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公开(公告)号：CN114446753A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111247505.4
申请日：2021-10-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，其利用施加到偏压电极的电压脉冲来控制冲击基片的离子的能量。公开的等离子体处理装置包括腔室、基片支承器、等离子体生成部和偏压电源。基片支承器设置在腔室内，包含偏压电极。等离子体生成部构成为能够在腔室内从气体生成等离子体。偏压电源构成为与偏压电极电连接，能够生成施加到偏压电极的多个电压脉冲的序列。多个电压脉冲分别具有从基准电压电平转变为脉冲电压电平的前沿期间和从脉冲电压电平转变为基准电压电平的后沿期间，前沿期间的时间长度和后沿期间的时间长度中的至少一者比0秒长，且为0.5μ秒以下。
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公开(公告)号：CN107221494B
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201710174303.9
申请日：2017-03-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 永海幸一
IPC: H01L21/263 , H01J37/32
Abstract: 本发明在处理容器内依次生成相互不同的处理气体的等离子体的等离子体处理中，在气体供给系统所输出的处理气体被切换后的适当的时刻变更高频的设定。在一个实施方式中，在向第一电极或第二电极供给第一高频的状态下气体供给系统所输出的处理气体被切换之后，在反映等离子体的阻抗的第一参数超出了第一阈值的时刻，增大第二高频的功率。另外，在向第二电极供给第二高频的状态下气体供给系统所输出的处理气体被切换之后，在反映等离子体的阻抗的第二参数超出了第二阈值的时刻，增大第一高频的功率。
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公开(公告)号：CN110416116A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910332773.2
申请日：2019-04-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种蚀刻装置，能够利用简单的装置结构来抑制蚀刻特性的劣化。蚀刻装置包括：载置台，其载置作为利用等离子体进行的蚀刻处理的对象的被处理体，并作为下部电极发挥作用；产生施加到载置台的负直流电压的直流电源；和控制部，在开始对载置于载置台的被处理体进行蚀刻处理时，其从直流电源对载置台周期性地施加负直流电压，随着蚀刻处理的处理时间的经过，降低施加到载置台的负直流电压的频率。
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公开(公告)号：CN110416051A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910332392.4
申请日：2019-04-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法。本发明能够抑制在载置台与被处理体之间发生放电。等离子体处理装置包括：载置台，其载置作为等离子体处理的对象的被处理体，并作为下部电极发挥作用；直流电源，其交替地产生施加到载置台的正直流电压和负直流电压；测量载置于载置台的被处理体的电压的测量部；计算部，其基于测量出的被处理体的电压，计算将负直流电压施加到载置台的期间的、载置台与被处理体之间的电位差；和电源控制部，其控制直流电源，以使得施加到载置台的负直流电压的值的电位差变化使计算出的电位差减少的变化量。
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公开(公告)号：CN109411322A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201810939779.1
申请日：2018-08-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，其能够抑制基片的蚀刻速率下降并且降低照射至腔室主体的内壁的离子的能量。一个实施方式的等离子体处理装置包括产生直流电压的直流电源，该直流电压具有负极性且用于被施加至工作台的下部电极。在利用该等离子体处理装置的等离子体处理中，供给高频以使腔室内的气体激励而生成等离子体。另外，来自直流电源的负极性的直流电压被周期性地施加至下部电极，以将来自等离子体的离子引入到工作台上的基片。在各个周期内直流电压被施加至下部电极的期间所占的比率被设定为40％以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109087843A
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201810612044.8
申请日：2018-06-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种能够校正向基板入射的离子的入射方向的倾斜并且能够抑制基板与聚焦环之间的放电的等离子体处理装置和等离子体处理方法。在一个实施方式的等离子体处理装置中，使来自第一高频电源和第二高频电源中的至少一方的高频电源的高频的供给周期性地停止。从比给来自第一高频电源和第二高频电源的双方的高频的各期间的开始时间点延迟的时间点起，向聚焦环施加直流电压。在停止来自至少一方的高频电源的高频的供给的各期间中，停止向聚焦环施加直流电压。
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公开(公告)号：CN109075065A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780026498.0
申请日：2017-04-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供使向腔室主体照射的离子的能量降低的等离子体处理装置。一个实施方式的等离子体处理装置包括腔室主体、载置台和高频电源部。腔室主体提供腔室。腔室主体与接地电位连接。载置台具有下部电极，设置在腔室内。高频电源部与下部电极电连接。高频电源部生成向下部电极供给的偏置用的输出波。高频电源部产生使基频的高频的电压波形的正电压成分减少的输出波。
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公开(公告)号：CN107221494A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201710174303.9
申请日：2017-03-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 永海幸一
IPC: H01L21/263 , H01J37/32
Abstract: 本发明在处理容器内依次生成相互不同的处理气体的等离子体的等离子体处理中，在气体供给系统所输出的处理气体被切换后的适当的时刻变更高频的设定。在一个实施方式中，在向第一电极或第二电极供给第一高频的状态下气体供给系统所输出的处理气体被切换之后，在反映等离子体的阻抗的第一参数超出了第一阈值的时刻，增大第二高频的功率。另外，在向第二电极供给第二高频的状态下气体供给系统所输出的处理气体被切换之后，在反映等离子体的阻抗的第二参数超出了第二阈值的时刻，增大第一高频的功率。
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公开(公告)号：CN106992108A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201710043509.8
申请日：2017-01-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 永海幸一
IPC: H01J37/32 , H01J37/244
CPC classification number: H01J37/32449 , H01J37/32165 , H01J37/32183 , H01J37/32935 , H01J37/244 , H01J37/32082
Abstract: 本发明提供一种在等离子体处理装置中实施的等离子体处理方法。在一个实施方式的等离子体处理方法中，交替实施多个第一阶段和多个第二阶段。在第一阶段的每一个中，从气体供给系统向处理容器内供给第一气体，从第一高频电源供给第一高频。在第二阶段的每一个中，从本第二阶段前的第一阶段连续地从第一高频电源供给第一高频。在第二阶段的每一个中，将用于从第一气体切换成第二气体的气体切换信号供给气体供给系统。另外，在将气体切换信号供给气体供给系统后，在负载阻抗这样的参数超过阈值时，开始利用第二高频电源供给第二高频。
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公开(公告)号：CN104025266A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201280064757.6
申请日：2012-12-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 株式会社大亨
IPC: H01L21/3065 , C23C16/509 , H01L21/205 , H01L21/31 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32155 , C23C16/5096 , C23C16/515 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32174 , H01J37/32183 , H05H2001/4682
Abstract: 本发明能够简便且可靠地防止对开关方式的高频电源进行电力调制时在高频供电线上发生RF电力拖尾现象。该电容耦合型的等离子体处理装置，在真空腔室(10)内使基座(下部电极)(16)与兼作喷头的上部电极(46)相对配置。基座(16)分别经由匹配器(40、42)与第1和第2高频电源(36、38)电连接。第1高频电源(36)由线性放大器方式的高频电源构成，输出等离子体生成用的第1高频(RF1)。第2高频电源(38)由开关方式的高频电源构成，输出离子引入用的第2高频(RF2)。第2高频电源(38)侧的高频供电线(43)与残留高频除去部(74)连接。
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