公开(公告)号：CN109256326A

公开(公告)日：2019-01-22

申请号：CN201810781542.5

申请日：2018-07-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林义之

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明的目的在于保护从两个部件之间露出的粘接剂。本发明提供一种等离子体处理装置用部件的喷镀方法，其包括：将粒径为15μm以下的喷镀材料的粉末与等离子体生成用气体一起从喷嘴的前端部喷射到等离子体生成部的步骤，其中，上述等离子体生成部和上述喷嘴具有共同的轴心；在上述等离子体生成部使用50kW以下的功率从上述等离子体生成用气体生成等离子体的步骤；和使用上述等离子体使喷射出的上述喷镀材料的粉末成为液状，并隔着掩模以覆盖树脂层的表面的方式进行喷镀的步骤。由此，能够保护从两个部件之间露出的粘接剂。

公开(公告)号：CN102965610B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201110462982.2

申请日：2007-10-31

Applicant: 福吉米株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 伊部博之 ,  青木功 ,  北村顺也 ,  水野宏昭 ,  小林义之 ,  长山将之

IPC: C23C4/10 ,  C23C4/12 ,  H01J37/32

CPC classification number: C23C4/10 ,  C23C4/11 ,  C23C4/12 ,  Y10T428/2982

Abstract: 热喷涂粉末包含原子序从60到70的任意稀土元素的氧化物组成的粒化烧结颗粒。组成粒化烧结颗粒的原始颗粒的平均颗粒尺寸是2到10μm。粒化烧结颗粒的抗压强度是7到50MPa。抗等离子体构件包括衬底和设置在衬底表面上的热喷涂涂层。热喷涂涂层通过热喷涂形成，最好通过等离子体热喷涂所述热喷涂粉末。

公开(公告)号：CN103972132A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410035060.7

申请日：2014-01-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 多贺敏 ,  小林义之

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683

CPC classification number: C23C4/08 ,  C23C16/4581

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，提高载置台的温度响应性。该基板处理装置包括：腔室；设置于上述腔室内，用于载置基板的载置台；施加高频电力的高频电源；和对上述腔室内供给所期望的气体的气体供给源，上述载置台包括：形成有流通冷媒的流路的第一陶瓷基材；形成在上述第一陶瓷基材的载置基板的一侧的主面和侧面的第一导电层；和层叠在上述第一导电层上，静电吸附所载置的基板的静电吸盘，上述流路的体积为上述第一陶瓷基材的体积以上，利用施加在上述第一导电层上的高频电力，从上述所期望的气体生成等离子体，利用该等离子体对上述载置的基板进行等离子体处理。

公开(公告)号：CN100508116C

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200710100693.1

申请日：2007-03-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林义之

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32 ,  B01J19/02

CPC classification number: C23C4/18 ,  C23C4/02 ,  C23C4/11 ,  C23C26/00 ,  C23C28/042 ,  H01J37/32495

Abstract: 本发明提供一种能够提高用于在腐蚀性气体气氛中进行等离子体蚀刻加工的腔室内的暴露于等离子体气氛的部位、构件和部件的耐久性，能够提高在腐蚀性气体气氛中、在部件等的表面上形成的膜的耐等离子体腐蚀性，而且，即使在高的等离子体输出下也能够防止产生腐蚀生成物的颗粒的等离子体处理装置和使用该等离子体处理装置的等离子体处理方法，作为解决手段，在利用蚀刻处理气体等离子体对收容在腔室内的被处理体表面进行加工的等离子体处理装置中，至少利用由金属氧化物构成的多孔质层和在该多孔质层上形成的该金属氧化物的二次再结晶层，覆盖该腔室的暴露于等离子体生成气氛的部位、设置在该腔室内的构件或部件的表面。

公开(公告)号：CN101047140A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200710091343.3

申请日：2007-03-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 小林义之 ,  酒井伊都子 ,  大岩德久

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67748 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6875

Abstract: 一种能够限制颗粒产生的基板传送装置。该基板传送装置(1)包括容纳晶片(W)的处理腔(12)、用于将晶片传送到处理腔中的传送臂(17)，和置于处理腔中并安装传送晶片的基座(45)。带有多个突起(55a)的静电夹盘(55)置于基座的上部内。带有多个用于保持晶片的突起(25a)的传送叉(25)置于传送臂的末端上。这些突起(25a)设置在传送叉(25)中以使突起(25a)的晶片保持部(81)与静电夹盘的突起(55a)的晶片保持部分(80)不同。

公开(公告)号：CN101042996A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200710100693.1

申请日：2007-03-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林义之

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32 ,  B01J19/02

CPC classification number: C23C4/18 ,  C23C4/02 ,  C23C4/11 ,  C23C26/00 ,  C23C28/042 ,  H01J37/32495

