公开(公告)号：CN116583784A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202180083315.5

申请日：2021-12-21

Applicant: 东京应化工业株式会社

Inventor： 平野智之 ,  米村幸治 ,  中川裕介

IPC: G03F7/004

Abstract: 一种抗蚀剂组合物，其含有：具有包含酚性羟基的结构单元(a10)的高分子化合物(A1)、产酸剂(B)、从由三聚氰胺类交联剂、尿素类交联剂、亚烷基尿素类交联剂、甘脲类交联剂及环氧类交联剂构成的组中选择的至少1种交联剂(C)、聚醚化合物(Z)，所述聚醚化合物(Z)的含量相对于100质量份所述高分子化合物(A1)小于50质量份。

公开(公告)号：CN101313385B

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN200680043555.8

申请日：2006-11-22

Applicant: 东京应化工业株式会社

Inventor： 越山淳 ,  泽田佳宏 ,  横谷次朗 ,  平野智之

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  C11D1/66 ,  H01L21/304 ,  C11D3/43

CPC classification number: C11D3/43 ,  C11D1/66 ,  C11D1/667 ,  C11D1/72 ,  C11D3/18 ,  C11D3/181 ,  C11D3/182 ,  C11D3/184 ,  C11D3/188 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70925 ,  G03F7/70983

Abstract: 本发明提供一种在浸液曝光过程中能够高效地洗涤除去因为从光致抗蚀剂溶出的成分而导致的曝光装置部位(特别是光学透镜部)的污染物、且废液处理简便、与浸液介质的置换效率高、不阻碍半导体制造生产率的光刻法用洗涤液及使用该洗涤液的曝光装置的洗涤方法。本发明涉及光刻法用洗涤液及使用该洗涤液的曝光装置的洗涤方法，其中，所述光刻法用洗涤液在用浸液介质充满于曝光装置的光学透镜部和置于晶片载物台上的曝光对象物之间进行曝光的浸液曝光过程中，用于上述曝光装置的洗涤，所述光刻法用洗涤液含有(a)表面活性剂、(b)烃溶剂及(c)水。

公开(公告)号：CN118451370A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202280085974.7

申请日：2022-12-22

Applicant: 东京应化工业株式会社

Inventor： 平野智之 ,  砂道智成 ,  桥本阳奈 ,  中川裕介

IPC: G03F7/038 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 一种抗蚀剂组合物，具有碱可溶性树脂、化合物(B0)、以及交联剂，碱可溶性树脂具有以通式(a10‑1)表示的结构单元及以通式(a20‑1)表示的结构单元，LogP为2.8以下，化合物(B0)的波长248nm的摩尔吸光系数为10000mol‑1·L·cm‑1以下，该抗蚀剂组合物的固体成分浓度为15质量％以上。式中，Rx1及Rx2为氢原子等。Yax1及Yax2为单键或2价连接基团。Wax1为可具有取代基的芳香族烃基。nax1为1以上的整数。Rax2为烃基。#imgabs0#