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公开(公告)号：CN107303653B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201710252809.7
申请日：2017-04-18
Applicant: 不二越机械工业株式会社
IPC: B24C5/04
Abstract: 本发明提供一种喷嘴和工件研磨装置，能够减少液体中所含的活性化气体的灭活量，并且能够减少活性化气体生成时的电力损失。喷嘴(1)具备：液体流路(12)，其使液体流通；气体流路(14)，其使气体流通，并且与液体流路连通而使该气体送出到该液体流路内；和等离子体产生机构(20)，其在从气体流路送出到液体流路内的所述气体的内部产生等离子体，等离子体产生机构具有：第一电极(22)，其露出地配设在液体流路内；第二电极(24)，其不露出于液体流路内，并且露出地配设在气体流路内；和电源(26)，其向第一电极与第二电极之间施加规定电压，在使产生了等离子体的所述气体以规定直径的气泡混入到液体中的状态下使该液体排出。
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公开(公告)号：CN108340281A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810058829.5
申请日：2018-01-22
Applicant: 不二越机械工业株式会社 , 学校法人金泽工业大学
IPC: B24B53/017 , B24B49/12 , H01L21/304
CPC classification number: B24B53/017 , B24B37/107 , B24B49/12 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供工件研磨方法和工件研磨装置，其能够自动制定研磨条件。工件研磨装置具有：修整部，其修整研磨垫的表面；表面性状计测部，其计测研磨垫的表面性状；研磨结果计测部，其计测工件的研磨结果；存储部，其存储通过人工智能来学习如下的相关关系所得到的相关数据，该相关关系为修整条件数据、通过表面性状计测部计测出的研磨垫的表面性状数据、以及对工件进行研磨的情况下的研磨结果数据的相关关系；以及输入部，其输入作为目标的研磨结果，所述人工智能进行如下处理：第1运算处理，根据所述相关数据逆向推断出与作为目标的研磨结果对应的研磨垫的表面性状；和第2运算处理，根据逆向推断出的研磨垫的表面性状导出对应的修整条件。
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公开(公告)号：CN103854991B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201310634807.6
申请日：2013-12-02
Applicant: 不二越机械工业株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/02005 , H01L21/02008
Abstract: 提供一种制造半导体晶圆的方法，该方法有利于定向平面线的形成，并允许没有问题地进行倒角作业。根据本发明的制造半导体晶圆的方法是一种从大直径半导体晶圆中切出多个小直径晶圆的制造半导体晶圆的方法，该方法包括：标记步骤，以使得直槽状定向平面线穿过大直径半导体晶圆的每一行中的各个小直径晶圆的方式通过激光束集体地为每一行形成直槽状定向平面线，其中，小直径晶圆的切出位置在特定方向上成行地对齐；和切割步骤，在标记步骤之后通过激光束从大直径半导体晶圆中个别地切出小直径晶圆。
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公开(公告)号：CN103854991A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310634807.6
申请日：2013-12-02
Applicant: 不二越机械工业株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L21/304 , B28D5/00 , C30B33/00 , B23K26/40
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/02005 , H01L21/02008
Abstract: 提供一种制造半导体晶圆的方法，该方法有利于定向平面线的形成，并允许没有问题地进行倒角作业。根据本发明的制造半导体晶圆的方法是一种从大直径半导体晶圆中切出多个小直径晶圆的制造半导体晶圆的方法，该方法包括：标记步骤，以使得直槽状定向平面线穿过大直径半导体晶圆的每一行中的各个小直径晶圆的方式通过激光束集体地为每一行形成直槽状定向平面线，其中，小直径晶圆的切出位置在特定方向上成行地对齐；和切割步骤，在标记步骤之后通过激光束从大直径半导体晶圆中个别地切出小直径晶圆。
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公开(公告)号：CN1966210A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610162463.3
申请日：2006-11-14
Applicant: 不二越机械工业株式会社
