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公开(公告)号：CN112098795B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202010820400.2
申请日：2020-08-14
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明适用于晶圆级半导体器件微波特性测量技术领域，提供了一种两端口在片校准件模型及参数确定的方法，该方法包括：通过测量第一频段对应的单端口在片校准件模型，得到第一S参数；根据第一S参数计算得到单端口在片校准件模型对应的两端口在片校准件模型的本征电容值；测量太赫兹频段对应的两端口在片校准件模型，得到第二S参数；根据第二S参数和本征电容值，计算得到两端口在片校准件模型的寄生电容值和寄生电阻值。本发明提供的不同的两端口在片校准件模型解决了在太赫兹频段标准件电路模型不完善带来的校准及测量误差，可以提高太赫兹频段在片S参数测试准确度；另外给出了不同两端口在片校准件模型中参数的计算方法。
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公开(公告)号：CN114252831A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111527176.9
申请日：2021-12-14
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R35/00
摘要： 本申请适用于射频/微波/毫米波测试技术领域，提供了太赫兹在片同轴验证及优化选择系统、方法及装置，该太赫兹在片同轴验证及优化选择系统，包括：矢量网络分析仪、第一衰减器、第二衰减器、第一功率分配器和第二功率分配器；该太赫兹在片同轴验证及优化选择方法包括：通过太赫兹在片同轴验证及优化选择系统，对标准件进行同轴模拟验证，确定标准件的组合；基于16项误差模型，计算组合中标准件的测量值与真实值的偏差；根据偏差和被测件的测量值，得到被测件的真实值。本申请通过对标准件的选择，确定了合适的标准件组合，在使用标准件数最小的情况下，使用精度最高的校准标准组合，提高了校准的精确度，进一步提高了太赫兹在片测量的精准度。
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公开(公告)号：CN112098792A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010819047.6
申请日：2020-08-14
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明适用于晶圆级半导体器件微波特性测量技术领域，提供了一种两端口在片校准件模型和参数确定的方法，该方法包括：通过测量第一频段对应的单端口在片校准件模型，得到第一S参数；根据第一S参数计算得到单端口在片校准件模型对应的两端口在片校准件模型的本征电容值；测量太赫兹频段对应的两端口在片校准件模型，得到第二S参数；根据第二S参数和本征电容值，计算得到两端口在片校准件模型的寄生电容值和寄生电阻值。本发明提供的不同的两端口在片校准件模型解决了在太赫兹频段标准件电路模型不完善带来的校准及测量误差，可以提高太赫兹频段在片S参数测试准确度；另外给出了不同两端口在片校准件模型中参数的计算方法。
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公开(公告)号：CN114113960B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202111284370.9
申请日：2021-11-01
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明提供一种GCPW校准件的制备方法及GCPW校准件。该方法包括：确定传输线的横截面尺寸；根据横截面尺寸和GCPW校准件对应的理论最高频率，确定过孔尺寸，多个过孔均匀设置在衬底正面的上地板上、下地板上、衬底以及衬底背面的接地金属上，且在上地板或下地板、衬底以及接地金属的位置对应，形成通孔；对横截面尺寸进行优化，得到最优横截面尺寸；根据最优横截面尺寸和过孔尺寸进行半导体工艺加工，并对加工完成的校准件中的负载校准件的电阻进行激光修阻，对修阻后所有校准件进行定值，得到GCPW校准件。本发明能够减少多模传输线影响，减小系统校准系统误差。
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公开(公告)号：CN112098791B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202010819042.3
申请日：2020-08-14
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明适用于晶原级半导体器件微波特性测量技术领域，提供了一种在片校准件模型及在片校准件模型中参数确定的方法，该在片校准模型包括：表征在片校准件串扰的电阻和表征在片校准件串扰的电容；所述表征在片校准件串扰的电阻与原校准件模型中的元件构成的电路串联，所述表征在片校准件串扰的电容的一端连接在所述表征在片校准件串扰的电阻与原校准件模型中的元件构成的电路的一端之间，所述表征在片校准件串扰的电容的另一端连接在原校准件模型中的元件构成的电路的另一端。本实施例提供的在片校准模型，可以提高太赫兹频段在片S参数测试准确度。
