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公开(公告)号：CN100423231C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200510111118.2
申请日：2005-12-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种制备相变存储器纳米加热电极的方法，首先通过微纳加工技术，在SiO2衬底上制备较大尺寸的孔洞，接着利用常规的CVD技术的良好台阶覆盖性能在该孔洞中和孔洞侧壁上淀积一层几个纳米厚的加热金属层，在孔洞里填充介质层，最后进行化学机械抛光，抛去孔洞上端的介质材料和加热电极材料，从而形成环状纳米加热电极。本发明避免了纳米小孔中填充电极材料、相变材料的困难，利用较大的环状纳米加热电极实现具有同样面积的小孔洞柱状加热电极的效果。不仅仅适用于解决相变存储器纳米加热电极问题，同样适用于其它电子器件特别是纳电子器件所需的纳米加热电极的制备，具有很大的应用价值。
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公开(公告)号：CN100356567C
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200410053752.0
申请日：2004-08-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明设计了一种新型相变微、纳电子存储器器件及其制备方法。本发明的设计原理是基于尖端效应，即施加电压后，图形尖端处的电阻或电流会很大，是器件单元中相变层发生相变的触发点。通过采用薄膜制备工艺在衬底上制备出器件的各层薄膜，然后利用微细加工工艺制备出含有尖端的器件单元，器件单元中的发生相变区域的尺寸大约在2到200nm范围内，多个器件单元重复排列就构成了微、纳电子存储器器件。这种微、纳电子存储器器件结构简单、制备方便、能与现在的半导体工艺很好地兼容，并且还可以很容易实现器件单元的小尺寸化，有利于提高集成电路的集成度，实现存储器向纳电子器件的方向转变。
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公开(公告)号：CN100335581C
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200410084490.4
申请日：2004-11-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/18
Abstract: 本发明涉及一种用于硫系化合物相变薄膜材料GeSbTe化学机械抛光(CMP)的无磨料抛光液及该化学机械抛光液在制备纳电子器件相变存储器中的应用。该CMP无磨料抛光液包含有氧化剂、螯合剂、pH调节剂、抗蚀剂、表面活性剂、消泡剂、杀菌剂及溶剂等。该抛光液损伤少、易清洗、不腐蚀设备、不污染环境，主要用于制造相变存储器关键材料GexSbyTe(1-x-y)的CMP。利用上述抛光液采用化学机械抛光方法去除多余的相变薄膜材料GexSbyTe(1-x-y)，(0≤x≤0.5，0≤y≤1.0，且x、y不同时为0)制备纳电子器件相变存储器，方法简单易行。
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公开(公告)号：CN1953229A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200610117815.3
申请日：2006-10-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于相变存储器的锗钛基存储材料及制备方法。本发明锗钛基存储材料组成式为GexTiy，式中x、y为元素的原子百分比，且0＜x＜1；0＜y＜1。所述的GexTiy基存储材料，在施加电脉冲信号的情况下，发生了高阻态与低阻态之间的可逆转换特性，可以用于实现数据存储。与传统的用于相变存储器的SbTe、GeSbTe和SiSbTe等相变薄膜材料相比，锗钛基存储材料组分更简单，不含任何有毒元素，并且与互补金属氧化物半导体(CMOS)器件制造工艺兼容性非常好，是一种新型的、对环境友好的可用于相变存储器的存储材料。
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公开(公告)号：CN1933207A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200610117153.X
申请日：2006-10-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种相变存储单元及其制备方法，其特征在于：在衬底上覆盖有下电极层；在下电极上覆盖有绝热材料层，绝热材料层中存在孔洞；孔洞中包含与下电极相通的空心柱状加热电极材料结构；柱状加热电极上覆盖有绝热材料层，绝热材料层中包含与柱状加热电极套刻的孔洞；且在柱状加热电极孔内和绝热材料层孔洞内含有可逆相变材料层；在相变材料层上覆盖有绝热材料层，在绝热材料层中包含孔洞，并在其内填充了与相变材料相通的上电极材料。本发明将相变材料限定在加热电极的空心柱与绝热材料中的孔洞里，在电脉冲对存储单元进行操作时，使相变材料处于高温，高压环境下，优先发生相变，诱导周围的相变材料进一步相变，从而实现相变存储单元的低压、低功耗、高速功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1915595A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200610030551.8
