公开(公告)号：CN110349881A

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201910221470.3

申请日：2019-03-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 及川大海 ,  板桥贤 ,  高木聪 ,  渡边将久 ,  藤田圭介 ,  宫原达也 ,  林宽之

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3205 ,  C23C16/56 ,  C23C16/52 ,  C23C16/455 ,  C23C16/24

Abstract: 本发明提供一种能够在基板上形成具有良好的面内均匀性的硅膜的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置具备：处理容器，收容有搭载基板的舟皿；以及喷射器，在处理容器的附近沿着处理容器的内壁在上下方向延伸配置并且在长边方向上具有多个气孔，气孔在处理容器的附近的内壁取向。

公开(公告)号：CN306298547S

公开(公告)日：2021-01-26

申请号：CN202030347506.6

申请日：2020-07-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Designer： 及川大海 ,  高村侑矢 ,  坂下训康

Abstract: 1.本外观设计产品的名称：半导体成膜装置用供气喷嘴。
2.本外观设计产品的用途：本产品在半导体成膜装置内供给用于在晶片上成膜的气体的半导体成膜装置用供气喷嘴。
3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图。
5.各设计的仰视图与俯视图对称，因此，省略各设计的仰视图。
6.指定设计1为基本设计。