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公开(公告)号：CN1873543B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200610080242.1
申请日：2006-05-12
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/42
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D7/06 , C11D7/261 , C11D7/263 , C11D7/34 , C11D7/5004
Abstract: 本发明公开了由(a)季铵氢氧化物(例如氢氧化四甲基铵等)、(b)从二元醇类、二元醇醚类中选出的至少1种水溶性有机溶剂(例如丙二醇、乙二醇、二甘醇一丁基醚等)、(c)非胺类水溶性有机溶剂(例如二甲基亚砜、N-甲基-2-吡咯烷酮等)组成的光致抗蚀剂用剥离液。本发明的光致抗蚀剂用剥离液对液晶面板的制造工序中使用的丙烯酸类透明膜不发生膨润·着色等不良情况，对电极材料无损害，且光致抗蚀剂剥离性优良，同时对半导体元件的组件(特别是晶片水平芯片尺寸组件(W-CSP))制造工序中使用的厚膜负型光致抗蚀剂(感光性干膜)的剥离性、抑制对铜造成损害的效果也优良。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101091138A
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200680001574.4
申请日：2006-01-23
Applicant: 东京应化工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0385 , B41J2/16 , B41J2/1631 , G03F7/038
Abstract: 提供一种感光性层合膜及应用该感光性层合膜形成精密微细空间的方法，该感光性层合膜用于形成精密微细空间的顶板部。该感光性层合膜适合用于有效和廉价地形成各种精密微细空间，尤其是形成于电子部件如喷墨头中的精密微细空间。作为用于形成精密微细空间的顶板部的感光性层合膜采用层合膜，该层合膜提供至少一个感光性组合物层和透明支持层，该感光性层合膜通过被设置在精密微小的凹部上以覆盖上部开口后被固化来构成精密微细空间的顶板部。该透明支持膜支撑该感光性组合物层和防止该感光性组合物层在固化时变形。
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公开(公告)号：CN106104773B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201580012573.9
申请日：2015-03-10
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: H01L21/368 , H01L51/44 , H01L51/46
CPC classification number: H01G9/2009 , H01G9/2013 , H01G9/2022 , H01G9/2031 , H01G9/2059 , Y02E10/542
Abstract: 第一，本发明提供一种能够抑制p型半导体的晶体尺寸增大且能够进行p型半导体微粒表面的化学修饰的晶体生长控制剂、使用了该晶体生长控制剂的p型半导体微粒或p型半导体微粒膜的形成方法、太阳能电池的空穴传输层形成用组合物、以及使用了该空穴传输层形成用组合物的太阳能电池。第二，本发明提供即使在使用具有除硫氰酸根离子以外的阴离子的有机盐(离子性液体)的情况下也能促进p型半导体的结晶化及微细化且能进行p型半导体微粒表面的化学修饰的空穴传输层形成用组合物、以及使用了该空穴传输层形成用组合物的太阳能电池。本发明的晶体生长控制剂包含选自通过质子或阳离子的解离而生成硫醇盐阴离子的化合物及二硫醚化合物中的至少1种含硫化合物(但硫氰酸盐除外。)，并且控制p型半导体的晶体生长。
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公开(公告)号：CN101091138B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200680001574.4
申请日：2006-01-23
Applicant: 东京应化工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0385 , B41J2/16 , B41J2/1631 , G03F7/038
Abstract: 提供一种感光性层合膜及应用该感光性层合膜形成精密微细空间的方法，该感光性层合膜用于形成精密微细空间的顶板部。该感光性层合膜适合用于有效和廉价地形成各种精密微细空间，尤其是形成于电子部件如喷墨头中的精密微细空间。作为用于形成精密微细空间的顶板部的感光性层合膜采用层合膜，该层合膜提供至少一个感光性组合物层和透明支持层，该感光性层合膜通过被设置在精密微小的凹部上以覆盖上部开口后被固化来构成精密微细空间的顶板部。该透明支持膜支撑该感光性组合物层和防止该感光性组合物层在固化时变形。
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公开(公告)号：CN106104773A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580012573.9
申请日：2015-03-10
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: H01L21/368 , H01L51/44 , H01L51/46
CPC classification number: H01G9/2009 , H01G9/2013 , H01G9/2022 , H01G9/2031 , H01G9/2059 , Y02E10/542
Abstract: 第一，本发明提供一种能够抑制p型半导体的晶体尺寸增大且能够进行p型半导体微粒表面的化学修饰的晶体生长控制剂、使用了该晶体生长控制剂的p型半导体微粒或p型半导体微粒膜的形成方法、太阳能电池的空穴传输层形成用组合物、以及使用了该空穴传输层形成用组合物的太阳能电池。第二，本发明提供即使在使用具有除硫氰酸根离子以外的阴离子的有机盐(离子性液体)的情况下也能促进p型半导体的结晶化及微细化且能进行p型半导体微粒表面的化学修饰的空穴传输层形成用组合物、以及使用了该空穴传输层形成用组合物的太阳能电池。本发明的晶体生长控制剂包含选自通过质子或阳离子的解离而生成硫醇盐阴离子的化合物及二硫醚化合物中的至少1种含硫化合物(但硫氰酸盐除外。)，并且控制p型半导体的晶体生长。
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公开(公告)号：CN1873543A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610080242.1
申请日：2006-05-12
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/42
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D7/06 , C11D7/261 , C11D7/263 , C11D7/34 , C11D7/5004
Abstract: 本发明公开了由(a)季铵氢氧化物(例如氢氧化四甲基铵等)、(b)从二元醇类、二元醇醚类中选出的至少1种水溶性有机溶剂(例如丙二醇、乙二醇、二甘醇一丁基醚等)、(c)非胺类水溶性有机溶剂(例如二甲基亚砜、N－甲基－2－吡咯烷酮等)组成的光致抗蚀剂用剥离液。本发明的光致抗蚀剂用剥离液对液晶面板的制造工序中使用的丙烯酸类透明膜不发生膨润·着色等不良情况，对电极材料无损害，且光致抗蚀剂剥离性优良，同时对半导体元件的组件(特别是晶片水平芯片尺寸组件(W－CSP))制造工序中使用的厚膜负型光致抗蚀剂(感光性干膜)的剥离性、抑制对铜造成损害的效果也优良。
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