申请日：2006-08-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: Y02P10/234
Abstract: 本发明涉及一种用于集成电路多层互连结构金属化学机械抛光(CMP)的抛光液原位批处理方法及所使用的装置。创新点在于利用电化学工作原理，将抛光产生的金属离子还原转移达到去除的目的，同时恢复抛光液中氧化剂的功能。所述的装置是在传统的单头或多头抛光系统中，增加抛光液原位批处理系统和抛光盘的在线修复，使抛光速率和抛光过程均匀性信息在线检测，将现有抛光工序和抛光液原处理工序集为一体。与现有抛光液一次性消耗工艺相比，不仅可以减少抛光液的消耗，而且可以减少抛光液后处理所带来的不便，是解决集成电路化学机械抛光工艺高成本的一种有效方法和设备。
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公开(公告)号：CN1845339A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200610024614.9
申请日：2006-03-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明是一种相变薄膜场效应晶体管单元器件及其制作方法。其特征在于用相变材料替代场效应晶体管中的半导体材料硅，利用相变材料的电致相变特性和半导体特性，同时在一个器件中实现场效应晶体管特性和存储功能。同时，本发明还包括该种新型器件的制作方法：直接利用氧化硅片作为衬底(栅极)/绝缘层的结构，再在该衬底上方制备源、漏电极，通过剥离沉积的相变材料薄膜形成简单的相变薄膜场效应晶体管单元器件。该方法制备工艺极其简单，成本低廉，有利于提高生产效率，降低成本，从而推动相变薄膜场效应晶体管的实际应用。
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公开(公告)号：CN1825649A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610023390.X
申请日：2006-01-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及可用于相变存储器的加热电极材料及制备方法；所述的加热电极材料为至少含Ge元素的加热电极材料，通式为GexWyN1－x－y、GexTiyN1－x－y、GexWyO1－x－y、GexTiyO1－x－y等材料中的一种，式中的x和y是指元素的原子百分比，且满足：0＜x≤1；0≤y＜1；0＜x+y≤1；所述的相变存储器加热电极材料制备所采用的工艺为溅射法、蒸发法、原子层沉积法、化学气相沉积法、金属有机物热分解法或激光辅助沉积法中任意一种；与传统的相变存储器电极材料W、TiN、TiON和等TiAlN相比，Ge基加热电极材料具有与相变材料黏附性好、电阻高等优点，可提高器件的加热效率，降低器件的功耗。
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公开(公告)号：CN1616572A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200410066674.8
申请日：2004-09-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/02 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及一种用于硫系化合物相变薄膜材料GexSbyTe(1－x－y)化学机械抛光(CMP)的纳米抛光液及该化学机械抛光液在制备纳电子器件相变存储器中的应用。该CMP纳米抛光液包含有氧化剂、螯合剂、pH调节剂、纳米研磨料、抗蚀剂、表面活性剂及溶剂等。该抛光液损伤少、易清洗、不腐蚀设备、不污染环境，主要用于制造相变存储器关键材料GexSbyTe(1－x－y)的CMP。利用上述抛光液采用化学机械抛光方法去除多余的相变薄膜材料GexSbyTe(1－x－y)制备纳电子器件相变存储器，方法简单易行。
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公开(公告)号：CN1599068A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410053752.0
申请日：2004-08-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明设计了一种新型相变微、纳电子存储器器件及其制备方法。本发明的设计原理是基于尖端效应，即施加电压后，图形尖端处的电阻或电流会很大，是器件单元中相变层发生相变的触发点。通过采用薄膜制备工艺在衬底上制备出器件的各层薄膜，然后利用微细加工工艺制备出含有尖端的器件单元，器件单元中的发生相变区域的尺寸大约在2到200nm范围内，多个器件单元重复排列就构成了微、纳电子存储器器件。这种微、纳电子存储器器件结构简单、制备方便、能与现在的半导体工艺很好地兼容，并且还可以很容易实现器件单元的小尺寸化，有利于提高集成电路的集成度，实现存储器向纳电子器件的方向转变。
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