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公开(公告)号：CN109427523B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN201811030301.3
申请日：2018-09-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/244 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体探测装置，其包括：天线部，其隔着将真空空间与大气空间之间密封的密封部件安装于开口部中，其中，上述开口部形成在处理容器的壁部或载置台；与上述天线部连接的电极；和由电介质形成的对上述天线部从周围进行支承的电介质支承部，上述天线部与上述壁部或上述载置台的相对面以规定的距离隔开间隔，上述天线部的从上述开口部露出的面，与形成有该开口部的上述壁部或上述载置台的等离子体生成空间侧的面相比凹入到内侧。由此，能够提供避免气体侵入的等离子体探测装置。
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公开(公告)号：CN113161252A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110054765.3
申请日：2021-01-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/66 , H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体观测系统和等离子体观测方法，用于进行处理容器内的等离子体的观测地点的确定和观测地点的等离子体的状态的判定。所述等离子体观测系统具有：等离子体处理装置，在该等离子体处理装置的处理容器内通过等离子体对基板进行处理；以及测定装置，其测定所述等离子体，其中，所述等离子体处理装置具有多个观测窗，所述多个观测窗能够观测所述处理容器中等离子体的发光状态，所述测定装置具有：受光器，其从多个观测窗接受在所述处理容器内交叉的多个光；以及控制部，其基于接受到的多个光来进行等离子体的观测地点的确定和所述观测地点的等离子体的状态判定。
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公开(公告)号：CN101405842B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200780009418.7
申请日：2007-08-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/26
CPC classification number: H01L21/67115 , H01L21/67109 , H01L31/1864 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种不会发生因热的影响导致发光量下降而引起的光能效率低这样的问题，从而能够保持稳定的性能的退火装置。其具有收纳晶片W的处理室1；面对晶片W的面而设置的、具有向晶片W照射光的多个LED33的加热源17a、17b；与加热源17a、17b对应而设置的、透过来自发光元件33的光的光透过部件18a、18b；以支承光透过部件18a、18b的与处理室1相反侧、直接接触上述加热源17a、17b的方式设置的由高热传导性材料构成的冷却部件4a、4b；通过冷却介质对冷却部件4a、4b进行冷却的冷却机构。
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公开(公告)号：CN102918932A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201180026983.0
申请日：2011-08-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , C23C16/511 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J23/005 , C23C16/45565 , C23C16/511 , H01J37/3222 , H01J37/32256 , H05H1/46 , H05H2001/463
Abstract: 微波导入机构（41）包括：具有将微波发射到腔室内的平面天线（81）的天线部（80）、匹配阻抗用的调谐器（60）、用于将天线部（80）的热散热的散热机构（90），调谐器（60）包括：具有呈筒状的外侧导体（52）和内侧导体（53）成为微波传递路径的一部分的主体（51）、在外侧导体（52）与内侧导体（53）之间能够移动的设置的芯部件（61a、61b）、使得芯部件移动的芯部件驱动部（70），散热机构（90）具有：热量输入端和位于天线部（80）、从热量输入端向散热端输送天线部（80）的热的热管（91）和设置于散热端的散热部（92）。
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公开(公告)号：CN102254906A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110220956.9
申请日：2008-09-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L25/075
CPC classification number: H01L21/67115 , H01L25/0753 , H01L33/54 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的退火装置具有：处理室(1)，其容纳晶片(W)；加热源(17a、17b)，其被设置成面向晶片(W)的面，并具有对晶片(W)照射光的多个LED(33)；透光部件(18a、18b)，其对应于上述加热源(17a、17b)地设置，并使来自发光元件(33)的光透射，其中，加热源(17a、17b)构成为在支撑体(32)上朝向晶片(W)侧安装有多个发光元件(33)，发光元件分别单独地被由透明树脂构成的透镜层(20)覆盖。
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公开(公告)号：CN101925981A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200980103125.4
申请日：2009-01-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/26
CPC classification number: H01L21/67109 , H01L21/268 , H01L21/324 , H01L21/67115
Abstract: 本发明的退火装置具备：面向晶片W的面设置、具有向晶片W照射光的多个LED(33)的加热源(17a，17b)；透过来自发光元件(33)的光的光透射部件(18a，18b)；和与加热源(17a，17b)直接接触设置的由Al构成的冷却部件(4a，4b)。加热源(17a，17b)具备多个发光元件阵列(34)，该发光元件阵列包括利用银膏(56)安装了LED(33)的由AlN构成的支撑体(32)和利用焊料(57)粘合到支撑体(32)的背面侧的由Cu构成的热扩散部件(50)，发光元件阵列(34)通过硅润滑油(58)旋紧在冷却部件(4a，4b)上。
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公开(公告)号：CN101828251A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200880102499.X
申请日：2008-09-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67115 , H01L25/0753 , H01L33/54 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的退火装置具有：处理室(1)，其容纳晶片(W)；加热源(17a、17b)，其被设置成面向晶片(W)的面，并具有对晶片(W)照射光的多个LED(33)；透光部件(18a、18b)，其对应于上述加热源(17a、17b)地设置，并使来自发光元件(33)的光透射，其中，加热源(17a、17b)构成为在支撑体(32)上朝向晶片(W)侧安装有多个发光元件(33)，发光元件分别单独地被由透明树脂构成的透镜层(20)覆盖。
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公开(公告)号：CN100587108C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200680000326.8
申请日：2006-04-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/46 , H01L21/285 , H01L21/02
CPC classification number: C23C16/46 , C23C16/52 , H01L21/67248 , H01L22/10
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，预先测定被处理基板的红外线吸收率或红外线穿透率，根据该测定值，利用可相互独立控制地设置的第一区域和上述第二区域的温度调节单元，至少对被处理基板中央部的第一区域和其外侧的第二区域独立地调节温度，并对被处理基板进行处理。
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公开(公告)号：CN1969059A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200680000326.8
申请日：2006-04-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/46 , H01L21/285 , H01L21/02
CPC classification number: C23C16/46 , C23C16/52 , H01L21/67248 , H01L22/10
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，预先测定被处理基板的红外线吸收率或红外线穿透率，根据该测定值，利用可相互独立控制地设置的第一区域和上述第二区域的温度调节单元，至少对被处理基板中央部的第一区域和其外侧的第二区域独立地调节温度，并对被处理基板进行处理。
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