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公开(公告)号：CN106132625A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580013990.5
申请日：2015-03-27
Applicant: 东洋钢钣株式会社
CPC classification number: B23K20/2275 , B23K20/02 , B23K20/04 , B23K20/24 , B23K2103/05 , B23K2103/10 , B23K2103/166 , B23K2103/20 , B32B15/01 , B32B15/012 , B32B15/043 , B32B15/18 , B32B15/20 , C22C21/00 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/44 , C23F4/00 , H01J37/34
Abstract: 本发明的目的在于提供一种用于高效地制造具有高接合力的金属层叠体的制造方法。金属层叠材料的制造方法包括：对不锈钢与铝的各接合面进行溅射蚀刻，使得氧化膜残留的工序；通过滚焊将所述不锈钢和所述铝的接合面临时接合的工序；以及对临时接合的层叠材料在低于不锈钢的重结晶温度的温度下进行热处理，至少使不锈钢所含有的金属元素向铝热扩散的工序。
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公开(公告)号：CN104662212A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201380050056.1
申请日：2013-08-23
Applicant: 东洋钢钣株式会社 , 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B29/22 , C22C9/00 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22F1/08 , C30B1/04 , C30B23/025 , C30B25/183 , C30B29/52 , C30B33/02 , H01B12/06 , H01B13/0016 , H01L39/12 , H01L39/24 , H01L39/2454
Abstract: 本发明的目的是提供一种用于外延生长的铜基材及其制造方法，该铜基材具有较高的双轴晶体取向。该用于外延生长的基材包括双轴晶体取向的铜层，该基材的特征在于，基于铜层的极图的峰的半峰全宽Δφ为5°或更小，并且基于极图的峰的裙裾宽度Δβ为15°或更小。这种用于外延生长的基材通过第一步骤和第二步骤制造，其中第一步骤为执行铜层的热处理，使得Δφ为6°或更小并且裙裾宽度Δβ为25°或更小，第二步骤为在该第一步骤之后，以比第一步骤的热处理的温度高的温度执行铜层的热处理，使得Δφ为5°或更小并且裙裾宽度Δβ为15°或更小。
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公开(公告)号：CN117881535A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202280058455.1
申请日：2022-10-20
Applicant: 东洋钢钣株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种兼顾高频特性和层叠界面的紧贴性的金属层叠材料。本发明涉及金属层叠材料及其制造方法、印刷线路板。所述金属层叠材料为在低介电膜的至少一个表面上层叠有由包含金属箔的至少一层构成的金属层的金属层叠材料，其中，在所述金属箔的所述低介电膜一侧的表面上形成有所述金属箔的多个凸部，将所述凸部的宽度设为a，将所述凸部的高度设为b，则b/a的平均值+3σ(式中，σ为b/a的标准偏差)为2.5以下，且所述低介电膜和所述金属层的剥离强度为3N/cm以上。
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公开(公告)号：CN108136729B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201680056569.7
申请日：2016-09-30
Applicant: 东洋钢钣株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种兼具成形加工性、轻量性和散热性，具有足够强度的金属层叠材料。所述金属层叠材料具有不锈钢层/铝层的双层结构，或第一不锈钢层/铝层/第二不锈钢层的三层结构，其中，拉伸强度TS(MPa)为200≤TS≤550，伸长率EL为15％以上，不锈钢层的表面硬度Hv为300以下。
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公开(公告)号：CN106132625B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201580013990.5
申请日：2015-03-27
Applicant: 东洋钢钣株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种用于高效地制造具有高接合力的金属层叠体的制造方法。金属层叠材料的制造方法包括：对不锈钢与铝的各接合面进行溅射蚀刻，使得氧化膜残留的工序；通过滚焊将所述不锈钢和所述铝的接合面临时接合的工序；以及对临时接合的层叠材料在低于不锈钢的重结晶温度的温度下进行热处理，至少使不锈钢所含有的金属元素向铝热扩散的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108055835A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201680056608.3
申请日：2016-09-30
Applicant: 东洋钢钣株式会社
CPC classification number: C23F4/00 , B23K20/04 , B23K2103/05 , B23K2103/15 , B32B15/01 , B32B15/013 , B32B37/06 , B32B37/18 , B32B38/0008 , B32B2309/02 , B32B2309/105 , B32B2311/00 , C21D1/26 , C21D9/0068 , C21D9/46 , C21D2251/02 , C22C23/00 , C22C38/18 , C22F1/06