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公开(公告)号：CN113821763B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202110938375.2
申请日：2021-08-16
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供一种在片S参数测量系统校准方法及电子设备。该方法包括：采用待校准的在片S参数测量系统的两个端口分别测量在片直通标准、在片负载标准和在片反射标准，对应得到直通S参数、负载S参数和反射S参数；基于转移参数与S参数的对应关系、直通S参数、负载S参数和反射S参数确定A1/D1的值、B1/D1的值、C1/D1的值；将直通S参数、负载S参数和反射S参数进行端口互换，并根据端口互换后的结果，确定A2/D2的值、B2/D2的值、C2/D2的值，进而确定八项误差。本发明能够提高在片S参数测量系统的测量效率。
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公开(公告)号：CN114113960A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111284370.9
申请日：2021-11-01
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明提供一种GCPW校准件的制备方法及GCPW校准件。该方法包括：确定传输线的横截面尺寸；根据横截面尺寸和GCPW校准件对应的理论最高频率，确定过孔尺寸，多个过孔均匀设置在衬底正面的上地板上、下地板上、衬底以及衬底背面的接地金属上，且在上地板或下地板、衬底以及接地金属的位置对应，形成通孔；对横截面尺寸进行优化，得到最优横截面尺寸；根据最优横截面尺寸和过孔尺寸进行半导体工艺加工，并对加工完成的校准件中的负载校准件的电阻进行激光修阻，对修阻后所有校准件进行定值，得到GCPW校准件。本发明能够减少多模传输线影响，减小系统校准系统误差。
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公开(公告)号：CN113821763A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202110938375.2
申请日：2021-08-16
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供一种在片S参数测量系统校准方法及电子设备。该方法包括：采用待校准的在片S参数测量系统的两个端口分别测量在片直通标准、在片负载标准和在片反射标准，对应得到直通S参数、负载S参数和反射S参数；基于转移参数与S参数的对应关系、直通S参数、负载S参数和反射S参数确定A1/D1的值、B1/D1的值、C1/D1的值；将直通S参数、负载S参数和反射S参数进行端口互换，并根据端口互换后的结果，确定A2/D2的值、B2/D2的值、C2/D2的值，进而确定八项误差。本发明能够提高在片S参数测量系统的测量效率。
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公开(公告)号：CN112098795A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010820400.2
申请日：2020-08-14
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明适用于晶圆级半导体器件微波特性测量技术领域，提供了一种两端口在片校准件模型及参数确定的方法，该方法包括：通过测量第一频段对应的单端口在片校准件模型，得到第一S参数；根据第一S参数计算得到单端口在片校准件模型对应的两端口在片校准件模型的本征电容值；测量太赫兹频段对应的两端口在片校准件模型，得到第二S参数；根据第二S参数和本征电容值，计算得到两端口在片校准件模型的寄生电容值和寄生电阻值。本发明提供的不同的两端口在片校准件模型解决了在太赫兹频段标准件电路模型不完善带来的校准及测量误差，可以提高太赫兹频段在片S参数测试准确度；另外给出了不同两端口在片校准件模型中参数的计算方法。
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公开(公告)号：CN112098794A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010820390.2
申请日：2020-08-14
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明适用于晶原级半导体器件微波特性测量技术领域，提供了一种在片校准件模型中参数确定的方法及终端设备，该方法包括：通过确定基于太赫兹频段的不同在片校准件模型；测量得到不同校准件的S参数；根据不同校准件的S参数，计算不同校准件的导纳；根据不同校准件对应的在片校准件模型，确定不同在片校准件模型对应的导纳公式；根据不同校准件的导纳以及对应的导纳公式，计算不同在片校准件模型中表征不同校准件串扰的参数。本实施例提供的不同在片校准件模型解决了在太赫兹频段标准件电路模型不完善带来的校准及测量误差，可以提高太赫兹频段在片S参数测试准确度；另外给出了不同在片校准件模型中参数的计算方法。
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