公开(公告)号：CN103900870B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201410075073.7

申请日：2014-03-03

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陈志蓥 ,  于广辉 ,  张燕辉 ,  隋妍萍 ,  王斌 ,  张浩然 ,  张亚欠 ,  汤春苗 ,  朱博 ,  李晓良

IPC: G01N1/28 ,  G01N21/84

Abstract: 本发明涉及一种辨别石墨烯连续膜完整性的方法，包括：在金属催化衬底和石墨烯膜的结合体上涂一层有机胶体，然后放入腐蚀液中，得到有机胶体层和石墨烯膜的结合体；将上述有机胶体层和石墨烯膜的结合体放入去离子水中漂洗然后静置，观察，无褶皱则为完整的石墨烯膜。本发明重复性高、简单易行，可以准确表征规模化生产的石墨烯连续膜的完整性；本发明能够从宏观上准确判断大面积石墨烯膜的完整性而不需要借助光学显微镜、扫描电子显微镜等表征手段。

公开(公告)号：CN104807810A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201410032320.5

申请日：2014-01-23

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张燕辉 ,  于广辉 ,  陈志蓥 ,  王斌 ,  隋妍萍 ,  张浩然 ,  张亚欠 ,  李晓良

IPC: G01N21/75

Abstract: 本发明提供一种利用石墨烯判定铜衬底表面晶向的方法，至少包括以下步骤：1）提供一长有化学气相沉积（CVD）石墨烯的铜衬底，所述石墨烯中具有皱褶区域；2）将长有石墨烯的铜衬底置于氧化气氛中进行氧化，皱褶区域下方的铜衬底会被优先氧化形成氧化条纹；3）依据所述铜衬底表面氧化条纹的分布情况判断所述铜衬底的表面晶向。本发明的判定方法重复性高、简单易行，成本较低，可以方便了解用于化学气相沉积法生长石墨烯的多晶铜衬底的表面晶向分布状况。

公开(公告)号：CN104030274A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201410231250.6

申请日：2014-05-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陈志蓥 ,  于广辉 ,  张燕辉 ,  隋妍萍 ,  张浩然 ,  张亚欠 ,  汤春苗 ,  朱博 ,  李晓良

IPC: C01B31/04

Abstract: 本发明涉及一种提高石墨烯表面洁净度的湿法腐蚀化学转移法，其特征在于包括先在金属衬底和石墨烯的结合体上沉积一层金属，在金属上表面涂一层有机胶体，然后放到腐蚀液中，得到有机胶体、金属层和石墨烯层的结合体，再将三者的结合体转移到目标衬底上并去除有机胶体，将得到的金属和石墨烯的结合体再次放到腐蚀液中，待金属层被去除，即得到转移好的石墨烯。与传统的湿法腐蚀化学转移方法相比，本方法在旋涂有机胶体之前在石墨烯表面沉积一层金属，阻挡石墨烯和有机胶体的直接接触，有效地避免了转移后有机胶体在石墨烯表面的残留。