Abstract: 本发明的目的在于提供具有高散热性、更加轻量、高强度、成形加工性优异的镁层叠材料及其制造方法。镁层叠材料是具有第一不锈钢层/镁层/第二不锈钢层的三层结构的金属层叠材料，其特征在于，拉伸强度TS(MPa)为200≤TS≤430，伸长率EL为10％以上，第一不锈钢层和第二不锈钢层的表面硬度Hv为300以下。
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公开(公告)号：CN104091647B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201410324551.3
申请日：2010-11-12
Applicant: 东洋钢钣株式会社 , 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C22C9/00 , B32B15/015 , C21D8/1255 , C22C19/03 , C22C38/007 , C22C38/40 , C22F1/08 , H01L39/2454 , Y10T428/12903 , Y10T428/12924 , Y10T428/12979
Abstract: 本发明提供了一种超导化合物用基板及其制造方法，其能够与铜的高取向的同时实现优异的附着强度。作为解决课题的手段，其特征在于，对以90％以上的压下率加工的铜箔的表面进行溅射蚀刻，除去表面的附着物，对非磁性的金属板进行溅射蚀刻，利用轧辊将所述铜箔和所述金属板进行加压接合，对所述接合的层叠体进行加热，使所述铜进行结晶取向，同时，使所述铜在所述金属板中热扩散10nm以上，在所述层叠体的铜表面上层叠保护层。
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公开(公告)号：CN104091647A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410324551.3
申请日：2010-11-12
Applicant: 东洋钢钣株式会社 , 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C22C9/00 , B32B15/015 , C21D8/1255 , C22C19/03 , C22C38/007 , C22C38/40 , C22F1/08 , H01L39/2454 , Y10T428/12903 , Y10T428/12924 , Y10T428/12979
Abstract: 本发明提供了一种超导化合物用基板及其制造方法，其能够与铜的高取向的同时实现优异的附着强度。作为解决课题的手段，其特征在于，对以90％以上的压下率加工的铜箔的表面进行溅射蚀刻，除去表面的附着物，对非磁性的金属板进行溅射蚀刻，利用轧辊将所述铜箔和所述金属板进行加压接合，对所述接合的层叠体进行加热，使所述铜进行结晶取向，同时，使所述铜在所述金属板中热扩散10nm以上，在所述层叠体的铜表面上层叠保护层。
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公开(公告)号：CN102667968B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201080051041.3
申请日：2010-11-12
Applicant: 东洋钢钣株式会社 , 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C22C9/00 , B32B15/015 , C21D8/1255 , C22C19/03 , C22C38/007 , C22C38/40 , C22F1/08 , H01L39/2454 , Y10T428/12903 , Y10T428/12924 , Y10T428/12979
Abstract: 本发明的课题是提供一种超导化合物用基板及其制造方法，其能够与铜的高取向的同时实现优异的附着强度。作为解决课题的手段，其特征在于，对以90%以上的压下率加工的铜箔的表面进行溅射蚀刻，除去表面的附着物，对非磁性的金属板进行溅射蚀刻，利用轧辊将所述铜箔和所述金属板进行加压接合，对所述接合的层叠体进行加热，使所述铜进行结晶取向，同时，使所述铜在所述金属板中热扩散10nm以上，在所述层叠体的铜表面上层叠保护层。
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公开(公告)号：CN102210009B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN200980144343.2
申请日：2009-10-20
Applicant: 东洋钢钣株式会社
CPC classification number: C22F1/08 , B32B15/01 , B32B15/015 , C22C9/00 , C22C38/02 , C22C38/44 , C22C38/58 , C30B25/18 , C30B29/06 , C30B29/16 , C30B29/40 , C30B29/52 , C30B33/00 , H01L23/142 , H01L31/03921 , H01L33/007 , H01L2924/0002 , H05K1/0393 , H05K1/09 , H05K3/022 , H05K2201/0355 , H05K2203/1105 , Y02E10/50 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种用来形成金属基板的表面具有高度双轴结晶配向性的半导体元件的磊晶成长膜形成用金属积层基板。所述半导体元件的磊晶成长膜形成用金属积层基板的制造方法，包括：通过溅镀蚀刻等将金属板T1的至少一个表面活化的步骤；将以压下率大于等于90％进行冷延的包含Cu或Cu合金的金属箔T2的至少一个表面活化的步骤；使金属板的活化表面与金属箔的活化表面相对向进行积层，并以例如压下率小于等于10％进行冷延的步骤；通过在大于等于150℃且小于等于1000℃下进行热处理而使金属箔双轴结晶配向的步骤。
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