一种大晶粒氧化铀烧结方法及燃料芯块

    公开(公告)号:CN118239779A

    公开(公告)日:2024-06-25

    申请号:CN202410341057.1

    申请日:2024-03-25

    Abstract: 一种大晶粒氧化铀烧结方法,包括以下步骤:提供氧化铀原料粉末,并掺入包括Cr2O3和TiO2的掺杂剂和润滑剂得到混合粉体;将混合粉体压制为生坯;在氢气气氛下对生坯进行烧结,烧结温度1700℃‑1800℃,得到氧化铀烧结体。该方法采用Cr2O3和TiO2混合作为掺杂剂,能够有效提高烧结产物的晶粒尺寸,同时抑制纯氢气氛围中TiO2与挥发性Cr对烧结产物致密度的负面影响,提高大晶粒氧化铀烧结质量。本发明还提供一种大晶粒氧化铀燃料芯块。

    一种高孔隙率碳化铀基多孔陶瓷材料的制备方法

    公开(公告)号:CN117430418A

    公开(公告)日:2024-01-23

    申请号:CN202311384191.1

    申请日:2023-10-24

    Abstract: 一种高孔隙率碳化铀基多孔陶瓷材料的制备方法,涉及泡沫陶瓷材料制备技术领域,本发明是要解决现有碳化铀多孔陶瓷材料孔隙率较低、微结构调控困难、操作过程中可能存在放射性粉末污染的问题,该方法包括如下步骤:1)前驱体溶液配制;2)将多孔模板置于前驱体溶液中浸渍,随后在空气中干燥,上述步骤循环1~6次,获得多孔材料坯体;3)多孔材料坯体高温陶瓷化处理,得到碳化铀基多孔陶瓷材料。本发明提供的碳化铀基多孔陶瓷材料的制备方法,可避免放射性粉尘污染问题,实验工艺简单,操作控制方便。制得的碳化铀基多孔陶瓷材料孔隙率高,微结构可调,可以满足其在线同位素分离技术领域的应用。

    一种碲化铋热电材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN112500164B

    公开(公告)日:2022-05-27

    申请号:CN202011466507.8

    申请日:2020-12-14

    Abstract: 本发明属于热电材料技术领域,公开了一种碲化铋热电材料的制备方法,包括如下步骤:步骤一、按照N型碲化铋材料的化学式Xw/Bi2Te2.7‑wSe0.3称取Bi、Te和Se单质粉末为原料,或者按照P型碲化铋材料的化学式Xw/Bi0.5‑wSb1.5Te3称取Bi、Sb和Te单质粉末为原料,X为掺杂元素,w为掺杂元素X的化学计量比,范围为0≤w≤0.1;步骤二、将上述原料混合均匀后置于加装等离子发生器的球磨罐中进行高能球磨;步骤三、将球磨之后的罐体内的粉体在惰性气体下转移至烧结模具中进行烧结,烧结分两次进行,冷却后得到碲化铋热电材料。本发明首次结合等离子球磨和放电等离子烧结技术制备高性能碲化铋材料,该方法具有速度快,粉体成分可控,能耗小、适合大批量生产。

    一种双层复合质子导体材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN111028977A

    公开(公告)日:2020-04-17

    申请号:CN201911345372.7

    申请日:2019-12-24

    Applicant: 东北大学

    Inventor: 厉英 丁玉石

    Abstract: 一种双层复合质子导体材料及其制备方法,材料由基体部分和涂层部分组成的双层结构,基体部分分子式A1-yA′yB1-zB′zO3-α,涂层部分分子式A3(B′1+xB″2-x)O9-γ;制备方法为:(1)准备第一A原料、第一B′原料和B″原料,混合球磨获得混合粉体Ⅰ;(2)混合粉体Ⅰ压制成块,煅烧制成煅烧物料Ⅰ;(3)准备第二A原料、B原料、A′原料和第二B′原料,混合球磨,获得混合粉体Ⅱ;(4)混合粉体Ⅱ压制成块,煅烧制成煅烧物料Ⅱ;(5)将煅烧物料Ⅱ压制制成基体坯料;采用共压、流延、旋涂、磁控溅射或激光沉积方法,将煅烧物料Ⅰ覆盖在基体坯料上形成涂层;(6)双层坯料烧结。本发明的产品在保证材料具有较高的质子电导率,极大的限制材料中的电子导电。

