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公开(公告)号：CN112289866B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202011085010.1
申请日：2020-10-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/47 , H01L27/08
Abstract: 本发明提供了一种大功率宽带太赫兹倍频肖特基二极管结构，属于半导体器件技术领域，包括多个串联单元，串联单元的数量为偶数，每个串联单元包括多个同向串联的肖特基结；多个串联单元反向并联。本发明提供的大功率宽带太赫兹倍频肖特基二极管结构，利用串联电路和并联电路的原理，采用多个同向串联肖特基结进行反向并联的形式，通过增加肖特基结个数，使得倍频器可以承受更大的输入功率，从而得到更大的输出功率。
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公开(公告)号：CN110197854B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN201910537186.7
申请日：2019-06-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/34
Abstract: 本发明适用于半导体器件制造技术领域，提供了一种氧化镓SBD终端结构，自下至上包括阴极金属层、N+高浓度衬底层、N‑低浓度Ga2O3外延层和阳极金属层，其中所述N‑低浓度Ga2O3外延层在靠近阳极金属层的一定厚度范围内，掺杂浓度自下至上逐渐减小。该结构能够改善氧化镓SBD终端器件的击穿特性，进一步提高其击穿电压。
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公开(公告)号：CN115637492A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211246733.4
申请日：2022-10-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C30B25/18 , C30B25/12 , C30B29/04 , C23C16/458
Abstract: 本发明提供一种双面金刚石的制备方法及双面金刚石。该方法包括：在衬底的上表面和下表面均制备金刚砂种子，得到第一复合衬底；将散热工装放置在金刚石生长炉内的钼托上，散热工装为环形中空结构，在散热工装的侧壁设有穿透侧壁的孔；将第一复合衬底放在所述散热工装上，关闭金刚石生长炉的舱门，在第一复合衬底的双面生长金刚石，得到双面金刚石。本发明能够制备表面均匀平坦的外延金刚石材料。
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公开(公告)号：CN110676308B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN201910967981.X
申请日：2019-10-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及半导体领域，特别涉及一种肖特基二极管的制备方法。该方法包括：在衬底上外延第一n型氧化镓层；在所述第一n型氧化镓层上制备再生长掩膜层；其中，所述再生长掩膜层位于待制备的凹槽结构所对应的区域；制备再生长掩膜层后，外延第二n型氧化镓层；其中，所述再生长掩膜层的厚度与所述第二n型氧化镓层的厚度满足预设条件；通过湿法腐蚀将所述再生长掩膜层和所述再生长掩膜层上方的所述第二n型氧化镓层去除，形成凹槽结构；在形成凹槽结构后，淀积绝缘介质层；将与所述凹槽结构对应区域以外的绝缘介质层去除；生长阳极和阴极。上述方法可以避免制备凹槽终端结构时的刻蚀损伤，可精准控制凹槽深度。
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公开(公告)号：CN112485734B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202011035888.4
申请日：2020-09-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R33/032
Abstract: 本发明涉及金刚石色心制备技术领域，具体公开一种提高金刚石NV色心荧光收集效率的方法。所述提高金刚石NV色心荧光收集效率的方法，包括如下工艺步骤：a、取长方体金刚石，使用2‑10MeV电子束对其进行辐照；b、将经过所述辐照后的所述金刚石在1‑5‑10‑5mbar、850‑1000℃下退火；c、去除完成所述退火后的所述金刚石表面的氧化层和杂质，在所述金刚石相对的两个侧面分别连接光纤，剩余的四个面镀上全反射镀层。本发明提供的提高金刚石NV色心荧光收集效率的方法可以使单晶金刚石色心腔体达到类似光纤腔体的高效率荧光反射与收集的效果，显著增加金刚石NV色心的荧光收集效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111599745B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202010484913.0
申请日：2020-06-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 本发明适用于太赫兹技术领域，提供了一种太赫兹二极管电路装配板及其制备方法，该太赫兹二极管电路装配板包括：用于装配太赫兹二极管的电路基板，还包括：多个太赫兹二极管定位桩；其中多个太赫兹二极管定位桩设置于电路基板上，位于电路基板的太赫兹二极管预置位置的两侧，用于固定所述太赫兹二极管。本发明通过设置在用于装配太赫兹二极管的电路基板上，位于电路基板的太赫兹二极管预置位置的两侧的多个太赫兹二极管定位桩，有利于太赫兹二极管装配位置的定位，可以将太赫兹二极管准确且牢固地固定到电路基板上，有利于由太赫兹二极管装配构成的最终电路性能的稳定。
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公开(公告)号：CN112951917B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202110125788.9
申请日：2021-01-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于半导体制造技术领域，提供了一种氧化镓场效应晶体管及制备方法。所述氧化镓场效应晶体管，包括衬底、形成在所述衬底上的n型氧化镓沟道层、分别形成在所述n型氧化镓沟道层两端的源电极和漏电极、以及设置在所述源电极和漏电极之间的栅介质层和栅电极；在所述n型氧化镓沟道层中、栅电极的下方设有p型离子注入区，所述p型离子注入区的深度由靠近所述源电极的一端向靠近所述漏电极的一端逐渐变浅。本发明提供的氧化镓场效应晶体管，不仅可以有效平滑沟道电场分布，有效抑制沟道尖峰电场强度，进而大幅改善器件击穿电压，而且可以保持低的沟道电阻，从而有效降低氧化镓MOSFET的导通电阻。
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公开(公告)号：CN111146078B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN201911376545.1
申请日：2019-12-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种AlN薄膜的制备方法。所述制备方法为：将清洗后的衬底放入反应腔内，并对衬底进行热处理；向所述反应腔内通入氮源；将所述反应腔内的温度升至预设的第一温度，并向所述反应腔内通入Al源，以进行AlN层的生长；当达到预设条件时，停止向所述反应腔内通入Al源，并将所述反应腔内的温度降至预设的第二温度，以终止当前AlN层的生长；重复进行N‑1次所述步骤c至所述步骤d的操作，以生长出包括N层AlN层的AlN薄膜，其中，N为大于1的整数。本发明采用重复生长的方法生长AlN薄膜，能够在较低温度生长高质量AlN外延薄膜，具有很宽的工艺窗口。
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公开(公告)号：CN110416290B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN201910695737.2
申请日：2019-07-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/16 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明适用于晶体管制备技术领域，提供了一种金刚石晶体管制备方法，该方法包括：提供氢终端金刚石，在氢终端金刚石上制备源极和漏极；将预先制备的栅介质层转移贴合在制备有源极和漏极的氢终端金刚石上；在栅介质层上制备栅极，得到金刚石晶体管。通过转移栅介质层避免高温制备栅介质层破坏氢终端金刚石的沟道，从而避免了晶体管电流密度的退化。
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公开(公告)号：CN115206800A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210640920.4
申请日：2022-06-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/329 , H01L23/373 , H01L23/367 , H01L29/872
Abstract: 本发明提供一种砷化镓基太赫兹倍频肖特基二极管及其制备方法。该制备方法包括：在金刚石基片上生长砷化镓多晶薄膜层，其中，砷化镓多晶薄膜层为半绝缘砷化镓；在砷化镓多晶薄膜层上制备肖特基二极管的器件层。本发明能够通过在金刚石基片上直接生长砷化镓多晶薄膜层，在此基础上制备肖特基二极管，金刚石基片代替砷化镓衬底作为肖特基二极管的结构支撑，工艺流程简单，生产周期短，可靠性高，提升了砷化镓基太赫兹倍频肖特基二极管的散热性能。
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