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公开(公告)号：CN103352210A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201310253516.2
申请日：2013-06-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种直观显示金属衬底上CVD石墨烯表面缺陷分布的方法，包括：将未转移的CVD石墨烯连同金属衬底一起放入氧化性溶液中，石墨烯褶皱以及其他缺陷处的金属衬底会被氧化，然后将氧化后的CVD石墨烯连同金属衬底置于光学显微镜下观察即可。本发明的方法重复性高、简单易行；本发明可以使处理前需要超高放大倍数显微镜才能观察到纳米级缺陷分布在低放大倍数光学显微镜下清晰显现出来。
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公开(公告)号：CN100580889C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200510028370.7
申请日：2005-07-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/31
Abstract: 本发明涉及一种氢化物气相外延氮化镓材料中采用多孔阳极氧化铝作为掩膜及其制备方法，其特征在于采用多孔阳极氧化铝作为GaN横向外延过生长的掩膜。在HVPE制备GaN膜的过程中，先在GaN模板上沉积一层金属Al薄层，然后经电化学的方法阳极氧化后形成均匀的多孔网状阳极氧化铝，再放入HVPE系统中生长GaN层。多孔阳极氧化铝由于其孔径小(10nm～200nm)、陡直且分布均匀，可作为一种微区掩膜。由于气相外延的选择性，HVPE生长GaN时将选择生长在下层的GaN上，然后经过横向外延生长过程连接成完整的GaN膜。通过GaN的微区横向外延，降低了生长的GaN的位错密度，提高了GaN层的质量。简化了光刻制作掩膜的工艺，适合于批量生产时采用。
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公开(公告)号：CN101350298A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200810042459.2
申请日：2008-09-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明涉及一种利用均匀纳米粒子点阵提高厚膜GaN质量的方法，其特征在于采用了纳米量级的SiO2、SiO或SixNy等点阵作为GaN外延掩模。在氢化物气相外延之前，先在GaN模板上电子束蒸发一层金属Al，再采用电化学的方法生成多孔状阳极氧化铝(AAO)，接着往孔中注入点阵结构的介质，然后去除AAO，则模板上得到了均匀分布的SiO2纳米粒子的点阵结构，最后将模板置于反应腔内外延生长。由于气相外延的选择性，将开始选择生长在SiO2等点阵外的区域上，最后经过横向外延生长过程连接成完整的GaN膜。降低了外延层的位错密度，且位错密度均匀分布，大大提高厚膜的可利用性。方法简单易行，省略了光刻的复杂工艺，且将掩模尺寸缩小到纳米量级，适于批量生产。
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公开(公告)号：CN1838384A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200610024615.3
申请日：2006-03-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/30 , H01L21/322
Abstract: 本发明涉及一种氮化镓(GaN)基材料在干法刻蚀中而受损伤的修复方法，其特征在于在是将刻蚀受损的GaN基材料在高真空设备中热退火的同时通入等离子态氮处理，退火温度为用MBE(分子束外延)法生长氮化物外延层的典型生长温度(650～800℃)。真空度为用MBE法生长氮化物外延层的典型真空度(生长室背景压力约为10－9torr，通入氮等离子体时压力为8*10－5torr。)。该方法不仅改善了晶体内部结晶质量，而且有利于去除沉积在材料表面的刻蚀产物，使表面的氮空位得到了补充，相当于在去除受损表面时重新生长了一个薄层的氮化物外延层，从而使受损GaN基材料的电学和光学特性得到回升。
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公开(公告)号：CN1832112A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610024155.4
申请日：2006-02-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/205 , C23C16/52
Abstract: 本发明涉及一种改变氢化物气相外延(HVPE)生长的氮化镓(GaN)外延层极性的方法，其特征在于采用了中断HCl生长的方法。在HVPE制备GaN膜的过程中，先在高温下通NH3氮化蓝宝石(Sapphire)，再通HCl生长GaN，此时生长的GaN薄膜表面显示为N极性。生长一段时间后关闭HCl而持续NH3气体1～60min，再打开HCl继续进行生长GaN薄膜。如此反复操作2～10次，则GaN的极性将由表面粗糙的N极性转变为表面光滑Ga极性，而且其位错密度降低，晶体质量提高。这种方法简单易行，仅需要中断HCl几次即可实现GaN材料由N极性到Ga极性的改变。
