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公开(公告)号：CN105518808A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201480048657.3
申请日：2014-08-06
Applicant: 东洋钢钣株式会社 , 住友电气工业株式会社
IPC: H01B12/06 , B23K20/00 , C01G1/00 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22C9/06 , C22C19/03 , C22F1/00 , C22F1/08 , C22F1/10 , H01B13/00
CPC classification number: H01B12/06 , B23K31/02 , C22C9/00 , C22F1/08 , C22F1/10 , H01B13/0016 , H01L39/2454
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种用于制造具有优异的超导特性的超导线材的超导线材用基板及其制造方法。一种超导线材用基板，其最表层的金属的晶体取向为c轴取向率99％以上，ΔΦ为6°以下，且晶体方位自(001)[100]错开6°以上的面积的比例为单位面积6％以下。
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公开(公告)号：CN102209995B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN200980144783.8
申请日：2009-11-11
Applicant: 东洋钢钣株式会社 , 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L39/2454 , Y10T29/49014
Abstract: 本发明的课题在于廉价地提供一种氧化物超导线材用金属叠层衬底，其为高强度且在长度方向具有稳定的高度双轴定向。作为其解决手段，将厚度为0.2mm以下的非磁性的金属板T1、和由以90％的压下率冷轧而成的厚度为50μm以下的Cu合金构成的金属箔T2，通过常温表面活性化接合进行层叠，层叠之后，通过150℃以上1000℃以下的热处理使所述金属箔进行结晶定向之后，在所述金属箔上层叠厚度为10μm以下的Ni或Ni合金的外延生长膜T3，制造氧化物超导线材用金属叠层衬底。
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公开(公告)号：CN106716559B
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201580052715.4
申请日：2015-10-23
Applicant: 东洋钢钣株式会社 , 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01B12/06 , B32B15/01 , B32B15/015 , B32B33/00 , H01B5/02 , H01B13/00 , H01L39/2454
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种用于制造具有优异的超导特性的超导线材的超导线材用基板及其制造方法。超导线材用基板中，最表层的金属的晶体取向为c轴取向率99％以上，Δω为6°以下，且晶体方位自(001)[100]错开6°以上的面积的比例为每单位面积6％以下。
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公开(公告)号：CN104662212B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201380050056.1
申请日：2013-08-23
Applicant: 东洋钢钣株式会社 , 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B29/22 , C22C9/00 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22F1/08 , C30B1/04 , C30B23/025 , C30B25/183 , C30B29/52 , C30B33/02 , H01B12/06 , H01B13/0016 , H01L39/12 , H01L39/24 , H01L39/2454
Abstract: 本发明的目的是提供一种用于外延生长的铜基材及其制造方法，该铜基材具有较高的双轴晶体取向。该用于外延生长的基材包括双轴晶体取向的铜层，该基材的特征在于，基于铜层的极图的峰的半峰全宽Δφ为5°或更小，并且基于极图的峰的裙裾宽度Δβ为15°或更小。这种用于外延生长的基材通过第一步骤和第二步骤制造，其中第一步骤为执行铜层的热处理，使得Δφ为6°或更小并且裙裾宽度Δβ为25°或更小，第二步骤为在该第一步骤之后，以比第一步骤的热处理的温度高的温度执行铜层的热处理，使得Δφ为5°或更小并且裙裾宽度Δβ为15°或更小。
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公开(公告)号：CN104662212A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201380050056.1
申请日：2013-08-23
Applicant: 东洋钢钣株式会社 , 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B29/22 , C22C9/00 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22F1/08 , C30B1/04 , C30B23/025 , C30B25/183 , C30B29/52 , C30B33/02 , H01B12/06 , H01B13/0016 , H01L39/12 , H01L39/24 , H01L39/2454
Abstract: 本发明的目的是提供一种用于外延生长的铜基材及其制造方法，该铜基材具有较高的双轴晶体取向。该用于外延生长的基材包括双轴晶体取向的铜层，该基材的特征在于，基于铜层的极图的峰的半峰全宽Δφ为5°或更小，并且基于极图的峰的裙裾宽度Δβ为15°或更小。这种用于外延生长的基材通过第一步骤和第二步骤制造，其中第一步骤为执行铜层的热处理，使得Δφ为6°或更小并且裙裾宽度Δβ为25°或更小，第二步骤为在该第一步骤之后，以比第一步骤的热处理的温度高的温度执行铜层的热处理，使得Δφ为5°或更小并且裙裾宽度Δβ为15°或更小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105518808B
