公开(公告)号：CN118625089A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202411054456.6

申请日：2024-08-02

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 陈义强 ,  龙浩帆 ,  侯波 ,  周长见

IPC: G01R31/26 ,  G01R19/12 ,  G01R31/27

Abstract: 本发明提供了一种功率转换电路开关器件退化机制监测方法，在单独判断开关器件内部缺陷的退化机制时，通过电流变化率的变化趋势，确认为氧化层缺陷密度增加或界面缺陷密度增加引起开关器件内部缺陷退化。而开关器件还会出现封装退化，封装出现退化时，会导致开关器件的串联电阻增加，电流变化率增大，进而在判断开关器件封装和内部缺陷的退化机制时，通过电流变化率减小确认为氧化层缺陷密度增加引起开关器件内部缺陷退化；电流变化增大时，通过导通电阻和低频噪声检测二次检测，确认出准确封装和/或界面缺陷密度增加引起开关器件出现退化。

公开(公告)号：CN117723163B

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202410172490.7

申请日：2024-02-07

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 王宏跃 ,  柳月波 ,  陈义强 ,  何小琦

IPC: G01K11/125 ,  G01R31/26

Abstract: 本申请涉及一种GaN HEMTs器件结温测试装置及方法。GaN HEMTs器件结温测试装置包括：样品台，样品台包括本体和分液管道，本体开设有用于容置分液管道的容纳腔，本体还用于承载待测器件；测温模块，用于测量本体表面的实际温度；冷却设备，用于根据实际温度和预设温度范围调节流过分液管道的冷却液的流量，以使本体表面的温度维持在预设温度范围内；反射率热成像设备，用于获取待测器件对可见光的反射率，并基于反射率获取结温测试结果。本申请的GaN HEMTs器件结温测试装置及方法能使样品台表面的温度始终维持在预设温度范围内，避免由于样品台温度不稳定而影响待测器件对可见光的反射率，导致最终测试结果不准确的情况发生，提高结温测试结果的准确性。

公开(公告)号：CN118133728A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202311725084.0

申请日：2023-12-14

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 何世烈 ,  刘俊斌 ,  周振威 ,  陈义强 ,  赵振博 ,  路国光

IPC: G06F30/30

Abstract: 本申请涉及一种电路生成方法、装置、计算机设备、存储介质和程序产品。所述方法包括：获取用户输入的电路需求信息；根据所述电路需求信息从电路模板数据库中存储的多个电路模板中筛选得到至少一个目标电路模板，并计算各所述目标电路模板的初始参数信息；根据各所述目标电路模板的初始参数信息和电路元件参数库中存储的多个第一电路元件的标准参数值，获取各所述目标电路模板的目标参数信息；根据各所述目标电路模板和各所述目标电路模板的目标参数信息，生成多个目标电路。采用本方法能够提高电路设计效率。

公开(公告)号：CN118011291A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202410157404.5

申请日：2024-02-04

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 王磊 ,  黄权 ,  李键坷 ,  邵伟恒 ,  陈义强 ,  路国光 ,  恩云飞

IPC: G01R33/06 ,  G01R29/08

Abstract: 本申请涉及磁场探测技术领域，特别是涉及一种磁场测量探头和系统。磁场测量探头包括基础环形线圈和反相巴伦；环形线圈与反向巴伦连接；基础环形线圈，用于探测目标磁场的初始磁场信号，并将初始磁场信号传输至反相巴伦；反相巴伦，用于对初始磁场信号进行相位反转，得到目标磁场信号，本申请在通过磁场测量探头对目标磁场进行磁场测试时，并未采用有源放大电路，因此，本申请相比起传统技术中通过引入有源放大电路的磁场测量探头进行磁场测量的方式，能够有效降低磁场测量探头的生产成本，能够实现针对磁场测量探头的大规模批量生成，并且，可实现针对目标磁场的有效磁场检测，得到目标磁场信号。

公开(公告)号：CN116879702B

公开(公告)日：2024-04-23

申请号：CN202310848200.1

申请日：2023-07-11

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 陈媛 ,  史益典 ,  侯波 ,  贺致远 ,  陈义强 ,  施宜军 ,  蔡宗棋

IPC: G01R31/26

Abstract: 本申请涉及一种SiC MOSFET功率循环退化机理的在线诊断方法、系统、装置、计算机设备、计算机可读存储介质、计算机程序产品。该方法包括：控制待测的SiC MOSFET工作在预设状态下，其中，SiC芯片包括栅极、漏极、第一源极，SiC MOSFET还包括第二源极。获取第一电压信号、第二电压信号、第一电流信号。在确定SiC MOSFET失效的情况下，根据第一电压信号、第二电压信号、第一电流信号，确定SiC MOSFET的失效机理，其中，失效机理包括SiC芯片失效和封装组件失效中的至少一种。采用本申请的方法，能够在功率循环试验中SiC MOSFET失效时，确定出SiC MOSFET失效的原因具体是SiC MOSFET的芯片本身失效，还是封装组件失效，避免依据单一退化参数的判据而发生误判。

