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公开(公告)号：CN102751319A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210230324.5
申请日：2012-07-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/221 , H01L21/334 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供了一种基于硫系化合物的浪涌保护器件，该浪涌保护器件包括下电极（2）、位于该下电极（2）上的下加热电极（3）、位于下加热电极（3）上的硫系化合物薄膜（5）以及位于所述硫系化合物薄膜（5）上的上电极（6）；所述硫系化合物薄膜（5）下部通过下加热电极（3）与下电极（2）达成电性连接；所述硫系化合物薄膜（5）上部与上电极（6）达成电性连接。本发明还提供一种基于硫系化合物的浪涌保护器件的制备方法。本发明器件利用硫系化合物所特用的阈值导通特性实现过压保护，概念新颖，结构简单，是一种过电保护响应速度极快，抑制过压能力极强的浪涌保护器件。
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公开(公告)号：CN108597558B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201810368154.4
申请日：2018-04-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种优选相变存储器写操作电流的系统及方法，该方法包括：基于写操作电流变化步长对写操作电流进行调节，使其由最小写操作电流依次增大至最大写操作电流；每次获取写操作电流后，对待操作单元进行写操作并对其进行电学测试，获取与写操作电流对应的电阻数据及V‑I特性曲线；每次写操作之前还基于相同预设擦参数对待操作单元进行擦操作；对不同写操作电流对应的电阻数据进行统计分析，筛选出使待操作单元成功进行写操作的真写操作电流；并对真写操作电流对应的V‑I特性曲线进行拟合获取若干亚阈值斜率；及对获取的各亚阈值斜率进行统计分析获取最优写操作电流。通过本发明，解决了现有方法无法筛选出最优写操作电流的问题。
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公开(公告)号：CN108520765B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201810304264.4
申请日：2018-04-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种相变存储器阵列中的位线寄生参数的测量系统及方法，包括：若干条平行间隔排布的字线；若干条平行间隔排布的位线；相变存储器阵列；驱动电路，与各位线相连接；至少一测试结构，包括驱动电路、可变电阻器、可变电容器及第二相变存储器单元；其中，可变电阻器与可变电容器串联成的串联电路一端与驱动电路相连接，另一端与第二相变存储器单元相连接；第二相变存储器单元的结构与第一相变存储器单元的结构相同。本发明可以简单便捷地得到相变存储器阵列中的位线寄生参数，为相变存储器阵列中的各相变存储器单元均能够被充分操作弥补能量损耗提供依据，为得到比较一致的电阻分布，提高相变存储器芯片的工作可靠性提供基础。
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公开(公告)号：CN109903800A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910196702.4
申请日：2019-03-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种相变储存器控制装置、相变储存器控制方法、电子装置及存储介质，包括：一检测单元，用于检测数据是否存在错误；一控制信号单元，获取来自所述相变储存器的第一存取参数设定值，根据所述第一存取参数设定值产生第一读取控制信号令所述相变储存器读取第一数据页面；当接收到所述校验单元校验第一数据页面存在错误而产生的检测错误信号时，根据第二存取参数设定值产生第二读取控制信号令所述相变储存器读取所述第一数据页面；其中，配置为所述第二存取参数设定值状态下的相变储存器的存取效率低于其配置为所述第一存取参数设定值状态。解决了因各个相变存储器的读取模式和参数不同使各端口匹配困难的问题，可以令端口实现自动匹配。
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公开(公告)号：CN105742490B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201610140946.7
申请日：2016-03-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种提高相变存储器数据保持力的相变材料层结构，所述结构至少包括：相变基体材料层和形成在所述相变基体材料层中心区域的掺杂层。通过使中心区域的掺杂层结晶温度升高，来抑制非晶态的中心区域在小电流干扰下结晶，从而提高相变存储器的数据保持力。掺杂注入区域的直径要小于加热电极的直径，中心区域的相变材料进行掺杂后结晶温度高于两侧未掺杂的相变材料，在小电流干扰时，此掺杂区域不易结晶，使相变存储器高阻态保持时间延长。而正常电操作SET时，结晶区域在相变材料层中加热电极的边缘，边缘区域结晶温度较低，因此本发明的相变材料层在中心区域掺杂后不会影响正常的电操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104201282B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410504612.4