CPC classification number: C09G1/02 , B24B37/044 , B24B57/02 , Y02E60/366
Abstract: 一种工件抛光的方法能够降低抛光成本，以高抛光精度抛光工件表面，并且容易地处置使用过的抛光液体和使用过的清洗液体。该方法包括以下步骤：将工件压在抛光件上；输送抛光液体；和对于抛光件相对地移动工件。通过电气分解电解溶液而产生的电解还原水用来作为抛光液体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103846781A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310641959.9
申请日：2013-12-03
Applicant: 不二越机械工业株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: B24B37/10
CPC classification number: B24B7/228 , B24B37/105 , B24B37/16 , B24B37/26 , B24B37/30 , B24B37/345 , B24B53/017 , H01L21/02041
Abstract: 晶圆研磨设备包括研磨板、能够保持晶圆的研磨头和研磨液供给部。该研磨板包括：多个同心的研磨区，各研磨区均具有用于研磨晶圆的规定宽度并且在各研磨区上均贴附研磨布；以及用于排出研磨液的槽，该槽形成在研磨区之间。用于清洁研磨头的头清洁部或用于清洁研磨后的晶圆的晶圆清洁部设置到研磨板的中心部分并且位于最内侧研磨区的内侧。
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公开(公告)号：CN1966210B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200610162463.3
申请日：2006-11-14
Applicant: 不二越机械工业株式会社
CPC classification number: C09G1/02 , B24B37/044 , B24B57/02 , Y02E60/366
Abstract: 一种工件抛光的方法能够降低抛光成本，以高抛光精度抛光工件表面，并且容易地处置使用过的抛光液体和使用过的清洗液体。该方法包括以下步骤：将工件压在抛光件上；输送抛光液体；和对于抛光件相对地移动工件。通过电气分解电解溶液而产生的电解还原水用来作为抛光液体。
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公开(公告)号：CN100591481C
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200510083725.2
申请日：2005-03-31
Applicant: 不二越机械工业株式会社
IPC: B24B39/06 , H01L21/304
Abstract: 一种晶片抛光方法，能够轻松清除附着于抛光设备的一块板上的支撑元件中包含的过量的水。在该方法中，通过如下步骤从支撑元件中除去过量的水：将吸水元件压到支撑元件的保持表面上，其中工件被粘附和保持在该表面上，以便从支撑元件中吸出过量的水；并抽出被吸水元件吸收的过量的水。此外，本发明还公开了一种相应的晶片抛光装置。
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公开(公告)号：CN1951634A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200610137406.X
申请日：2006-10-16
Applicant: 不二越机械工业株式会社
Abstract: 粘结抛光垫的方法能在一舒适的姿势中容易地更换抛光垫。该方法包括以下步骤：将一粘结垫的载体设定在一保持器内，其具有一通孔，一用来压迫抛光垫的滚轮单元固定在其中，使一滚轮单元沿一下抛光板和一上抛光板的径向方向布置；相对地移动上抛光板朝向下抛光板，以用一规定的力将滚轮单元夹紧在下抛光板和上抛光板之间；以相同的速度但以相对的方向转动夹紧滚轮单元的下抛光板和上抛光板；以及用滚轮单元将抛光垫压迫到下抛光板和上抛光板的抛光面上。
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公开(公告)号：CN1739916A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200510092424.6
申请日：2005-08-12
Applicant: 不二越机械工业株式会社
IPC: B24B37/04 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/08 , B24B41/007
Abstract: 上抛光板向下移动一直到面向下抛光板为止以便抛光工件。上抛光板连同第一弹性件、第二弹性件、外部件和连接件一起在一水平面中旋转。推压外部件或内部件向上的第一压力和推压外部件或内部件向下的第二压力之间的、通过供应加压流体进入和排出第一封闭空间中而在第一封闭空间中产生的压力差被调节，以便调节所述上抛光板的第三压力，该第三压力作用在工件上并同时抛光工件。
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