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201480048657.3
申请日：2014-08-06
Applicant: 东洋钢钣株式会社 , 住友电气工业株式会社
IPC: H01B12/06 , B23K20/00 , C01G1/00 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22C9/06 , C22C19/03 , C22F1/00 , C22F1/08 , C22F1/10 , H01B13/00
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种用于制造具有优异的超导特性的超导线材的超导线材用基板及其制造方法。一种超导线材用基板，其最表层的金属的晶体取向为c轴取向率99％以上，ΔΦ为6°以下，且晶体方位自(001)[100]错开6°以上的面积的比例为单位面积6％以下。
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公开(公告)号：CN106716559A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201580052715.4
申请日：2015-10-23
Applicant: 东洋钢钣株式会社 , 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01B12/06 , B32B15/01 , B32B15/015 , B32B33/00 , H01B5/02 , H01B13/00 , H01L39/2454
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种用于制造具有优异的超导特性的超导线材的超导线材用基板及其制造方法。超导线材用基板中，最表层的金属的晶体取向为c轴取向率99％以上，Δω为6°以下，且晶体方位自(001)[100]错开6°以上的面积的比例为每单位面积6％以下。
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公开(公告)号：CN102667968A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080051041.3
申请日：2010-11-12
Applicant: 东洋钢钣株式会社 , 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C22C9/00 , B32B15/015 , C21D8/1255 , C22C19/03 , C22C38/007 , C22C38/40 , C22F1/08 , H01L39/2454 , Y10T428/12903 , Y10T428/12924 , Y10T428/12979
Abstract: 本发明的课题是提供一种超导化合物用基板及其制造方法，其能够与铜的高取向的同时实现优异的附着强度。作为解决课题的手段，其特征在于，对以90%以上的压下率加工的铜箔的表面进行溅射蚀刻，除去表面的附着物，对非磁性的金属板进行溅射蚀刻，利用轧辊将所述铜箔和所述金属板进行加压接合，对所述接合的层叠体进行加热，使所述铜进行结晶取向，同时，使所述铜在所述金属板中热扩散10nm以上，在所述层叠体的铜表面上层叠保护层。
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公开(公告)号：CN115572928A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211175335.8
申请日：2016-10-21
Applicant: 东洋钢钣株式会社 , 住友电气工业株式会社
IPC: C22F1/08 , C30B1/02 , C30B29/02 , B32B15/01 , B32B15/18 , B32B15/20 , B32B37/00 , B32B38/00 , B32B37/10
Abstract: 本申请涉及外延生长用基板及其制造方法。提供一种不会形成异常部a3且具有更高度的双轴结晶取向性的外延生长用基板及其制造方法。该制造方法包括：将金属基材及具有fcc轧制织构的铜层通过表面活性化接合进行层叠的工序；对铜层实施机械研磨的工序；以及进行铜层的取向化热处理的工序，其特征在于，将基于XRD测定的层叠前的铜层及层叠后的铜层的(200)面的比例分别设为I0Cu、I0CLAD，将层叠前的铜层及层叠后的铜层的(220)面的比例分别设为I2Cu、I2CLAD时，I0Cu＜20％，I2Cu＝70～90％，并且进行层叠以使I0CLAD＜20％，I2CLAD＝70～90％及I0CLAD－I0Cu＜13％。
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公开(公告)号：CN108138356A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680060793.3
申请日：2016-10-21
Applicant: 东洋钢钣株式会社 , 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/22 , B23K20/00 , B21B1/22 , B23K103/18 , H01B13/00
CPC classification number: B23K20/00 , C30B1/02 , C30B29/02 , H01L39/2422
Abstract: 本发明目的在于提供一种不会形成异常部a3且具有更高度的双轴结晶取向性的外延生长用基板及其制造方法。外延生长用基板的制造方法包括：将金属基材及具有fcc轧制织构的铜层通过表面活性化接合进行层叠的工序；对铜层实施机械研磨的工序；以及进行铜层的取向化热处理的工序，其特征在于，将基于XRD测定的层叠前的铜层及层叠后的铜层的(200)面的比例分别设为I0Cu、I0CLAD，将层叠前的铜层及层叠后的铜层的(220)面的比例分别设为I2Cu、I2CLAD时，I0Cu＜20％，I2Cu＝70～90％，并且进行层叠以使I0CLAD＜20％，I2CLAD＝70～90％及I0CLAD－I0Cu＜13％。
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