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公开(公告)号:CN109982500A
公开(公告)日:2019-07-05
申请号:CN201811532348.X
申请日:2018-12-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种微波等离子体处理装置,具有能够使等离子体密度增加的构造。该微波等离子体处理装置具有:微波供给部,其供给微波;微波辐射构件,其设置在处理容器的顶壁之上,辐射从所述微波供给部供给的微波;以及包括电介质的微波透过构件,其以封闭所述顶壁的开口的方式设置,并且使经由所述微波辐射构件而通过了缝隙天线的微波透过,其中,在将从所述顶壁的开口透过所述微波透过构件而在该顶壁的表面传输的微波的表面波的波长设为λsp时,在所述顶壁的比所述开口靠外侧的位置形成深度处于λsp/4±λsp/8的范围内的凹部。
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公开(公告)号:CN112735934B
公开(公告)日:2025-02-18
申请号:CN202011131045.4
申请日:2020-10-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种控制方法和等离子体处理装置。对使用了相控阵天线的局部等离子体进行控制。作为利用相控阵天线的扫描型的等离子体处理装置的控制方法,具有以下工序:从设置于处理容器的多个部位的观察窗对在所述处理容器的内部生成的等离子体的发光进行观测;基于观测到的与所述等离子体的所述发光有关的数据,来计算表示所述等离子体的特性的值在基板上的面内分布;以及基于计算出的表示所述等离子体的所述特性的值在基板上的面内分布,来对所述等离子体的扫描图案和/或等离子体密度分布进行校正。
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公开(公告)号:CN112309817B
公开(公告)日:2024-05-10
申请号:CN202010716759.5
申请日:2020-07-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开提供一种能够监视使用金属窗的电感耦合型的等离子体处理装置中等离子体的状态的等离子体处理装置和控制方法。基于本公开的一个方式的等离子体处理装置具备:主体容器;一个或多个高频天线,所述一个或多个高频天线用于使所述主体容器的内部的等离子体生成区域产生电感耦合等离子体;多个金属窗,所述多个金属窗配置于所述等离子体生成区域与所述高频天线之间,所述多个金属窗与所述主体容器绝缘,并且所述多个金属窗彼此绝缘;以及等离子体检测部,其与所述多个金属窗的各个金属窗连接,用于检测生成的等离子体的状态。
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公开(公告)号:CN109982500B
公开(公告)日:2021-09-28
申请号:CN201811532348.X
申请日:2018-12-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种微波等离子体处理装置,具有能够使等离子体密度增加的构造。该微波等离子体处理装置具有:微波供给部,其供给微波;微波辐射构件,其设置在处理容器的顶壁之上,辐射从所述微波供给部供给的微波;以及包括电介质的微波透过构件,其以封闭所述顶壁的开口的方式设置,并且使经由所述微波辐射构件而通过了缝隙天线的微波透过,其中,在将从所述顶壁的开口透过所述微波透过构件而在该顶壁的表面传输的微波的表面波的波长设为λsp时,在所述顶壁的比所述开口靠外侧的位置形成深度处于λsp/4±λsp/8的范围内的凹部。
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公开(公告)号:CN112735934A
公开(公告)日:2021-04-30
申请号:CN202011131045.4
申请日:2020-10-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种控制方法和等离子体处理装置。对使用了相控阵天线的局部等离子体进行控制。作为利用相控阵天线的扫描型的等离子体处理装置的控制方法,具有以下工序:从设置于处理容器的多个部位的观察窗对在所述处理容器的内部生成的等离子体的发光进行观测;基于观测到的与所述等离子体的所述发光有关的数据,来计算表示所述等离子体的特性的值在基板上的面内分布;以及基于计算出的表示所述等离子体的所述特性的值在基板上的面内分布,来对所述等离子体的扫描图案和/或等离子体密度分布进行校正。
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公开(公告)号:CN112309818A
公开(公告)日:2021-02-02
申请号:CN202010717271.4
申请日:2020-07-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开提供一种能够监视等离子体的状态的等离子体处理装置和控制方法。基于本公开的一个方式的等离子体处理装置具备:处理容器,其具有形成有开口部的顶板;具有导电性的圆环状构件,其以与所述顶板绝缘的状态设置于所述开口部;微波辐射机构,其以包括所述圆环状构件的中心的方式配置于所述顶板上,用于向所述处理容器的内部辐射微波;以及等离子体检测部,其与所述圆环状构件连接,用于检测生成的等离子体的状态。
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公开(公告)号:CN112309818B
公开(公告)日:2024-06-11
申请号:CN202010717271.4
申请日:2020-07-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开提供一种能够监视等离子体的状态的等离子体处理装置和控制方法。基于本公开的一个方式的等离子体处理装置具备:处理容器,其具有形成有开口部的顶板;具有导电性的圆环状构件,其以与所述顶板绝缘的状态设置于所述开口部;微波辐射机构,其以包括所述圆环状构件的中心的方式配置于所述顶板上,用于向所述处理容器的内部辐射微波;以及等离子体检测部,其与所述圆环状构件连接,用于检测生成的等离子体的状态。
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公开(公告)号:CN113161252B
公开(公告)日:2024-01-05
申请号:CN202110054765.3
申请日:2021-01-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/66 , H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体观测系统和等离子体观测方法,用于进行处理容器内的等离子体的观测地点的确定和观测地点的等离子体的状态的判定。所述等离子体观测系统具有:等离子体处理装置,在该等离子体处理装置的处理容器内通过等离子体对基板进行处理;以及测定装置,其测定所述等离子体,其中,所述等离子体处理装置具有多个观测窗,所述多个观测窗能够观测所述处理容器中等离子体的发光状态,所述测定装置具有:受光器,其从多个观测窗接受在所述处理容器内交叉的多个光;以及控制部,其基于接受到的多个光来进行等离子体的观测地点的确定和所述观测地点的等离子体的状态判定。
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公开(公告)号:CN113161252A
公开(公告)日:2021-07-23
申请号:CN202110054765.3
申请日:2021-01-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/66 , H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体观测系统和等离子体观测方法,用于进行处理容器内的等离子体的观测地点的确定和观测地点的等离子体的状态的判定。所述等离子体观测系统具有:等离子体处理装置,在该等离子体处理装置的处理容器内通过等离子体对基板进行处理;以及测定装置,其测定所述等离子体,其中,所述等离子体处理装置具有多个观测窗,所述多个观测窗能够观测所述处理容器中等离子体的发光状态,所述测定装置具有:受光器,其从多个观测窗接受在所述处理容器内交叉的多个光;以及控制部,其基于接受到的多个光来进行等离子体的观测地点的确定和所述观测地点的等离子体的状态判定。
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公开(公告)号:CN112309817A
公开(公告)日:2021-02-02
申请号:CN202010716759.5
申请日:2020-07-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开提供一种能够监视使用金属窗的电感耦合型的等离子体处理装置中等离子体的状态的等离子体处理装置和控制方法。基于本公开的一个方式的等离子体处理装置具备:主体容器;一个或多个高频天线,所述一个或多个高频天线用于使所述主体容器的内部的等离子体生成区域产生电感耦合等离子体;多个金属窗,所述多个金属窗配置于所述等离子体生成区域与所述高频天线之间,所述多个金属窗与所述主体容器绝缘,并且所述多个金属窗彼此绝缘;以及等离子体检测部,其与所述多个金属窗的各个金属窗连接,用于检测生成的等离子体的状态。
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