申请日：2014-09-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种相变存储器及其制备方法，其中，所述相变存储器至少包括：下电极，所述下电极呈阵列式排布；位于所述下电极上的下加热电极；位于多个下加热电极上的相变材料层，所述相变材料层呈条状等间距排布；位于所述下加热电极上方位置的相变材料层上的上电极，所述上电极呈条状等间距排布，且与所述相变材料层相互垂直。本发明的相变存储器通过将整条的相变材料覆盖在多个下加热电极上，从而将各个分立的相变存储单元连接在一起，可以通过控制信号输入完成块擦除，解决了现有相变存储器不能完成块操作的缺陷；同时也可以通过控制信号端和电极进行选择性单元数据擦除，大大提高了数据擦除效率。
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公开(公告)号：CN105023606A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510501083.7
申请日：2015-08-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种相变存储器及其恢复数据的方法，包括：获取基准参考电阻值的预写相变存储单元；存储数据的正常访问相变存储单元；控制写入数据及读取数据的电学控制模块；控制温度的温度控制模块。在预写地址和正常访问地址中写入数据；改变环境温度；读取预写地址内的数据，获取基准参考电阻值；读取正常访问地址内的数据，以基准参考电阻值作为参考标准，若数据失效则恢复失效数据。本发明的相变存储器及其恢复数据的方法能快速判定相变存储器中的数据是否失效并恢复失效数据，操作简单、快速、效率高。
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公开(公告)号：CN102751319B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201210230324.5
申请日：2012-07-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/221 , H01L21/334 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供了一种基于硫系化合物的浪涌保护器件，该浪涌保护器件包括下电极（2）、位于该下电极（2）上的下加热电极（3）、位于下加热电极（3）上的硫系化合物薄膜（5）以及位于所述硫系化合物薄膜（5）上的上电极（6）；所述硫系化合物薄膜（5）下部通过下加热电极（3）与下电极（2）达成电性连接；所述硫系化合物薄膜（5）上部与上电极（6）达成电性连接。本发明还提供一种基于硫系化合物的浪涌保护器件的制备方法。本发明器件利用硫系化合物所特用的阈值导通特性实现过压保护，概念新颖，结构简单，是一种过电保护响应速度极快，抑制过压能力极强的浪涌保护器件。
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公开(公告)号：CN103123609A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201310078623.6
申请日：2013-03-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F12/02
Abstract: 本发明提供一种存储器的分块管理方法。根据本发明的方法，先将存储器包含的各存储块均分为至少两个子存储块，并在每一子存储块中设置一记录空间；随后，基于每一子存储块的记录空间中的写次数来确定是否对子存储块进行拆分和/或对存储块进行合并；接着，对已确定拆分的子存储块进行拆分和/或对已确定合并的存储块进行合并，由此实现对存储块的灵活管理，提高存储器中空闲页的利用率，减少存储碎片，进而提高存储器的使用寿命。
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公开(公告)号：CN102779072A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210199953.6
申请日：2012-06-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F9/48
Abstract: 本发明提供一种嵌入式系统及其应用进程的休眠与唤醒方法，该嵌入式系统由传统的非易失主存及DRAM内存构成存储架构，非易失主存又由引导程序存储区、内核存储区、文件系统存储区、以及进程镜像备份区组成，其中，进程镜像备份区划分有镜像索引区和镜像数据保存区，可实现应用进程挂起到非易失存储器。本发明可实现系统级以及单进程的休眠，使进程休眠、唤醒管理更加灵活、方便，可降低传统嵌入式系统休眠唤醒的数据备份及恢复的工作量以及系统休眠时数据备份所占用的大量存储空间，从而提高嵌入式系统运行效率。
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