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公开(公告)号：CN112111219A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010570916.6
申请日：2020-06-19
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: C09D179/08 , C09D125/06 , C08J5/18 , C08J9/26 , C08L79/08
Abstract: 本发明提供：即使包含水也能形成厚度、组成均匀的涂布膜、并且组成均匀的用于形成聚酰亚胺多孔质膜的包含微粒的清漆组合物及其制造方法；使用该清漆组合物的聚酰亚胺多孔质膜的前体膜的制造方法；聚酰亚胺多孔质膜的前体膜和使用其的聚酰亚胺多孔质膜的制造方法。在形成包含聚酰胺酸(A)、有机微粒(B)和溶剂(S)的前述清漆组合物时，向清漆组合物中添加碱性化合物(C)，并且，使用包含规定量的水(S‑I)和有机溶剂(S‑II)的溶剂(S)，或者，作为溶剂(S)，将水(S‑i)及/或水溶性有机溶剂(S‑ii)、与水溶性有机溶剂(S‑ii)以外的有机溶剂(S‑iii)组合使用，并且，使水(S‑i)及水溶性有机溶剂(S‑ii)的使用量的总量在特定的范围内。
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公开(公告)号：CN110105757A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910087385.2
申请日：2019-01-29
Applicant: 东京应化工业株式会社 , JFE化学株式会社
IPC: C08L79/08 , C08L25/06 , C08L25/08 , C08K7/18 , C08K9/04 , C08K3/26 , C08J5/18 , C08J9/26 , C08G73/10
Abstract: 本发明的课题在于提供抗拉强度及弯曲强度优异的多孔质聚酰亚胺膜坯膜、其制造方法、及可合适地用于其制造的组合物。本发明的解决手段为由ASTM标准D638规定的抗拉强度为45MPa以上的多孔质聚酰亚胺膜坯膜。所述多孔质聚酰亚胺膜坯膜包含：含有下述式(1-1)表示的结构单元及下述式(1-2)表示的结构单元的聚酰亚胺。上述式中，A11及A12各自独立地表示由包含芳香族四羧酸酐的酸酐衍生的4价的芳香族基团，B11及B12各自独立地表示由芳香族二胺衍生的2价的二胺残基，选自由A12及B12组成的组中的至少1个在其结构中包含2价的间隔基团。
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公开(公告)号：CN106661265A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580044220.7
申请日：2015-08-19
Applicant: 东京应化工业株式会社
Abstract: 本发明提供能够制成难以产生海岛结构的未烧成复合膜的多孔聚酰亚胺膜制造用清漆及使用了它的多孔聚酰亚胺膜的制造方法。本发明的多孔聚酰亚胺膜制造用清漆含有包含聚酰胺酸和/或聚酰亚胺的树脂、微粒、和溶剂，上述微粒的含量相对于上述树脂与上述微粒的合计为65体积％以上，25℃时的粘度为550mPa·s以上。该多孔聚酰亚胺膜制造用清漆优选还含有分散剂。本发明的多孔聚酰亚胺膜的制造方法具有：未烧成复合膜成膜工序，使用上述多孔聚酰亚胺膜制造用清漆，形成未烧成复合膜；烧成工序，对上述未烧成复合膜进行烧成而得到聚酰亚胺‑微粒复合膜；以及微粒除去工序，从上述聚酰亚胺‑微粒复合膜中去除微粒。
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公开(公告)号：CN101133366B
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200680006791.2
申请日：2006-04-07
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/32 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/322
Abstract: 本发明提供一种可以形成良好的厚膜抗蚀图形、且起泡少的显影液组合物。该显影液组合物，其是用于在支承体上形成厚膜抗蚀图形的显影液组合物，其中，含有作为主剂的有机季铵盐基、用下述通式(I)表示的阴离子型表面活性剂、和从硅酮系消泡剂、醇系消泡剂及非离子表面活性剂系消泡剂中选择的消泡剂。(I)式中的R1是碳数为5～18的烷基或烷氧基，a是1或2；R2、R3是独立的磺酸铵基、磺酸取代铵基或下述通式(II)表示的基团，b是0或1～3的整数；c是1～3的整数。—SO3M···(II)(II)式中M是金属原子。
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公开(公告)号：CN110105757B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201910087385.2
申请日：2019-01-29
Applicant: 东京应化工业株式会社 , JFE化学株式会社
IPC: C08L79/08 , C08L25/06 , C08L25/08 , C08K7/18 , C08K9/04 , C08K3/26 , C08J5/18 , C08J9/26 , C08G73/10
