衬底处理装置和温度调节装置

    公开(公告)号:CN100421209C

    公开(公告)日:2008-09-24

    申请号:CN200480006198.9

    申请日:2004-03-05

    CPC classification number: H01L21/67248 C23C16/463 H01L21/67109

    Abstract: 设置第一通道(16)和与第一通道分离的第二通道(19),且流经第二通道(19)的第二冷却水(18)和第一冷却水(15)进行热交换,其中所述第一通道(16)是利用在温度调节对象中循环的第一冷却水(15)来进行冷却。不需要将第一冷却水(15)储存在固定容量的容器中,且流经相当于冷却器一部分的第一通道(16)的第一冷却水(15)的热量被第二冷却水(18)充分吸收。可迅速响应温度调节对象的负载变动,并在提高温度控制的精度的同时,减少能量的浪费。

    等离子体处理装置
    13.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1875467A

    公开(公告)日:2006-12-06

    申请号:CN200480032469.8

    申请日:2004-11-02

    Abstract: 本发明以提高等离子体处理装置的处理气体供给部的冷却效率,抑制该处理气体供给部的温度升高为课题。为此,在本发明中使用的等离子体处理装置,具备:具有保持被处理基板的保持台的处理容器;在前述处理容器上按照与被处理基板相对的方式设置的微波天线;在前述保持台上的被处理基板和前述微波天线之间,按照与前述被处理基板相对的方式设置的处理气体供给部,其特征在于,前述处理气体供给部具有使形成在前述处理容器内的等离子体通过的多个第1开口部;可以与处理气体源相连接的处理气体通路;与前述处理气体通路相连通的多个第2开口部;冷却该处理气体供给部的冷却媒体所流动的冷却媒体通路,前述冷却媒体包含冷却气体和雾。

Patent Agency Ranking