公开(公告)号：CN110112095A

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201910339548.1

申请日：2019-04-25

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 黄亚敏 ,  董业民

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明涉及一种集成结构的制备方法，包括以下步骤：S1，在半导体衬底上，经过单大马士革工艺首先形成包括第一铜互连线和第一介质层的单镶嵌式复合层；S2，通过等离子刻蚀去除部分第一介质层，露出第一铜互连线的顶部，第一铜互连线之间的第一介质层下沉形成第一介质层凹槽；S3，沿着第一介质层凹槽和凸起的第一铜互连线沉积覆盖层，形成第一凹槽式覆盖层。本发明还提供根据上述的制备方法得到的铜互连线与介质层集成结构。本发明通过凹槽式覆盖层形成集成结构，其中，铜互连线的顶部被更好地包覆了绝缘层，因此有效地降低了电场作用下，电流密度的尖端聚集效应，有效改善铜互连线顶端之间的电场强度分布。

公开(公告)号：CN111261515A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN202010061425.9

申请日：2020-01-19

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 黄亚敏 ,  董业民 ,  陈晓杰

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/66 ,  G01Q30/20

Abstract: 本发明涉及微纳尺度材料样品制备技术领域，特别涉及一种电子器件表面处理方法。所述电子器件包括衬底层和设在所述衬底层上的器件结构层，所述器件结构层内设有导通层和栅介质层，所述导通层和所述栅介质层内均设有金属材料层；所述处理方法包括：对所述器件结构层减薄，使所述金属材料层裸露在所述器件结构层表面，得到第一处理产物；对所述第一处理产物刻蚀，得到第二处理产物。本申请实施例所述的电子器件表面处理方法，通过对器件结构层减薄，使内部的金属材料层裸露出器件结构，然后再刻蚀除去金属材料层，为后续的三维原子探针技术表征分析提供保证，提高三维原子探针技术样品分析的成功率。

公开(公告)号：CN111208319A

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：CN202010058945.4

申请日：2020-01-19

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 黄亚敏 ,  董业民 ,  陈晓杰

IPC: G01Q30/20

Abstract: 本发明公开了一种用于精确定位制备鳍式场效应晶体管针尖样品的制备方法，本发明通过对小尺寸鳍式场效应晶体管芯片进行预处理，根据预处理后样品芯片的两个相邻切割面的表面电路布局图得到的减薄表面和两个相邻切割面上Fin沟道位置和与其对应的栅极位置，对其位置进行定位标记，沉积切割保护层并根据其他定位标记在保护层上重新进行定位标记，并根据此标记进行切割处理，从而形成鳍式场效应晶体管针尖样品。相对于现有技术，本发明提出的制备方法能够对所需分析的结构进行精准定位，制得的针尖为器件垂直于硅基体表面部分，制样时间缩短且制备流程高效可靠。

公开(公告)号：CN110133019A

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201910339547.7

申请日：2019-04-25

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 黄亚敏 ,  董业民 ,  王秀芳

IPC: G01N23/20025 ,  G01N23/2005 ,  G01R31/28

Abstract: 本发明涉及一种用于Nanoprobe-FIB-TEM失效分析的多用途样品座，包括：半月形样品台为具有窗口的半圆形硅片，TEM薄片样品固定在该窗口上；基座包括本体、用于安装Nanoprobe样品的第一支柱和用于安装半月形样品台的第二支柱，第一支柱和第二支柱固定连接在本体上，本体具有第一基座贯通孔和第二基座贯通孔；卡座具有第一卡座贯通孔和第二卡座贯通孔；第一卡座贯通孔与第一基座贯通孔或第二基座贯通孔适配，第二卡座贯通孔与FIB样品卡座台适配。本发明还提供上述的多用途样品座的应用。根据本发明的多用途样品座，适用于Nanoprobe、FIB、TEM多仪器，免去了在不同仪器里频繁更换样品台的步骤。