Abstract: 本发明的课题在于提供抗拉强度及弯曲强度优异的多孔质聚酰亚胺膜坯膜、其制造方法、及可合适地用于其制造的组合物。本发明的解决手段为由ASTM标准D638规定的抗拉强度为45MPa以上的多孔质聚酰亚胺膜坯膜。所述多孔质聚酰亚胺膜坯膜包含：含有下述式(1‑1)表示的结构单元及下述式(1‑2)表示的结构单元的聚酰亚胺。上述式中，A11及A12各自独立地表示由包含芳香族四羧酸酐的酸酐衍生的4价的芳香族基团，B11及B12各自独立地表示由芳香族二胺衍生的2价的二胺残基，选自由A12及B12组成的组中的至少1个在其结构中包含2价的间隔基团。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106795314B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201580047300.8
申请日：2015-09-07
Applicant: 东京应化工业株式会社
Abstract: 本发明提供多孔质聚酰亚胺膜的制造方法，所述制造方法能够抑制在对未烧成复合膜进行烧成而得到的聚酰亚胺‑微粒复合膜中发生卷曲。本发明涉及的多孔质聚酰亚胺膜的制造方法以下述的顺序包括：未烧成复合膜成膜工序，使用下述清漆形成未烧成复合膜，所述清漆含有由聚酰胺酸及/或聚酰亚胺形成的树脂、微粒和溶剂；浸渍工序，将上述未烧成复合膜在含水溶剂中浸渍；烧成工序，对上述未烧成复合膜进行烧成，从而得到聚酰亚胺‑微粒复合膜；以及微粒除去工序，从上述聚酰亚胺‑微粒复合膜中除去微粒。
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公开(公告)号：CN110112354A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910088841.5
申请日：2019-01-29
Applicant: 东京应化工业株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供电池性能(例如，反复充放电中的放电容量保持率高、阻抗低、快速充电性能高)优异的二次电池、及其中使用的二次电池用多孔质隔膜。本发明的解决手段为一种二次电池，其是具备多孔质隔膜的二次电池，前述多孔质隔膜包含多孔质聚酰亚胺膜，所述多孔质聚酰亚胺膜包含：含有下述式(1-1)表示的结构单元及下述式(1-2)表示的结构单元的聚酰亚胺。上述式中，A11及A12各自独立地表示由包含芳香族四羧酸酐的酸酐衍生的4价的芳香族基团，B11及B12各自独立地表示由芳香族二胺衍生的2价的二胺残基，选自由A12及B12组成的组中的至少1个在其结构中包含2价的间隔基团。
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公开(公告)号：CN106104773A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580012573.9
申请日：2015-03-10
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: H01L21/368 , H01L51/44 , H01L51/46
CPC classification number: H01G9/2009 , H01G9/2013 , H01G9/2022 , H01G9/2031 , H01G9/2059 , Y02E10/542
Abstract: 第一，本发明提供一种能够抑制p型半导体的晶体尺寸增大且能够进行p型半导体微粒表面的化学修饰的晶体生长控制剂、使用了该晶体生长控制剂的p型半导体微粒或p型半导体微粒膜的形成方法、太阳能电池的空穴传输层形成用组合物、以及使用了该空穴传输层形成用组合物的太阳能电池。第二，本发明提供即使在使用具有除硫氰酸根离子以外的阴离子的有机盐(离子性液体)的情况下也能促进p型半导体的结晶化及微细化且能进行p型半导体微粒表面的化学修饰的空穴传输层形成用组合物、以及使用了该空穴传输层形成用组合物的太阳能电池。本发明的晶体生长控制剂包含选自通过质子或阳离子的解离而生成硫醇盐阴离子的化合物及二硫醚化合物中的至少1种含硫化合物(但硫氰酸盐除外。)，并且控制p型半导体的晶体生长。
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公开(公告)号：CN101065707B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200580040710.6
申请日：2005-11-29
Applicant: 东京应化工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0382 , G03F7/11 , H05K3/108 , H05K3/384 , H05K2201/0317
Abstract: 本发明用于制造抗蚀图案的方法是包括下列步骤的用于制造抗蚀图案的方法：层压(a)具有其上存在铜的上表面的载体，(b)由从无机物质源供应的无机物质组成的无机物质层，和(c)由化学放大型负性光致抗蚀剂组合物组成的光致抗蚀剂层以获得光致抗蚀剂层压材料的步骤；将激活光或放射线选择性辐照到所述光致抗蚀剂层压材料上的步骤；和将所述(c)光致抗蚀剂层与所述(b)无机物质层一起显影以形成抗蚀图案的步骤。
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公开(公告)号：CN101065709A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200580040726.7
申请日：2005-11-28
Applicant: 东京应化工业株式会社
CPC classification number: H05K3/108 , G03F7/0397 , G03F7/11 , H05K3/384 , H05K2201/0317
Abstract: 本发明用于制造抗蚀图案的方法包括：层压(a)具有其上存在铜的上表面的载体，(b)由从无机物质源供应的无机物质组成的无机物质层，和(c)由化学放大型正性光致抗蚀剂组合物组成的光致抗蚀剂层，获得光致抗蚀剂层压材料的步骤；将激活光或放射线选择性辐照到所述光致抗蚀剂层压材料上的步骤；和将所述(c)光致抗蚀剂层与所述(b)无机物质层一起显影以形成抗蚀图案的步骤。
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