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公开(公告)号:CN103560786A
公开(公告)日:2014-02-05
申请号:CN201310596163.6
申请日:2013-11-21
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种全数字逐次逼近寄存器式快速锁定延时锁定环,电路结构的创新之处在于采用可复位数控延时链将输入时钟与控制器工作时钟之间的分频比降低至1,同时采用2-b逐次逼近寄存器算法将搜索循环次数降低50%,从而达到快速锁定的目的。本发明的电路包括前置电路、数控延时链、相位合成电路、2-b逐次逼近寄存器控制器、相位判断电路和复位脉冲产生电路。实验证明本发明电路可锁定频率范围为100MHz至400MHz,锁定时间为5个时钟周期,锁定后输出50%占空比的时钟信号并且彻底避免了谐波锁定的发生。
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公开(公告)号:CN204131499U
公开(公告)日:2015-01-28
申请号:CN201420482638.9
申请日:2014-08-25
Applicant: 东南大学
Abstract: 本实用新型公开了一种基于欠采样技术锁相环长周期抖动片上测量电路,包括欠采样实现电路,控制电路,移位寄存器A、移位寄存器B和CDF合成电路,同时本实用新型还提出了基于周期对齐欠采样后处理技术,该技术可以用于测量锁相环长周期抖动。本实用新型提出的锁相环长周期抖动片上测量电路具有测量精度高,实现方法简单等优点,并弥补了现有基于欠采样技术抖动测量电路无法测量长周期抖动的缺点。
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公开(公告)号:CN201918978U
公开(公告)日:2011-08-03
申请号:CN201020699089.2
申请日:2010-12-31
Applicant: 东南大学
IPC: H03K19/0175
Abstract: 一种亚阈值区域低静态功耗的电容型逻辑电平转换器,将低电压域电平VddL转换到高电压域电平VddH,设有一个NMOS管MN1,一个电容CL,两个PMOS管MP1和MP2以及一个反相器,其中PMOS管MP1的源极与低电压域电平VddL连接,栅极、漏极和体端连接在一起后,与PMOS管MP2的栅极相连;电容CL设置在PMOS管MP1栅极、漏极和体端的连接点与转换器的输入端Vin之间;PMOS管MP2的源极和体端与高电压域电平VddH相连,漏极和NMOS管MN1的漏极连接后作为反相器的输入与反相器相连,NMOS管MN1的栅极与输入端Vin相连,源极和体端接GND;反相器的电源电压接高电压域电平VddH,地线接GND,反相器的输出端为转换器的输出端Vout。采用电容型逻辑电平转换,可有效的工作在亚阈值区域。
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公开(公告)号:CN203608179U
公开(公告)日:2014-05-21
申请号:CN201320743998.5
申请日:2013-11-21
Applicant: 东南大学
Abstract: 本实用新型公开了一种全数字逐次逼近寄存器式快速锁定延时锁定环,电路结构的创新之处在于采用可复位数控延时链将输入时钟与控制器工作时钟之间的分频比降低至1,同时采用2-b逐次逼近寄存器算法将搜索循环次数降低50%,从而达到快速锁定的目的。本实用新型的电路包括前置电路、数控延时链、相位合成电路、2-b逐次逼近寄存器控制器、相位判断电路和复位脉冲产生电路。实验证明本实用新型电路可锁定频率范围为100MHz至400MHz,锁定时间为5个时钟周期,锁定后输出50%占空比的时钟信号并且彻底避免了谐波锁定的发生。
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公开(公告)号:CN201946317U
公开(公告)日:2011-08-24
申请号:CN201020699096.2
申请日:2010-12-31
Applicant: 东南大学
IPC: G11C11/414
Abstract: 一种亚阈值存储阵列电路,亚阈值区域内两根位线之间串联多个存储单元,在两根位线之间还按顺序依次并联增强电路、预充/平衡电路、写使能电路以及灵敏放大器电路,所述灵敏放大器电路为可写回的灵敏放大器,所述增强电路采用伪电流镜补偿电路作为漏电流补偿电路。本实用新型克服现有技术之缺陷,提供了一种高密度、高鲁棒性的亚阈值存储单元位线电流补偿及读写增强电路,平衡存储单元的各项指标,达到系统性能最优。
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