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公开(公告)号：CN111933322A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010812110.3
申请日：2020-08-13
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明公开了一种耐高温中子屏蔽组件，包括包壳、以及填充在包壳内的屏蔽材料；所述屏蔽材料的原料包括无机非金属凝胶材料和碳化硼，所述碳化硼的质量百分含量为60％-90％；所述屏蔽材料的密度为1.8g/cm3-2.4g/cm3，通过浇注工艺制备。本发明屏蔽组件由不锈钢包壳与填充在不锈钢包壳中的屏蔽材料构成，屏蔽材料为一整块，无拼接缝，该屏蔽组件应用于核反应堆压力容器外侧或主管道外侧，保温层内侧，可使用温度高于300℃，生产成本不到碳化硼陶瓷块的30％，且没有拼接缝，具有比碳化硼陶瓷块屏蔽组件更好的屏蔽效果，可代替碳化硼陶瓷块应用于三代反应堆保温层屏蔽组件中。
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公开(公告)号：CN102728834A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210165457.9
申请日：2012-05-25
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: B22F3/10
Abstract: 本发明公开了一种导电材料的涡流烧结方法，包括步骤：（a）首先，将压制好的可导电坯体放置于涡流烧结装置内；（b）然后，营造涡流烧结氛围；（c）接着，打开涡流烧结装置的电源，对可导电坯体直接加热到坯体所需的烧结温度，保温10～15分钟；（d）最后，关闭涡流烧结装置的电源，将可导电坯体降温后取出，整个烧结过程结束。本发明还公开了一种导电材料的涡流烧结装置。本发明公开的方法直接对坯体加热，不需要对其它发热体进行加热，加热集中，效率高；易于实现超高温加热，易于实现产品的连续批量化生产。本发明公开的装置结构简单，设备成本和使用成本低，不需模具更换。
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公开(公告)号：CN105913888B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201610303243.1
申请日：2016-05-10
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G21C21/18 , G21C7/24 , C04B35/563 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种高温气冷堆控制棒用核级碳化硼芯块制备方法，以核级碳化硼粉为原料，经混料、烘干、制粒、钢模成型、冷等静压处理、生坯加工、脱脂、烧结、机加工九步制得高温气冷堆控制棒用大尺寸核级碳化硼芯块，可批量化，近净尺寸制备出大尺寸碳化硼芯块，用无压烧结工艺代替热压工艺，解决了核级大尺寸碳化硼芯块生产成本高与效率低的问题，可直接用于高温气冷堆控制棒用碳化硼芯块的生产。
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公开(公告)号：CN107342113A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710600246.6
申请日：2017-07-21
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明公开了一种耐高温耐辐照无机屏蔽材料，包括无机胶凝材料、屏蔽功能组分，屏蔽功能组分为氢氧化物、中子吸收组分、伽玛射线屏蔽组分中的任意一种或大于等于两种以上组分的组合，本技术方案以无机胶凝材料、氢氧化物、中子吸收组分为主要成分，长期使用温度可达230℃，对快中子、中能中子、热中子等均具有较高的屏蔽效率，提高了中子屏蔽材料的使用温度，是中子屏蔽材料种类的一项有力补充，提高了反应堆屏蔽系统设计的灵活性，解决了传统有机屏蔽材料在服役中所面临的辐照老化和热老化问题以及在高温环境下无中子屏蔽材料可用的问题。
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公开(公告)号：CN102728834B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201210165457.9
申请日：2012-05-25
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: B22F3/10
Abstract: 本发明公开了一种导电材料的涡流烧结方法，包括步骤：（a）首先，将压制好的可导电坯体放置于涡流烧结装置内；（b）然后，营造涡流烧结氛围；（c）接着，打开涡流烧结装置的电源，对可导电坯体直接加热到坯体所需的烧结温度，保温10～15分钟；（d）最后，关闭涡流烧结装置的电源，将可导电坯体降温后取出，整个烧结过程结束。本发明还公开了一种导电材料的涡流烧结装置。本发明公开的方法直接对坯体加热，不需要对其它发热体进行加热，加热集中，效率高；易于实现超高温加热，易于实现产品的连续批量化生产。本发明公开的装置结构简单，设备成本和使用成本低，不需模具更换。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104292609A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201310294900.7