Abstract: 本发明提供一种能够提高用于在腐蚀性气体气氛中进行等离子体蚀刻加工的腔室内的暴露于等离子体气氛的部位、构件和部件的耐久性，能够提高在腐蚀性气体气氛中、在部件等的表面上形成的膜的耐等离子体腐蚀性，而且，即使在高的等离子体输出下也能够防止产生腐蚀生成物的颗粒的等离子体处理装置和使用该等离子体处理装置的等离子体处理方法，作为解决手段，在利用蚀刻处理气体等离子体对收容在腔室内的被处理体表面进行加工的等离子体处理装置中，至少利用由金属氧化物构成的多孔质层和在该多孔质层上形成的该金属氧化物的二次再结晶层，覆盖该腔室的暴露于等离子体生成气氛的部位、设置在该腔室内的构件或部件的表面。

公开(公告)号：CN102738041A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210101424.8

申请日：2012-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林义之

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32532 ,  H01L21/67103

Abstract: 一种上部电极板以及基板处理装置，提供一种能够从开始产生等离子体起就使上部电极板的温度稳定，能够对多个晶圆实施均匀的蚀刻处理的上部电极板。在等离子体处理装置(10)中，隔着处理空间(S)与基板载置台(12)相向地配置的上部电极板(31)经由冷却板(32)与电极支承体(33)相抵接并被该电极支承体(33)支承，在与冷却板(32)相抵接的抵接面上形成传热薄片(38)。传热薄片(38)的热导率处于0.5～2.0W/m·k的范围，该传热薄片(38)的材料是在成分中包含硅的耐热性的粘合剂、橡胶，以及在粘合剂、橡胶中含有25％～60％体积的氧化物、氮化物或者碳化物的陶瓷填料，该传热薄片(38)的膜厚例如是30μm～80μm，以避开上部电极板(31)的各气孔(34)的附近的规定区域的方式涂布并形成该传热薄片(38)。

公开(公告)号：CN101740297A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910207897.4

申请日：2009-11-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 北岛次雄 ,  小林义之

IPC: H01J37/04 ,  H01J37/32

CPC classification number: C30B35/00 ,  B23P15/00 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/3255 ,  H01J37/32642 ,  Y10T29/49826

Abstract: 本发明涉及环状部件及其制造方法，根据本发明的环状部件，能够抑制等离子体导致的消耗和生产率的恶化。在对晶片W实施等离子体蚀刻处理的基板处理装置(10)中，该环状部件是收纳于在内部产生等离子体的反应室(17)的聚焦环(24)，由在圆周方向上配设的4个单晶硅的圆弧状部件24a～24d构成，在各圆弧状部件24a～24d的上表面24a1～24d1、外侧面24a2～24d2，不出现易消耗的单晶硅的结晶面，例如密勒指数为{100}的结晶面。

公开(公告)号：CN101207062A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200710181964.0

申请日：2007-10-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长山将之 ,  上田雄大 ,  小林义之 ,  大桥薰

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/00 ,  C23C16/458 ,  C23F4/00

CPC classification number: H01L21/68757

Abstract: 本发明提供一种基板载置台的制造方法，能够防止在流体通道内残留喷镀残渣，而且，能够防止发生喷镀残渣所导致的污染，以及能够防止发生流体通道的孔堵塞。该基板载置台的制造方法，在作为气体喷出孔(511)的内侧面和槽(512)的内侧面等的气体供给通道的部分形成能够除去的膜(540)。接着，供给压缩空气等的气体，一边从各气体喷出孔(511)喷出压缩空气等的气体，一边在载置面上依次叠层陶瓷喷镀膜(10)、金属喷镀膜(电极)(12)、陶瓷喷镀膜(10)，从而形成3层的静电卡盘(11)。接着，向槽(512)内导入流体，例如导入丙酮等有机溶剂、压缩空气、水等，进行膜(540)的除去和清洗，除去在陶瓷喷镀工序中附着的块状喷镀陶瓷(530)。

公开(公告)号：CN101207061A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200710154402.7

申请日：2007-09-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 上田雄大 ,  小林义之 ,  大桥薰

IPC: H01L21/683 ,  C23C16/458 ,  C23C16/44 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32 ,  H05H1/00

Abstract: 本发明提供一种不仅能够防止在流体通路内残留的喷镀残渣，而且能够防止发生喷镀残渣导致的污染、防止发生流体通路的孔堵塞的基板载置台、基板载置台的制造方法、基板处理装置、流体供给机构。基板载置台(5)通过粘合形成为圆板状的第一板状部件(510)和第二板状部件(520)而构成，其整体形成为板状。在第一板状部件(510)中设置有多个气体喷出孔(511)。在第二板状部件(520)中形成用于形成向气体喷出孔(511)供给气体的供给通路的槽(521)，并且槽(521)的底部(521a)形成为曲面状。在第一板状部件(510)的上侧的载置面上设置有静电卡盘(11)。静电卡盘(11)通过在由陶瓷喷镀膜制成的绝缘部件(10)之间配置电极(12)而构成。