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公开(公告)号：CN1587438A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN200410053351.5
申请日：2004-07-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种氢化物气相外延(HVPE)氮化镓膜中的低温插入层及制备方法，其特征在于在GaN膜的HVPE制备过程中采用了低温AlN插入层的结构。在HVPE制备GaN膜的过程中，先在GaN模板上低温沉积一层AlN薄层，然后经高温退火后继续HVPE生长GaN层。低温AlN插入层的引入，释放了低温AlN层上继续生长的GaN膜中的应力，从而提高了GaN层的质量。这种方法简单易行，且对于低温AlN层的结晶质量要求不高，适合于科学实验和批量生产时采用，AlN层可以采用化学气相沉积、分子束外延或溅射等方法制备的。
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公开(公告)号：CN114122194B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202111406267.7
申请日：2021-11-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种MoX2/WX2横向异质结的制备方法，通过将两种金属源配置成前驱体溶液，在将前驱体溶液涂覆在衬底表面后，采用CVD法，即可获得界面锐利的MoX2/WX2横向异质结；本发明不需要预先将金属源在空间上进行分离，也无需在实验过程中精确控制实验参数，即可自组装形成MoX2/WX2横向异质结；通过改变X蒸汽的引入时间，还可以控制制备的MoX2/WX2横向异质结的层数；本发明制备方法重复性高、简单易行、无需复杂精确的实验操作、获得的MoX2/WX2横向异质结边界锐利，没有产生合金现象，且制备的MoX2/WX2横向异质结转移方便，适用性较广，从而本发明可大大降低目前制备横向异质结的门槛。
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公开(公告)号：CN115505859B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211368131.6
申请日：2022-11-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C22F1/08 , C23C8/20 , C01B32/184
Abstract: 本发明提供一种提高铜基合金衬底上多层石墨烯覆盖率的方法，包括以下步骤：S1：铜基合金衬底退火；S2：通入碳源开始石墨烯生长，按氢碳比的不同分为三个阶段：第一阶段，以（80~10000）:1的高氢碳比气氛维持一定时间，使石墨烯无法在衬底表面形成，保证足量碳源均匀溶入铜基合金衬底；第二阶段，相比第一阶段降低气氛中的氢碳比使其低于80:1，维持一定时间，使衬底表面迅速形成单层石墨烯；第三阶段，相比第二阶段同时降低氢气和碳源浓度并降温，实现多层石墨烯生长；S3：结束生长。本发明方法操作简单，重复性好，不仅可以明显提高铜基合金衬底上多层石墨烯的覆盖率，而且有利于提高多层石墨烯层数均匀性。
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公开(公告)号：CN111422860B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202010137684.5
申请日：2020-03-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明公开了一种反向转移石墨烯的方法，涉及石墨烯技术领域。本发明的反向转移石墨烯的方法，对由金属衬底上生长形成的石墨烯的上下两个表面，涂覆不同溶解性质的胶体，利用两种胶体溶解性的不同，将石墨烯的上下表面颠倒进行转移至目标衬底上，相对于现有技术，本发明解决了现有技术中将石墨烯反向转移到目标衬底，尤其是硬质衬底比较困难的问题。本发明的反向转移石墨烯的方法，操作简单方便，由于实现了石墨烯的反向转移，为扩大石墨烯的应用范围奠定了基础，具有很强的可操作性和实用价值。
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公开(公告)号：CN114122194A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111406267.7
申请日：2021-11-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种MoX2/WX2横向异质结的制备方法，通过将两种金属源配置成前驱体溶液，在将前驱体溶液涂覆在衬底表面后，采用CVD法，即可获得界面锐利的MoX2/WX2横向异质结；本发明不需要预先将金属源在空间上进行分离，也无需在实验过程中精确控制实验参数，即可自组装形成MoX2/WX2横向异质结；通过改变X蒸汽的引入时间，还可以控制制备的MoX2/WX2横向异质结的层数；本发明制备方法重复性高、简单易行、无需复杂精确的实验操作、获得的MoX2/WX2横向异质结边界锐利，没有产生合金现象，且制备的MoX2/WX2横向异质结转移方便，适用性较广，从而本发明可大大降低目前制备横向异质结的门槛。
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