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公开(公告)号：CN111293041B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN201911244697.6
申请日：2019-12-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本公开涉及一种蚀刻处理方法和基板处理装置，控制将被蚀刻膜同时蚀刻为掩模的不同的图案时的CD。蚀刻处理方法是对在被蚀刻膜上形成有掩模的基板进行蚀刻的处理方法，所述掩模具有第一开口的凹部和第二开口的凹部的图案，所述蚀刻处理方法包括：第一蚀刻工序，将所述被蚀刻膜蚀刻至规定的深度；沉积工序，在所述第一蚀刻工序之后，在所述掩模上沉积保护膜；以及第二蚀刻工序，在所述沉积工序之后，蚀刻所述被蚀刻膜，其中，所述第一开口比所述第二开口小，所述沉积工序使所述第一开口的凹部封闭，不使所述第二开口的凹部封闭。
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公开(公告)号：CN116631861A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310136971.8
申请日：2023-02-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01J37/32
Abstract: 提供一种等离子体处理方法。该方法具备(a)向腔室内提供具有蚀刻膜以及掩模膜的基板的工序，基板具备蚀刻膜露出的第一区域和掩模膜露出的第二区域；(b)向腔室内供给包含含碳气体的处理气体，由处理气体生成等离子体，蚀刻蚀刻膜并且在掩模膜上形成保护膜的工序；以及(c)向腔室内供给处理气体，由处理气体生成等离子体，进一步蚀刻蚀刻膜并且去除保护膜的至少一部分的工序。(b)的工序包含第一期间以及第二期间，第一期间的含碳气体的流量比第二期间的含碳气体的流量多，(c)的工序包含第三期间以及第四期间，第三期间的含碳气体的流量比第二期间的含碳气体的流量以及第四期间的含碳气体的流量少。还提供一种等离子体处理系统。
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公开(公告)号：CN112530799A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202010919630.4
申请日：2020-09-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 在公开的方法中，对在其上方设置有掩模的基板的氧化硅膜进行蚀刻。该方法包括使用由包含碳氟化合物气体、含碳而不含氟的气体及含氧气体的第1处理气体形成的第1等离子体对基板执行第1等离子体处理的工序。该方法还包括使用由包含碳氟化合物气体的第2处理气体形成的第2等离子体对基板执行第2等离子体处理的工序。执行第1等离子体处理期间的基板的温度低于执行第2等离子体处理期间的基板的温度。
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公开(公告)号：CN111627789A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010104442.6
申请日：2020-02-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种沉积处理方法和等离子体处理装置，所述沉积处理方法能够抑制掩模的开口堵塞并且实现蚀刻后的凹部形状的适当化。在使用基于第1处理条件生成的第1等离子体使沉积物沉积于基板的工序中，从在进行所述沉积的工序之前执行的前工序向进行所述沉积的工序转移时，在直至所述第1等离子体的状态稳定为止的期间，控制为相比于所述第1处理条件不使所述沉积物沉积于基板的条件。
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公开(公告)号：CN111293041A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201911244697.6
申请日：2019-12-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本公开涉及一种蚀刻处理方法和基板处理装置，控制将被蚀刻膜同时蚀刻为掩模的不同的图案时的CD。蚀刻处理方法是对在被蚀刻膜上形成有掩模的基板进行蚀刻的处理方法，所述掩模具有第一开口的凹部和第二开口的凹部的图案，所述蚀刻处理方法包括：第一蚀刻工序，将所述被蚀刻膜蚀刻至规定的深度；沉积工序，在所述第一蚀刻工序之后，在所述掩模上沉积保护膜；以及第二蚀刻工序，在所述沉积工序之后，蚀刻所述被蚀刻膜，其中，所述第一开口比所述第二开口小，所述沉积工序使所述第一开口的凹部封闭，不使所述第二开口的凹部封闭。
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