公开(公告)号：CN106058036B

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201610404295.8

申请日：2016-06-08

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王浩敏 ,  谢红 ,  李蕾 ,  王慧山 ,  杨鹏 ,  谢晓明 ,  江绵恒

IPC: H01L39/00 ,  H01L39/16 ,  H01L39/24

Abstract: 本发明提供一种量子干涉器件结构及其制备方法，该结构包括：第一超导层；位于所述第一超导层之上的第一介电层；位于所述第一介电层之上的石墨烯或二维半导体薄膜层；位于所述石墨烯或二维半导体薄膜层之上的第二介电层；位于所述第二介电层之上的第二超导层；与所述石墨烯或二维半导体薄膜层接触的金属层。本发明的量子干涉器件结构以石墨烯或MoS2等半导体材料作为器件有效层，利用超导薄膜作为磁场屏蔽，可用于研究石墨烯、半导体等材料的各种量子霍尔效应特性，并可应用于利用该种特性的量子干涉器件及传感器等器件中。

公开(公告)号：CN105405965B

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201510908225.1

申请日：2015-12-09

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王浩敏 ,  谢红 ,  王慧山 ,  李蕾 ,  谢晓明 ,  江绵恒

IPC: H01L43/06 ,  H01L43/14 ,  G01R33/00

Abstract: 本发明提供一种高灵敏度石墨烯磁场传感器及其制备方法。涉及半导体技术领域，以干法转移的方法形成h‑BN—石墨烯—h‑BN的霍尔器件作为磁场传感器的核心结构，可以避免湿法转移工艺及图形化刻蚀、金属沉积工艺等对材料晶格造成的污染与破坏；以h‑BN作为衬底及封装层，有利于维持石墨烯载流子迁移率，并保护器件避免吸附空气中的O2、H2O及微粒，以提高器件电学性能；此外石墨烯与金属电极之间采用一维线接触的方式连接，将大大降低器件的接触电阻及功耗。

公开(公告)号：CN104192835B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201410466181.7

申请日：2014-09-12

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王浩敏 ,  谢红 ,  王慧山 ,  李蕾 ,  卢光远 ,  张学富 ,  陈吉 ,  吴天如 ,  谢晓明 ,  江绵恒

IPC: H01L21/336 ,  C01B31/04

Abstract: 本发明提供一种石墨烯闪存存储器的制备方法，所述方法采用单层或者多层的连续石墨烯薄膜替代多晶硅栅或者氮氧化物存储电荷，能够在有限的物理空间内提高电荷存储容量，由于石墨烯厚度较薄，缩小器件纵向尺寸的同时，消除器件中电容耦合的影响，能有效避免相邻存储单元工作时的串扰问题。本发明的石墨烯闪存存储器的工艺简单，操作简便，在低功耗下便能实现石墨烯闪存存储器数据快速的写入擦除及读取功能。

公开(公告)号：CN105070347A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201510504332.8

申请日：2015-08-17

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王浩敏 ,  谢红 ,  李蕾 ,  王慧山 ,  贺立 ,  陈令修 ,  张道礼 ,  邓联文 ,  谢晓明 ,  江绵恒

IPC: H01B1/04 ,  H01G9/042 ,  H01L39/12 ,  H01L39/24 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明提供一种以石墨烯作为接触电极的器件结构及其制备方法，涉及以石墨烯作为接触电极的器件结构技术领域，以干法转移的方法形成h-BN—石墨烯—超导/半导体材料—h-BN的新型器件结构，可以避免湿法转移工艺及图形化刻蚀、金属沉积工艺等对材料晶格造成的污染与破坏；以h-BN作为衬底及封装层，有利于维持石墨烯载流子迁移率，并保护器件避免吸附空气中的O2、H2O及微粒，以提高器件电学性能；此外采用石墨烯作为接触电极，沉积金属与石墨烯截面形成一维的线接触，将大大降低超导/半导体器件的接触电阻。

公开(公告)号：CN104894639A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510316129.8

申请日：2015-06-10

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王浩敏 ,  谢红 ,  李蕾 ,  王慧山 ,  贺立 ,  陈令修 ,  吴天如 ,  邓联文 ,  谢晓明 ,  江绵恒

IPC: C30B25/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明的基于石墨烯场效应管微区加热的原位材料生长的方法，包括步骤：首先，制备基于石墨烯的场效应管，所述石墨烯具有窄边微区结构，所述场效应管的背面设置有背栅；然后，在所述石墨烯两端的电极之间加电压源或电流源，通过调节背栅电压来调制所述窄边微区结构的电阻，使所述窄边微区结构产生高温；接着，通入反应源，调节背栅电压，使石墨烯加热到材料生长需要的温度，实现石墨烯微区加热的原位材料生长。本发明基于石墨烯场效应管的微区加热原位生长材料方法操作简单，可以实现基于不同尺寸的微区高温加热的前提下，原位生长半导体材料，材料生长区域形状可控。另外，微区加热原位生长材料的制备方法简单，与现有的MOS工艺兼容，便于大规模阵列及图形化制备，均匀性好。

公开(公告)号：CN104192835A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201410466181.7

申请日：2014-09-12

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王浩敏 ,  谢红 ,  王慧山 ,  李蕾 ,  卢光远 ,  张学富 ,  陈吉 ,  吴天如 ,  谢晓明 ,  江绵恒

IPC: C01B31/04 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种石墨烯闪存存储器的制备方法，所述方法采用单层或者多层的连续石墨烯薄膜替代多晶硅栅或者氮氧化物存储电荷，能够在有限的物理空间内提高电荷存储容量，由于石墨烯厚度较薄，缩小器件纵向尺寸的同时，消除器件中电容耦合的影响，能有效避免相邻存储单元工作时的串扰问题。本发明的石墨烯闪存存储器的工艺简单，操作简便，在低功耗下便能实现石墨烯闪存存储器数据快速的写入擦除及读取功能。