公开(公告)号：CN112731091B

公开(公告)日：2024-04-23

申请号：CN202011382276.2

申请日：2020-12-01

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 陈媛 ,  贺致远 ,  陈义强 ,  侯波 ,  刘昌

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明涉及SiC MOSFET试验技术领域，公开了一种SiC MOSFET功率循环试验方法和试验电路，包括确定SiC MOSFET的沟道关断电压值和沟道导通电压值；在功率循环试验中，根据沟道导通电压值和沟道关断电压值分别将SiC MOSFET的栅源电压设置为第一电压和第二电压，以使SiC MOSFET在导通时间内升温或在关断时间内降温。监测导通瞬间和关断瞬间SiC MOSFET的结温变化，并根据结温变化判断SiC MOSFET的退化状况。通过预先获取SiC MOSFET的沟道关断电压值，保证在功率循环试验中SiC MOSFET的沟道完全关断，防止因SiC MOSFET的沟道未完全关断而导致结温监测不准确的问题。同时，保证在一个试验循环周期内SiC MOSFET器件经历同样的正偏压应力和负偏压应力，以减少阈值电压漂移导致的结温监测不准确问题。

公开(公告)号：CN117453143A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202311623071.2

申请日：2023-11-29

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 何世烈 ,  陈义强 ,  周振威 ,  刘俊斌 ,  俞鹏飞 ,  孟苓辉 ,  余陆斌 ,  路国光 ,  许洋东

IPC: G06F3/06

Abstract: 本申请涉及一种数据缓冲区的管理方法、装置，方法包括：获取数据采集通道关联的缓冲区序列，缓冲区序列包括的多个缓冲区位于不同的连续地址空间内，不同数据采集通道的缓冲区序列中相同次序的缓冲区属于相同的连续地址空间；接收到数据采集通道关联的写操作，确定数据采集通道的当前写缓冲区；在当前写缓冲区已满的情况下，确定当前写缓冲区在缓冲区序列中的次序，并基于次序确定目标写缓冲区；获取正在执行的读操作关联的读缓冲区，在读缓冲区与目标写缓冲区不重叠的情况下，确定目标写缓冲区的写地址；向写地址写入所述写操作关联的采集数据。采用本方法能够在有限的硬件条件下提升硬件资源的利用率从而提升数据采集效率。

公开(公告)号：CN117372343A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202311252047.2

申请日：2023-09-26

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 黄权 ,  孙宸 ,  武慧薇 ,  陈义强 ,  路国光

IPC: G06T7/00 ,  G06T7/62 ,  G06T7/73 ,  G06V10/764

Abstract: 本申请涉及一种芯片空洞的检测方法、装置、设备、存储介质和程序产品。该方法包括：对目标芯片图像中的空洞和芯片进行识别，得到空洞信息和芯片信息；根据空洞信息和芯片信息，对目标芯片图像内的芯片进行空洞检测，得到检测结果；检测结果用于表征芯片是否合格。采用本方法能够提高芯片检测效率。

公开(公告)号：CN116879702A

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202310848200.1

申请日：2023-07-11

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 陈媛 ,  史益典 ,  侯波 ,  贺致远 ,  陈义强 ,  施宜军 ,  蔡宗棋

IPC: G01R31/26

Abstract: 本申请涉及一种SiC MOSFET功率循环退化机理的在线诊断方法、系统、装置、计算机设备、计算机可读存储介质、计算机程序产品。该方法包括：控制待测的SiC MOSFET工作在预设状态下，其中，SiC芯片包括栅极、漏极、第一源极，SiC MOSFET还包括第二源极。获取第一电压信号、第二电压信号、第一电流信号。在确定SiC MOSFET失效的情况下，根据第一电压信号、第二电压信号、第一电流信号，确定SiC MOSFET的失效机理，其中，失效机理包括SiC芯片失效和封装组件失效中的至少一种。采用本申请的方法，能够在功率循环试验中SiC MOSFET失效时，确定出SiC MOSFET失效的原因具体是SiC MOSFET的芯片本身失效，还是封装组件失效，避免依据单一退化参数的判据而发生误判。

公开(公告)号：CN116381441A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310250336.2

申请日：2023-03-15

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 刘昌 ,  蔡宗棋 ,  贺致远 ,  陈义强 ,  来萍

IPC: G01R31/26

Abstract: 本申请涉及一种半导体器件失效分析方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法应用于测试系统，测试系统包括透明腔体、电力接口和图像采集设备，透明腔体用于放置待测半导体器件，所述方法包括：在透明腔体内的测试环境信息和待测半导体器件的电学偏置条件满足预设测试环境信息和预设电学偏置条件时，通过电力接口获取待测半导体器件的电学输出信息和电学输入信息；根据电学输出信息确定待测半导体器件是否放电；若放电，则通过图像采集设备采集待测半导体器件放电时的图像信息，并根据图像信息、电学输出信息、电学输入信息和测试环境信息确定待测半导体器件的失效信息。采用本方法能够确定半导体器件在低气压环境下放电的失效信息。