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公开(公告)号：CN111326952A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN202010084707.0
申请日：2020-02-10
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01S5/40
Abstract: 本发明公开了一种基于片上调控半导体激光芯片的光谱合束装置，包括半导体激光光源、变换透镜和第一光栅；半导体激光光源包括有片上调控的半导体激光阵列和准直透镜；半导体激光光源输出的激光束入射到变换透镜上，将阵列上各激光束的空间位偏移变换为角度偏差并入射到光栅上发生衍射，实现共孔径合束输出；或使变换透镜和第一光栅替换为第二光栅和第三光栅，将激光束入射到第二光栅上发生衍射，衍射后的光束再射入第三光栅上发生衍射并实现共孔径合束输出。本发明可直接在片上发光单元所出射的激光的中心波长以一定的光谱间隔进行锁定，实现了光谱锁定调控部分与光谱合成光路的解耦合，缩减了系统尺寸，增加了系统的可靠性及工程可行性。
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公开(公告)号：CN109873295A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201910308289.6
申请日：2019-04-17
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种片上集成级联放大半导体激光器，其包括脊型区、片上DBR光栅结构、锥型区以及外延波导；DBR光栅结构设置于所述脊型区上；脊型区为脊型波导结构，锥型区为增益波导结构；外延波导具有一阶阶梯厚度，脊型区设置于外延波导较薄侧，锥型区设置于外延波导较厚侧，脊型区和所述锥型区级联。本设计的激光器较传统单纯利用锥型增益结构的激光放大方式，可以更加充分地利用锥型区增益，基于等光通量的原理，可以在模体积扩展的同时，保持了基模特性，保证了近衍射极限激光的光学质量，从而实现了亮度的大幅提升。
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公开(公告)号：CN109412021A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811418947.9
申请日：2018-11-26
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于准直再定向离轴抛物面反射镜的精密空间合束装置，该方案包括有两路子光源、两路子光源相互平行传输，一路子光源直接射入偏振合束镜PBS，另一路子光源经过反射镜反射90度后通过1/2λ波片后射入偏振合束镜PBS，偏振合束镜PBS输出的光束经过非球面聚焦镜后作为输出光输出；该方案能解决ＤＬ光纤耦合模块中结构复杂、集成度低、合束效率低下等问题。
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公开(公告)号：CN108321665A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201810293233.3
申请日：2018-03-30
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
CPC classification number: H01S3/0405 , H01S3/042
Abstract: 本发明提供了一种抑制板条与冷却器焊接后静态波前畸变的封装结构，该方案包括有板条激光增益介质、第一冷却器、第二冷却器、第一次热层、第二次热层以及焊料层；板条激光增益介质的上、下表面上分别设置有第一次热层和第二次热层；第一次热层的上表面上设置有第一冷却器；第二次热层的下表面上设置有第二冷却器；板条激光增益介质、第一次热层、第二次热层、第一冷却器、第二冷却器之间均设置有焊料层。该封装结构很好的解决了板条激光增益介质与冷却器在焊接过程中因材料膨胀系数差异、焊料层空洞等原因导致板条在封装过程中产生较大静态波前畸变的问题。
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公开(公告)号：CN106025792A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610288226.5
申请日：2016-05-04
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
CPC classification number: H01S5/06 , H01S5/06821
Abstract: 本发明提供了一种利用光谱合成改善三基色激光白光光源光谱成分的装置，该方案为半导体激光芯片阵列发出的激光依次经过快、慢轴准直镜准直，由空间变换透镜变换后，入射到光栅上合束输出至输出耦合镜，输出耦合镜将部分光线反射回到半导体激光器阵列形成波长锁定，部分光线透过输出耦合镜入射到反射镜系统，在经过光纤耦合透镜耦合注入光纤，三色激光在光纤中经过多次反射被匀化混合后输出。该方案通过光谱合成模块拓宽半导体激光芯片出射激光光谱范围，能够有效改善半导体激光阵列的光谱特性，在一定程度上抑制光谱漂移。降低装置对环境温度等的影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110549360B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201910953160.0
申请日：2019-10-09
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: B25J15/02
Abstract: 本发明公开了一种光学元件夹持装置和方法，属于光学元件夹持领域，左夹持臂的末端夹持面和右夹持臂的末端夹持面均对应设有大直径柱面和小直径柱面；大直径柱面和小直径柱面平行，且大直径柱面比小直径柱面更靠近端部，使夹紧光学元件时，大直径柱面比小直径柱面先接触光学元件两侧的非光通区平行平面。本发明的一种光学元件夹持装置和方法，能够稳定夹持小尺寸光学元件，不会造成光学元件的破坏。
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公开(公告)号：CN112310801A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202011235994.7
申请日：2020-11-09
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01S5/024
Abstract: 本发明公开了一种相变冷却半导体激光装置，采用一体化设计，包括具有腔体的壳体，所述壳体内部设置导热材料制成的分隔板，将腔体由上到下分隔成第一腔体和第二腔体，所述第一腔体内设置半导体激光模块，所述第二腔体内填充相变冷却材料；所述第二腔体底部设置排热底板，所述排热底板连接热管。采用本发明的一种相变冷却半导体激光装置，能够实现半导体激光产生的热量高效排散，保证激光器的正常工作温度。
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公开(公告)号：CN109873295B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201910308289.6
申请日：2019-04-17
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种片上集成级联放大半导体激光器，其包括脊型区、片上DBR光栅结构、锥型区以及外延波导；DBR光栅结构设置于所述脊型区上；脊型区为脊型波导结构，锥型区为增益波导结构；外延波导具有一阶阶梯厚度，脊型区设置于外延波导较薄侧，锥型区设置于外延波导较厚侧，脊型区和所述锥型区级联。本设计的激光器较传统单纯利用锥型增益结构的激光放大方式，可以更加充分地利用锥型区增益，基于等光通量的原理，可以在模体积扩展的同时，保持了基模特性，保证了近衍射极限激光的光学质量，从而实现了亮度的大幅提升。
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公开(公告)号：CN110961846A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201911407972.1
申请日：2019-12-31
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: B23K37/04
Abstract: 本发明公开了一种用于半导体激光器中COS焊接夹具，属于COS焊接技术领域，包括承载定位组件和至少一个的悬臂弹簧探针组件；承载定位组件用于承载和定位管壳底座；悬臂弹簧探针组件包括至少一个的定位杆、和定位杆一一对应的压簧、至少一个的弹簧探针、悬臂支架和锁紧件；定位杆设在承载定位组件上，且定位杆外套有压簧；压簧压缩在承载定位组件和悬臂支架之间；定位杆穿过悬臂支架；锁紧件用于将悬臂支架限定在离承载定位组件一定距离位置；弹簧探针设在悬臂支架上，用于将COS压在管壳底座上设有的焊料上。本发明的一种用于半导体激光器中COS焊接夹具，能够有效防止COS在焊接过程中产生位移偏差，提高COS定位准确性。
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公开(公告)号：CN109149359A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811276335.0
申请日：2018-10-30
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
CPC classification number: H01S5/1014 , H01S5/125 , H01S5/22
Abstract: 本发明提供了一种锥形半导体激光器，该方案包括有脊形区和锥形区；脊形区产生近衍射极限的种子激光，种子激光进入锥形区放大输出；锥形区的前腔面，即与脊形区连接的一端的腔面无反馈激光，锥形区单向放大种子激光。该方案可实现激光的单向放大，前腔面无反馈结构使得光束质量在放大过程中不易恶化，可大大增加锥形区的长度，达到既可以输出较高的功率，又可以保持近衍射极限的光束质量，可实现超高亮度的激光输出。
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