外延生长用基板及其制造方法

    公开(公告)号:CN108138356B

    公开(公告)日:2022-12-23

    申请号:CN201680060793.3

    申请日:2016-10-21

    Abstract: 本发明目的在于提供一种不会形成异常部a3且具有更高度的双轴结晶取向性的外延生长用基板及其制造方法。外延生长用基板的制造方法包括:将金属基材及具有fcc轧制织构的铜层通过表面活性化接合进行层叠的工序;对铜层实施机械研磨的工序;以及进行铜层的取向化热处理的工序,其特征在于,将基于XRD测定的层叠前的铜层及层叠后的铜层的(200)面的比例分别设为I0Cu、I0CLAD,将层叠前的铜层及层叠后的铜层的(220)面的比例分别设为I2Cu、I2CLAD时,I0Cu<20%,I2Cu=70~90%,并且进行层叠以使I0CLAD<20%,I2CLAD=70~90%及I0CLAD-I0Cu<13%。

Patent Agency Ranking