室温；以及将氮化镓单晶厚膜外延层与其他部分剥离，并加工氮化镓单晶厚膜外延层得到氮化镓单晶片。本发明还提供了一种氮化镓单晶片及其应用。
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公开(公告)号：CN118064978A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410226705.9
申请日：2024-02-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种Si(111)衬底MOCVD制备ZrN(100)单一取向氮化锆薄膜方法，包括：将Si(111)衬底置入MOCVD设备的反应腔室中，在第一预设条件下烘烤Si(111)衬底，去除Si(111)衬底的表面氧化层和杂质；在第二预设条件下，在Si(111)上制备氮化锆成核层；在第四预设条件下，向反应腔室中通入载气携带的四(甲乙氨基)锆源料和氨气源料，在氮化锆成核层上制备氮化锆薄膜；按照预设降温速率使反应腔室内部降至室温，得到氮化锆薄膜膜层。本发明能够通过调控反应室压强、衬底加热温度、源料气体流量等MOCVD工艺参数，在Si(111)衬底上实现ZrN(100)单一择优取向、低残余应力、低电阻率且表面平整的高质量氮化锆薄膜制备。
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公开(公告)号：CN118727136B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411114498.4
申请日：2024-08-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中科镓(深圳)半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种氮化镓单晶片的制备方法，可应用于半导体技术领域。该方法包括：准备硅单晶衬底；采用脉冲磁控溅射工艺在硅单晶衬底上制备第一外延层；采用原位退火工艺将第一外延层中的锌组分完全热分解析出，得到第二外延层；采用脉冲磁控溅射工艺在第二外延层上外延生长氮化镓单晶薄膜模板层；按第一预设降温速率降低温度至室温；采用气相外延工艺，在氮化镓单晶薄膜模板层上生长氮化镓单晶厚膜外延层；按第二预设降温速率降低温度至室温；以及将氮化镓单晶厚膜外延层与其他部分剥离，并加工氮化镓单晶厚膜外延层得到氮化镓单晶片。本发明还提供了一种氮化镓单晶片及其应用。
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公开(公告)号：CN118792738B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411114493.1
申请日：2024-08-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中科镓(深圳)半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了氮化镓单晶片制备过程应力调控结构，可应用于半导体技术领域。包括：蓝宝石单晶衬底；第一目标氮化铝单晶薄膜模板层，位于衬底上；多孔氮化铝应力协变区，位于第一目标氮化铝单晶薄膜模板层远离衬底的一侧；第二目标氮化铝单晶薄膜模板层，位于多孔氮化铝应力协变区远离衬底的一侧；以及氮化镓单晶薄膜模板层，位于第二目标氮化铝单晶薄膜模板层远离衬底的一侧，其中，多孔氮化铝应力协变区包括第一多孔氮化铝应力协变层、第二多孔氮化铝应力协变层、第三多孔氮化铝应力协变层、第四多孔氮化铝应力协变层和第五多孔氮化铝应力协变层且各协变层的钠米孔隙度不完全相同。本发明的实施例还提供了一种氮化镓单晶片的制备方法及其应用。
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公开(公告)号：CN118792738A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202411114493.1
申请日：2024-08-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中科镓(深圳)半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了氮化镓单晶片制备过程应力调控结构，可应用于半导体技术领域。包括：蓝宝石单晶衬底；第一目标氮化铝单晶薄膜模板层，位于衬底上；多孔氮化铝应力协变区，位于第一目标氮化铝单晶薄膜模板层远离衬底的一侧；第二目标氮化铝单晶薄膜模板层，位于多孔氮化铝应力协变区远离衬底的一侧；以及氮化镓单晶薄膜模板层，位于第二目标氮化铝单晶薄膜模板层远离衬底的一侧，其中，多孔氮化铝应力协变区包括第一多孔氮化铝应力协变层、第二多孔氮化铝应力协变层、第三多孔氮化铝应力协变层、第四多孔氮化铝应力协变层和第五多孔氮化铝应力协变层且各协变层的钠米孔隙度不完全相同。本发明的实施例还提供了一种氮化镓单晶片的制备方法及其应用。
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