一种硅通孔互连的制作工艺、由此形成的硅通孔互连结构及其应用

    公开(公告)号:CN108615704A

    公开(公告)日:2018-10-02

    申请号:CN201810261142.1

    申请日:2018-03-27

    Abstract: 本发明涉及一种硅通孔互连的制作工艺,包括以下步骤:S1,在硅圆片的盲孔中形成多晶硅填充结构,在多晶硅填充结构的第一表面形成阻挡层结构;S2,减薄该硅圆片,使得该盲孔形成为硅通孔结构;S3,在多晶硅填充结构的与第一表面相对的第二表面形成金属电极结构;S4,在金属电极结构上形成金凸点;S5,加热硅圆片,使得金与多晶硅填充结构在硅通孔结构中形成金硅合金结构。本发明还涉及一种由此形成的硅通孔互连结构。本发明又涉及一种硅通孔互连结构的应用。根据本发明的硅通孔互连的制作工艺、由此形成的硅通孔互连结构及其应用,结合了多晶硅TSV孔径小的优点,降低了硅通孔互连结构的寄生电阻。

    耦合谐振的谐振式应变传感器

    公开(公告)号:CN106323155A

    公开(公告)日:2017-01-11

    申请号:CN201510392361.X

    申请日:2015-07-06

    Abstract: 本发明提供一种耦合谐振的谐振式应变传感器,包括两根敏感梁,各敏感梁的两端被固定支撑;检测梁,连接于所述两根敏感梁之间;其中,所述敏感梁工作于对应力敏感的横振动模态,检测梁工作于整体压阻效应显著的纵振动模态,敏感梁与检测梁形成耦合谐振,外加驱动使整个结构以耦合谐振频率振动,敏感梁中的应力会改变敏感梁的共振频率,整个结构的耦合谐振频率随之改变,利用检测梁的压阻效应测量耦合谐振频率就可以测得应力值,并进而计算得到应变。本发明的耦合谐振的谐振式应变传感器具有可采用高温工艺真空封装、高Q值、高分辨率、高灵敏度、长期稳定性好等优点,在应力检测领域具有广泛的应用前景。

    一种压阻式加速度传感器及其制作方法

    公开(公告)号:CN105785073A

    公开(公告)日:2016-07-20

    申请号:CN201410815643.1

    申请日:2014-12-19

    Abstract: 本发明提供一种压阻式加速度传感器及其制作方法,该传感器的改进点在于敏感结构部分,敏感结构中的质量块左右两侧对称设有相互独立的各四个敏感梁,每个敏感梁上设一个力敏电阻;四个敏感梁的两侧各设一个用于支撑质量块的支撑梁,将力敏电阻制作在独立的敏感梁上可减小敏感梁的宽度,从而显著减小敏感梁对结构倔强系数的影响,获得高灵敏度和高优值;敏感梁靠近质量块中线位置,其挠曲较小,可减小旁轴灵敏度。支撑梁靠近质量块边缘,其力臂长,可更好地抑制旁轴加速度引起的质量块扭转。支撑梁上表面较低,表面无氧化层,可减小氧化层应力引起的结构挠曲。敏感梁厚度大于支撑梁,可实现应力集中,从而提高灵敏度和优值。

    待测传感器芯片的电学引出结构及其应用

    公开(公告)号:CN103021985B

    公开(公告)日:2015-07-22

    申请号:CN201110281248.6

    申请日:2011-09-21

    CPC classification number: H01L2224/10 H01L2224/48091 H01L2924/00014

    Abstract: 本发明涉及待测传感器芯片的电学引出结构及其应用。所述待测传感器芯片(16)上设有焊盘(9)以及位于焊盘(9)上的金属焊点(10);该电学引出结构还包括设有焊盘和互连线的柔性基板(14),所述待测传感器芯片通过金属焊点(10)倒装焊于柔性基板(14)的焊盘上;通过柔性基板(14)的焊盘由焊线(15)实现电学引出。本发明通过采用柔性基板实现应力/温度传感器的电学引出,然后将已实现电学引出的传感器作为模拟芯片采用待测封装技术进行封装,通过测量封装前后的应力变化就可以得到该封装技术引入的应力。柔性基板电学引出的方法解决了封装用应力传感器难以实现封装前标定的问题。该传感器还可用于封装应力和温度的实时在线测量。

    一种空气净化装置智能测控系统和方法

    公开(公告)号:CN103912964A

    公开(公告)日:2014-07-09

    申请号:CN201410110033.1

    申请日:2014-03-24

    Inventor: 赵伟 李昕欣 杨恒

    CPC classification number: Y02B30/78

    Abstract: 本发明涉及一种空气净化装置智能测控系统和方法。系统包括用于在入风口抽取空气的进气风扇,所述进气风扇后依次连接有入口检测单元、空气净化单元和出口检测单元;所述入口检测单元和出口检测单元均与分析单元相连,所述分析单元通过控制线与空气净化单元和进气风扇相连。方法包括:对入口的空气质量进行检测;对出口的空气质量进行检测;对入口检测单元和出口检测单元的两组传感数据进行处理,并根据处理结果更新净化单元和进气风扇的控制参数,并向净化单元和进气风扇发出控制指令。本发明能够定量化标定净化单元的处理效果,以此控制通风量及空气净化单元工作参数,并为用户提供是否需要更换滤芯等维护工作的建议。

    一种用于MEMS结构的悬架光刻胶平坦化工艺

    公开(公告)号:CN102375332B

    公开(公告)日:2013-07-17

    申请号:CN201010258142.X

    申请日:2010-08-19

    Abstract: 本发明提供一种用于MEMS结构的悬架光刻胶平坦化工艺,首先将自组装方法制作的光刻胶薄膜粘覆转移于存在沟槽或间隙的半导体材料表面形成平整的悬架光刻胶结构,曝光显影以选择性去除不需要部位的光刻胶膜并坚膜,之后在室温条件下在光刻胶表面沉积金属或其它半导体材料层以实现其结构的平坦化工艺,最后对沉积的材料层刻蚀形成结构和图形。该方法有别于传统的平坦化工艺,利用自组装的方法将平坦化和光刻工艺结合在了一起,方法简单、材料节约、成本低廉、对设备要求低。

    利用金属化合物的电泳沉积图案进行光刻的方法

    公开(公告)号:CN102142362B

    公开(公告)日:2012-10-10

    申请号:CN201010104413.6

    申请日:2010-02-02

    Abstract: 本发明提供一种利用金属化合物的电泳沉积图案进行光刻的方法,首先在待进行光刻的半导体材料结构上制备金属薄膜,然后将两片沉积有金属薄膜的半导体材料结构相对固定在预设浓度的金属化合物胶粒溶液中,并将两者分别连接到电源的正负两极,以使所述金属化合物胶粒在所述半导体材料结构上发生单层电泳沉积,进而形成纳米沉积胶粒图案,再将该半导体材料结构自金属化合物胶粒溶液中取出去除水分后,进行干法刻蚀以在半导体材料结构表面形成纳米颗粒图形,最后将刻蚀后的半导体材料结构湿法化学腐蚀以去除沉积胶粒以及其下的各无需材料层,以形成纳米岛图形,此工艺过程简单,成本低廉、参数可控、环境友好、且去除方便。

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