    氧化镎靶件芯块制备工艺

    公开(公告)号:CN106847353B

    公开(公告)日:2018-07-06

    申请号:CN201710007383.9

    申请日:2017-01-05

    CPC classification number: Y02E30/40

    Abstract: 本发明属于核材料制备领域。为解决现有氧化镎靶件制备工艺中存在的总体镎装载量较低,生产成本较高,工艺较为复杂等问题,本发明提供了一种氧化镎靶件芯块制备工艺。该工艺包括以下步骤:(一)取氧化镎粉末与氧化镁粉末作为靶件芯块原料;(二)取出部分氧化镎粉末与氧化镁粉末混合,得到初混粉末;(三)加入剩余的氧化镎粉末和硬脂酸继续混合,得到混合粉末;(四)冷压成型,制成靶件芯块生坯;(五)无压烧结,制得氧化镎靶件芯块。本发明的制备工艺具有工艺流程简单,成本低等优点,所制得的氧化镎靶件芯块总体镎装载量高,中子利用率高,且具备较高热导率,在堆内辐照性能好,便于化学溶解提取,适用于238Pu燃料的大规模生产。

    一种氧化钍导电陶瓷材料的制备方法

    公开(公告)号:CN103819190A

    公开(公告)日:2014-05-28

    申请号:CN201310745856.7

    申请日:2013-12-23

    Abstract: 本发明提供一种导电陶瓷材料的制备方法,该材料由氧化钍、氧化锆、二氧化钼、氧化铜、氧化铅、三氧化二镍、三氧化二铁、氧化锌组成,其组分重量比为40-60%:20-30%:15-20%:1-2%:0.5-2%:1.5-2%:1-2%:1-2%,其特征在于首先将纯净的氧化钍进行球磨10-20小时,接着进行烘干和300目筛处理,接着将纯净的二氧化钼进行球磨5-10小时,其中二氧化钼:球:水为1∶2∶1,接着进行烘干和200目筛处理,接着按照以上组分配比混合配料,将上述配料研磨2-5小时后,加入15-20wt%的PVA水溶液进行造粒、过20-40目筛和干燥处理,接着以1-4吨的压力挤压成型,然后将其放入烧结炉中在氧化气氛和烧成温度1400-1600℃下进行烧结,随后保温3-5小时后自然冷却。

    一种高光学质量的Ho2Zr2O7磁光陶瓷的制备方法

    公开(公告)号:CN113880578B

    公开(公告)日:2022-11-01

    申请号:CN202111365742.0

    申请日:2021-11-05

    Applicant: 宁波大学

    Inventor: 吕滨 胡良斌

    Abstract: 本发明涉及一种高光学质量的Ho2Zr2O7磁光陶瓷的制备方法。将五水合硝酸钬与五水合硝酸锆溶于去离子水充分混合制成母盐溶液,将母盐溶液加入至雾化器中雾化,将雾状液滴通入立式管式炉中,同时用计量泵通入氯化铯溶液作为分散剂;经过立式管式炉低温焙烧获得中间产物,再经高温煅烧得到Ho2Zr2O7陶瓷粉体;随后对其预压、冷等静压成型、真空烧结、退火以及打磨抛光,得到Ho2Zr2O7磁光陶瓷。优点是:所得陶瓷粉料的分散性好且粒径均匀;利用该粉料能够制备出光学质量优异、费尔德常数高的Ho2Zr2O7磁光陶瓷,在高平均功率激光系统中具有较高的应用潜力。

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