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公开(公告)号：CN108073050A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711144518.2
申请日：2017-11-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70725 , G03F7/2022 , G03F7/70558 , G03F7/70775 , H01L21/67178 , H01L21/67225 , H01L21/67718 , G03F7/2032
Abstract: 本发明提供了一种在曝光基片的整个表面的曝光装置中，能够高精度地控制基片的面内的各部的曝光量的技术。曝光装置(3)包括：多个光照射部(4)，向基片(W)的表面的左右彼此不同的位置各自独立地照射光，形成从基片的表面的一端至另一端的带状的照射区域(30)；旋转机构(34)，其使载置于载置部的基片相对于照射区域相对地旋转；载置部用移动机构(36)，其使载置部相对于照射区域前后相对地移动。然后，使基片相对于形成第一照度分布的照射区域相对地旋转，以将基片的整个表面曝光。另外，在基片的旋转停止的状态下使该基片相对于形成第二照度分布的照射区域在前后方向相对地移动，以将基片的整个表面曝光。
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公开(公告)号：CN119535902A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411133676.8
申请日：2024-08-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供形成抗蚀剂图案的方法、制造半导体器件的方法、基片处理装置和存储介质，在通过EUV光刻形成细微的抗蚀剂图案的情况下，能够以高对比度形成抗蚀剂图案。形成抗蚀剂图案的方法依次包括：对包含金属氧化物抗蚀剂材料的抗蚀剂膜的一部分照射极紫外线的步骤；对抗蚀剂膜中的包含被极紫外线照射了的部分及其以外的部分的区域整体照射具有100nm以上的波长的紫外线的步骤；和通过除去抗蚀剂膜的一部分的显影来形成抗蚀剂图案的步骤。
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公开(公告)号：CN113900359B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202111186912.9
申请日：2017-11-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供曝光装置和曝光方法。曝光装置(3)包括：多个光照射部(4)，向基片(W)的表面的左右彼此不同的位置各自独立地照射光，形成从基片的表面的一端至另一端的带状的照射区域(30)；旋转机构(34)，其使载置于载置部的基片相对于照射区域相对地旋转；载置部用移动机构(36)，其使载置部相对于照射区域前后相对地移动。然后，使基片相对于形成第一照度分布的照射区域相对地旋转，以将基片的整个表面曝光。另外，在基片的旋转停止的状态下使该基片相对于形成第二照度分布的照射区域在前后方向相对地移动，以将基片的整个表面曝光。
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公开(公告)号：CN115279744A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202180009441.6
申请日：2021-01-15
Applicant: 林特弗德有限公司 , 东京毅力科创株式会社
IPC: C07D335/16 , C07D495/10 , C07D519/00 , G03F7/00
Abstract: 本发明描述了潜伏性的光引发剂化合物，以及含有这些化合物的组合物以及它们在用于生产结构化光刻胶的光引发方法中的用途。
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公开(公告)号：CN108227398A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711305669.1
申请日：2017-12-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70533 , G03F7/201 , G03F7/7005 , G03F7/70133 , G03F7/7055 , G03F7/70558 , G03F7/70725 , G03F7/70775 , G03F7/70808 , H01L21/67115 , H01L21/6776 , G03F7/7015 , G03F7/70733
Abstract: 本发明提供光处理装置和基板处理装置。提供一种在向晶圆的表面照射光而进行处理时、抑制生产率的降低而向晶圆进行稳定的光照射的技术。在使输入到成批曝光装置(3)内的晶圆(W)从输入输出口(34)侧朝向进行里侧的对位的待机位置(B)移动时，使作为光的照射口的狭缝(43)关闭。接下来，在使晶圆从待机位置向交接位置(A)移动时将开闭器(45)打开而向晶圆照射光。因而，在不以曝光为目的而使晶圆在LED光源组(400)的下方经过时，不对晶圆进行曝光，并且，保持使LED光源组发光的状态而使其不断开。因此，将LED光源组从断开切换成连通时的光强度的过度的偏离被抑制，因此，光强度稳定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108205242A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201711381750.8
申请日：2017-12-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/7055 , G03F7/16 , G03F7/201 , G03F7/2022 , G03F7/30 , G03F7/7005 , G03F7/70133 , G03F7/70558 , H01L21/027 , H01L21/67115 , H01L21/6715
Abstract: 本发明提供一种在利用多个发光区块形成带状的照射区域来对基片进行光处理时，能够将照射区域的长度方向的照度分布模式容易地高精度地调节到目标照度分布模式的技术。按每个发光区块(42)事先取得将照射区域的长度方向的位置与驱动电流的变化量引起的照度的变化量相对应的照度分布模式分布图的变化量即照度分布响应量，并将其存储到存储部中。而且，设置有运算处理部，其为了使照射区域的当前的长度方向的照度分布模式接近目标照度分布模式，基于发光区块(42)各自当前的电流指令值和存储于各发光区块的上述照度分布模式的变化量，求取(推算)各发光区块的电流指令值。
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公开(公告)号：CN119343755A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202380045201.0
申请日：2023-05-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 提供一种基板处理方法和基板处理系统，将金属氧化物抗蚀剂膜作为掩模蚀刻基底膜时，改善基底膜上形成的图案的线边缘粗糙度。一种基板处理方法，包括：在具有基底膜的基板上形成金属氧化物抗蚀剂膜的工序，在所述金属氧化物抗蚀剂膜上形成图案的工序，将形成有所述图案的所述金属氧化物抗蚀剂膜改性的工序，将改性的所述金属氧化物抗蚀剂膜作为掩模，蚀刻所述基底膜的工序。
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公开(公告)号：CN117355796A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202280036939.6
申请日：2022-05-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/039
Abstract: 本申请公开一种光致抗蚀剂组合物，其包含非化学放大型抗蚀剂材料和增感剂前体。增感剂前体是通过照射电离放射线或具有300nm以下波长的非电离放射线而生成增感剂的化合物，所述增感剂吸收超过300nm的非电离放射线。
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公开(公告)号：CN113900359A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202111186912.9
申请日：2017-11-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供曝光装置和曝光方法。曝光装置(3)包括：多个光照射部(4)，向基片(W)的表面的左右彼此不同的位置各自独立地照射光，形成从基片的表面的一端至另一端的带状的照射区域(30)；旋转机构(34)，其使载置于载置部的基片相对于照射区域相对地旋转；载置部用移动机构(36)，其使载置部相对于照射区域前后相对地移动。然后，使基片相对于形成第一照度分布的照射区域相对地旋转，以将基片的整个表面曝光。另外，在基片的旋转停止的状态下使该基片相对于形成第二照度分布的照射区域在前后方向相对地移动，以将基片的整个表面曝光。
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公开(公告)号：CN108227398B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201711305669.1
申请日：2017-12-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供光处理装置和基板处理装置。提供一种在向晶圆的表面照射光而进行处理时、抑制生产率的降低而向晶圆进行稳定的光照射的技术。在使输入到成批曝光装置(3)内的晶圆(W)从输入输出口(34)侧朝向进行里侧的对位的待机位置(B)移动时，使作为光的照射口的狭缝(43)关闭。接下来，在使晶圆从待机位置向交接位置(A)移动时将开闭器(45)打开而向晶圆照射光。因而，在不以曝光为目的而使晶圆在LED光源组(400)的下方经过时，不对晶圆进行曝光，并且，保持使LED光源组发光的状态而使其不断开。因此，将LED光源组从断开切换成连通时的光强度的过度的偏离被抑制，因此，光强度稳定。
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