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公开(公告)号：CN1199239C
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN01122639.0
申请日：2001-05-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/16 , G03F7/26
Abstract: 本发明的涂敷和显影系统具有处理区，该处理区有用于在基片上形成涂层薄膜的涂敷单元、用于显影基片的显影单元、用于对基片进行热处理的热处理单元、用于将基片从涂敷单元、显影单元和热处理单元传送或传送到这些单元的第一传送装置，该系统还有一接口部分，在该接口部分中基片至少沿上述处理区和该系统外侧的对基片进行曝光处理的曝光单元之间的路径传送，该系统还有用于容纳上述处理区和接口部分的壳体，用于给上述接口部分供应惰性气体的供气装置，以及排出上述接口部分内的气氛的排气部分，和所述的热处理单元，和用于将基片在该热处理单元和曝光处理单元之间的路径上传送的、位于上述接口部分内的第二传送装置。根据本发明，可以防止分子水平的杂质比如氧气、碱性物质、臭氧和有机物质附着到基片上，从而适于对基片进行处理和加工。
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公开(公告)号：CN1421281A
公开(公告)日：2003-06-04
申请号：CN02154348.8
申请日：2002-11-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/6715 , B05B13/041 , B05C5/0208 , B05C11/1013
Abstract: 一种基片由可沿Y方向自由移动的基片固定部分(23)水平固定，在基片上方设有对着基片的喷嘴部分(5)，喷嘴部分(5)可沿对应于基片上涂层液体供给区域的X方向移动。排出口设在喷嘴部分(5)的下端，在排出口内设有将排出口(54)与连接到喷嘴部分上端的涂层液体输送管(61)相连的管道。在所述管道的中游设有直径大于排出口的液池部分，其内部设有由阻塞所述管道的多孔体构成的过滤件(71)。所述过滤件(71)形成压降部分，使涂层液体输送管中产生的脉动在到达排出口之前被吸收。
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公开(公告)号：CN1322969A
公开(公告)日：2001-11-21
申请号：CN01116946.X
申请日：2001-05-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/16
CPC classification number: G03F7/168
Abstract: 本发明涉及一种对基片进行涂覆和显影处理的方法,这种方法包括如下步骤:在基片上涂覆感光胶并在其上形成涂覆膜;对形成涂覆膜的基片进行加热处理;在加热处理之后冷却基片;对基片上的涂覆层进行曝光处理;在曝光处理之后对基片进行显影处理。还包括如下步骤:在所述形成涂覆层步骤之后所述基片曝光处理步骤之前,对基片施放工艺气体,在涂覆层表面形成工艺膜。因此,工艺膜使得基片免于受大气中氧,水蒸汽之类杂质的影响。
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公开(公告)号：CN101996859B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201010262548.5
申请日：2010-08-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: C23C16/24 , C23C16/4485
Abstract: 本发明提供一种药液的气化效率高、且能向基板供给高浓度的疏水化气体、还能抑制药液发生变质的疏水化处理装置、疏水化处理方法以及存储介质。疏水化处理装置包括：气化面形成部，其表面位于气化室内；气化面加热部件，其用于加热该气化面形成部；药液供给口，其用于将疏水化处理用的药液供给到上述气化面形成部的表面上；气体导入口，其用于将载气导入上述气化室内；引出口，其用于引出疏水化气体；处理容器，其用于将自上述引出口供给的疏水化气体供给到基板上。利用该结构能够将高浓度的疏水化气体供给到基板上，且由于在不进行处理时所贮存的药液不会与载气接触，因此能够抑制药液变质。
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公开(公告)号：CN102592835A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210010400.1
申请日：2012-01-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明提供一种电极制造装置，其在制造电极时能够在带状的基材的表面适当地形成活性物质层。该电极制造装置包括：放卷带状的金属箔的放卷辊；在金属箔的两面涂敷活性物质混合剂的涂敷部；使金属箔上的活性物质混合剂干燥以形成活性物质层的干燥部；和卷取金属箔的卷取辊。干燥部包括：多个杆式加热器，其在金属箔的长边方向排列配置，并照射红外线；多个反射板，其夹着杆式加热器与金属箔的表面相对地配置，使来自杆式加热器的红外线反射到金属箔侧；供气口，其形成在相邻的反射板之间，对反射板与金属箔之间的干燥区域供给空气；和排气口，其形成在另外的相邻的反射板之间，将干燥区域内的空气排出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101581885B