申请日：2013-07-15
Applicant: 中国核动力研究设计院
CPC classification number: C08K9/06 , C08K3/08 , C08K3/22 , C08K3/38 , C08K2003/2234 , C08K2201/003 , C08L2201/08 , C08L23/12
Abstract: 本发明公开了一种耐热复合屏蔽材料，它由13.5%~17.7%重量份数的聚丙烯、1%~2%重量份数的碳化硼粉、0.3%~0.5%重量份数的硅烷偶联剂以及81%~84%重量份数的铅粉或氧化铅粉组成。本发明还公开了一种耐热复合屏蔽材料的制备方法。本发明的优点在于，采用了熔点高，耐热性能好的聚丙烯，使本发明具备更好的耐热性能；优化了碳化硼，铅的含量，使屏蔽材料具有更好的中子与γ射线综合屏蔽性能。
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公开(公告)号：CN105924169B
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201610280704.8
申请日：2016-04-28
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G21C3/62 , C04B35/51 , C04B35/622
CPC classification number: Y02E30/38
Abstract: 本发明公布了本发明一种以废旧UO2粉料为原料的高密度UO2芯块制备方法，首先将废旧UO2粉料装到钼舟中，在烧结炉中氢气保护下500‑550℃，保温2小时；然后放到装有氧化铝球磨石的聚胺脂球磨罐中，倒入介质，在球磨机内球磨2～4小时，然后粉料烘干，过筛；加入0.5％聚乙烯醇溶液混料，然后进行烘干并造粒；200‑300MPa的压力下成型制成生坯，在氢气气氛下1680～1730℃保温2小时后，烧结成芯块。本发明解决废旧UO2粉料烧结活性低、无法制备出高密度UO2芯块的问题，与传统的湿法重溶工艺相比，工艺流程大幅简化，提高了UO2粉末的利用率，并减少了放射性废物的排放量，降低了芯块生产成本，使废旧UO2粉料得到重新利用，既解决了UO2芯块的制备问题，又解决了废旧UO2粉料的处理问题。
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公开(公告)号：CN105913888A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610303243.1
申请日：2016-05-10
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G21C21/18 , G21C7/24 , C04B35/563 , C04B35/64
CPC classification number: Y02E30/33 , Y02E30/39 , G21C21/18 , C04B35/563 , C04B35/64 , C04B2235/668 , G21C7/24
Abstract: 本发明公开了一种高温气冷堆控制棒用核级碳化硼芯块制备方法，以核级碳化硼粉为原料，经混料、烘干、制粒、钢模成型、冷等静压处理、生坯加工、脱脂、烧结、机加工九步制得高温气冷堆控制棒用大尺寸核级碳化硼芯块，可批量化，近净尺寸制备出大尺寸碳化硼芯块，用无压烧结工艺代替热压工艺，解决了核级大尺寸碳化硼芯块生产成本高与效率低的问题，可直接用于高温气冷堆控制棒用碳化硼芯块的生产。
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公开(公告)号：CN117344195A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311572044.7
申请日：2023-11-23
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明公开了一种钨硼不锈钢复合材料及其制备方法，涉及屏蔽材料技术领域，包括硼钨化合物，所述硼钨化合物颗粒弥散在不锈钢基体内。该钨硼不锈钢复合材料弥散相硼与钨的化合物密度高，钨是一种化学性质稳定的重金属元素，具有较高的伽玛屏蔽效率；硼元素对中能与低能中子具有较高的中子吸收截面，是一种高效中子屏蔽组分，各种组分的硼化钨材料与不锈钢具有较好的相容性，在不锈钢的烧结及其他热加工温度下，不与不锈钢基体发生反应，把硼与钨的化合物弥散在不锈钢基体中，可制备出中子屏蔽性能、伽玛屏蔽性能均优于传统硼不锈钢的复合材料。
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公开(公告)号：CN110358177A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910724274.8
申请日：2019-08-07
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明公开了一种含硼聚乙烯棒及其制备工艺，所述含硼聚乙烯棒通过含硼聚乙烯材料经过挤出成型工艺制备，碳化硼5％～40％，偶联剂0.5％～2.5％，抗辐照老化剂0.5％～3.0％，余量为聚乙烯和聚乙烯蜡，其中聚乙烯蜡的含量为聚乙烯含量的5％～15％；聚乙烯为超高分子量聚乙烯，其分子量≥200万。本发明所述含硼聚乙烯棒不仅强度能够满足需求，并且高温变形小、耐辐照性能好且重量轻，适用于乏燃料后处理专用设备的防临界，可提高设备整体安全性与可靠性，同时，采用挤出成型不仅尺寸精度高、且生产效率较高，材料浪费小。
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