公开(公告)号：CN101310370A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200780000097.4

申请日：2007-01-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大岛康弘 ,  井出真司 ,  柏木勇作 ,  宫谷光太郎

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/31695 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31633

Abstract: 本发明提供一种多孔质膜的成膜方法和一种计算机可读的记录介质。对通过使用有机硅化合物原料的等离子体CVD法形成的SiOCH膜的表面进行氧等离子体处理，形成表面致密化层，进一步通过氢等离子体处理，将CHx基、OH基以被控制的速率从表面致密化层之下的SiOCH膜通过所述表面致密化层而排出，从而稳定地形成多孔质低介电常数膜。

公开(公告)号：CN1305119C

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN02816482.2

申请日：2002-08-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 三好秀典 ,  杉浦正仁 ,  柏木勇作 ,  香川惠永 ,  太田与洋

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  C23C16/452 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/3185

Abstract: 将由分子内具有环状结构的化合物构成的处理气体导入至处理室(12)内。另一方面，利用激发器(34)激发氩等激发用气体，并导入至处理室(12)内，激发处理气体。被激发的处理气体堆积在被处理基板(19)上，形成在膜中具有环状结构的多孔质低介电常数膜。

公开(公告)号：CN1799129A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200480015314.3

申请日：2004-11-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 柏木勇作 ,  大岛康弘 ,  香川惠永 ,  郑基市

IPC: H01L21/316

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法，可以使通过使用有机硅烷气体的等离子体CVD法来进行成膜的绝缘膜的介电常数降低、以及维持机械强度。因此，在本发明中，包括：通过向被处理基板供给包含有机硅烷气体的第一处理气体来激励等离子体，而在该被处理基板上形成绝缘膜的成膜工序；和在所述的成膜工序之后，通过向被处理基板供给包含H2气体的第二处理气体来激励等离子体，而进行该绝缘膜的处理的后处理工序，其中，通过微波等离子体天线来进行所述后处理工序的等离子体激励。

公开(公告)号：CN1545724A

公开(公告)日：2004-11-10

申请号：CN02816482.2

申请日：2002-08-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 三好秀典 ,  杉浦正仁 ,  柏木勇作 ,  香川惠永 ,  太田与洋

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  C23C16/452 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/3185

Abstract: 将由分子内具有环状结构的化合物构成的处理气体导入至处理室(12)内。另一方面，利用激发器(34)激发氩等激发用气体，并导入至处理室(12)内，激发处理气体。被激发的处理气体堆积在被处理基板(19)上，形成在膜中具有环状结构的多孔质低介电常数膜。