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN200910128637.8
申请日：2009-03-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/16 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/162 , H01L21/6715 , H01L21/68742 , H01L21/68785
Abstract: 本发明提供一种涂敷装置。该涂敷装置具备驱动部(12)，使基板保持部(11)绕铅直轴旋转，以使供给到基板(W)的表面中央部的涂敷液借助离心力扩散到基板的表面周缘部。另外，该装置具备振颤抑制机构(50)，该振颤抑制机构(50)具有分别以与基板的背面相对置的方式设置的排出口(50a)和抽吸口(50b)，通过从排出口排出气体并且向抽吸口抽吸气体，来抑制旋转过程中的基板的振颤。
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公开(公告)号：CN1908819B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200610109163.9
申请日：2006-08-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/30 , H01L21/027
Abstract: 本发明中，处理容器内排列设置有与处理容器的外部之间进行基板的传递的基板传递部和进行基板的显影的显影处理部，并设置有在基板传递部与显影处理部之间以从两侧对基板的外侧面进行夹持的状态进行基板的输送的输送机构。在基板传递部与所述显影处理部之间且基板输送路径的上方，设置有向基板供给显影液的显影液供给喷嘴、以及向基板吹喷气体的气体吹出喷嘴，显影处理部中设置有向基板供给清洗液的清洗液供给喷嘴。根据本发明，是在对基板的外侧面进行夹持的状态下进行基板的输送，因而污染不会扩散，可抑制处理容器内产生微粒。
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公开(公告)号：CN1985357A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200580023775.X
申请日：2005-07-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 株式会社奥科泰克
IPC: H01L21/027 , G03F7/38 , G03F7/039
CPC classification number: G03F7/38 , H01L21/67109 , H01L21/67748
Abstract: 一种基板加热装置用于在曝光后和显影前的时期内加热涂覆有化学增强型抗蚀剂的基板，该装置具有：安装台，用于在抗蚀剂涂覆薄膜朝上的情况下基本水平地安装基板；流体供给机构，用于向基板供给甘油；以及加热机构，用于在甘油与抗蚀剂涂覆薄膜接触的状态下加热安装台上的基板，其中，在甘油与抗蚀剂涂覆薄膜接触的状态下对安装台上的基板进行加热。
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公开(公告)号：CN1218221C
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN01116946.X
申请日：2001-05-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/16
CPC classification number: G03F7/168
Abstract: 本发明涉及一种对基片进行涂覆和显影处理的方法，这种方法包括如下步骤：在基片上涂覆感光胶并在其上形成涂覆膜；对形成涂覆膜的基片进行加热处理；在加热处理之后冷却基片；对基片上的涂覆层进行曝光处理；在曝光处理之后对基片进行显影处理。还包括如下步骤：在所述形成涂覆层步骤之后所述基片曝光处理步骤之前，对基片施放工艺气体，在涂覆层表面形成工艺膜。因此，工艺膜使得基片免于受大气中氧，水蒸汽之类杂质的影响。
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公开(公告)号：CN1199238C
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN01122126.7
申请日：2001-05-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/16 , G03F7/26
CPC classification number: H01L21/67253 , G03F7/168 , H01L21/67028 , Y10S414/135
Abstract: 本发明提供基片的涂敷和显影处理方法，即在涂敷和显影处理系统的处理区中给基片提供涂敷液并在基片上形成涂层，在处理区中对经过曝光装置的曝光处理的基片进行显影，在形成涂层后并在曝光处理之前将基片送入腔室，随后减小气密密封腔室内的压力到预定压力并持续预定时间，从腔室内的基片上去除附于基片上的杂质；预定压力和预定时间根据处理区内测得的杂质密度来调整。根据本发明，在曝光处理前去除附在基片涂层上的分子级杂质和细小颗粒，曝光在更好条件下进行而不受杂质影响。因为减压预定压力和预定时间或减压速度根据在预定位置测得的杂质密度来调节，所以，附在基片上的杂质能在根据附着杂质量的更合适的最小需求条件下被除去。
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