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公开(公告)号：CN116031123A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211737979.1
申请日：2022-12-31
申请人： 北京凯世通半导体有限公司 , 上海临港凯世通半导体有限公司
IPC分类号： H01J37/16 , H01J37/317 , H01J37/08
摘要： 本发明提供一种对离子注入机源腔内部进行防护的装置，其适用于离子注入机源腔，其在离子源腔内部增加内衬，阻隔离子源对腔室的热辐射，进而降低离子源腔壁温度，同时增加内衬有效的阻止了离子源对腔室的轰击损害。所述的对离子注入机源腔内部进行防护的装置中，内衬采用铝材。内衬采用分解板的形式设置在离子源腔内壁上。使用本发明的防护装置，只用在设备定期保养时对内衬进行更换即可得到洁净的腔室环境，减少PM难度，节省PM时间。
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公开(公告)号：CN115871003A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211734724.X
申请日：2022-12-31
申请人： 北京凯世通半导体有限公司 , 上海临港凯世通半导体有限公司
IPC分类号： B25J13/00 , B25J9/16 , H01L21/687 , H01L21/68 , H01L21/683
摘要： 本发明提供一种适合半导体设备内部机械手臂位置示教的治具，其为适合半导体设备内部机械手臂位置示教的治具，经过适配晶圆的有效改善，以此保证机械手臂示教位置的精度，满足半导体设备运行需求。所述的适合半导体设备内部机械手臂位置示教的治具包括透明材质治具和晶圆定位治具，晶圆定位治具用于定位晶圆，透明材质治具用于夹持晶圆。本发明可以大幅提高操作人员在示教不同位置时的示教精度，还可以很大程度上节省示教时间。
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公开(公告)号：CN116013752A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211738627.8
申请日：2022-12-31
申请人： 北京凯世通半导体有限公司 , 上海凯世通半导体股份有限公司
摘要： 本发明提供一种分体成型的等离子源腔体结构，其包括四个分体结构，四个分体结构为分子泵真空腔、离子源主腔体、分子泵法兰和内挡板，四个分体结构相互配合组合成一体化的等离子源腔体结构。分子泵真空腔用于连接离子源主腔体和分子泵法兰，分子泵真空腔用于安装分子泵，为离子源主腔体提供真空的环境。进一步地，分子泵真空腔内表面为圆柱形设计的腔体结构。本发明通过将结构复杂的离子源腔体分割为结构简单的四个分体，使得制造工艺的难度大幅降低。
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公开(公告)号：CN116504698A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202210058549.0
申请日：2022-01-19
申请人： 上海凯世通半导体股份有限公司 , 北京凯世通半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/68 , H01L23/544
摘要： 一种半导体晶圆对准装置、对准方法以及对准系统，半导体晶圆对准装置包括腔室，腔室中设置有对准标记，对准方法包括：在腔室中放置晶圆，对准标记设置在晶圆边缘以外；从晶圆和对准标记的背面发射照明光，从而第一待测图像中的晶圆图像的中心和边缘的明亮对比度较高，晶圆的图像的边缘和对准标记的清晰度较高；从而第一待测图像中的晶圆的图像和对准标记的图像的形成质量好，易于精准获取晶圆中心位置与基准坐标系的基准点的第一位置偏差；晶圆的边缘设置有缺口，第一待测图像中具有清晰的缺口图像，依据清晰的缺口图像，精准的获得缺口的位置与晶圆中心位置的连线，获取缺口的位置和晶圆中心位置的连线与基准方向的夹角，提高了晶圆的检测精度。
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公开(公告)号：CN116504666A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202210058893.X
申请日：2022-01-19
申请人： 上海凯世通半导体股份有限公司 , 北京凯世通半导体有限公司
摘要： 一种半导体晶圆位置检测装置、检测方法以及检测系统，半导体晶圆位置检测装置包括腔室，腔室中设置有对准标记，检测方法包括：在腔室中放置晶圆，对准标记设置在晶圆边缘以外，照明光从正面照射在晶圆边缘和对准标记上，晶圆中心区域是暗的，边缘区域是亮的，从而晶圆的图像的边缘和对准标记的清晰度较高，从而第一待测图像中的晶圆的图像和对准标记的图像的形成质量好，易于精准获取晶圆中心位置与基准坐标系的基准点的第一位置偏差；晶圆的边缘设置有缺口，第一待测图像中具有清晰的缺口图像，依据清晰的缺口图像，精准的获得缺口的位置与晶圆中心位置的连线，获取缺口的位置和晶圆中心位置的连线与基准方向的夹角，提高了晶圆的检测精度。
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公开(公告)号：CN116053102A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211736624.0
申请日：2022-12-31
申请人： 北京凯世通半导体有限公司 , 上海凯世通半导体股份有限公司
IPC分类号： H01J37/02 , H01J37/317 , H01L21/265
摘要： 本发明提供一种用于等离子枪的气路结构，所述用于等离子枪的气路结构适用于离子喷枪，于等离子枪的气路结构包括缓冲储气罐，缓冲储气罐的管径为直径2英寸；气路的所有管线固定在氙气主回路固定面盘上；连结气瓶和主路气管的管路形状为猪尾巴型。本发明用于等离子枪的气路结构在气盘的供气管路气体质量流量控制器进气口添加储气装置，有效的解决了钢瓶供气不稳定的问题，等离子枪发射电流稳定，电子中和彻底，大大提升器件良率。
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公开(公告)号：CN116031124A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211738220.5
申请日：2022-12-31
申请人： 北京凯世通半导体有限公司 , 上海凯世通半导体股份有限公司
IPC分类号： H01J37/16 , H01J37/08 , H01J37/317
摘要： 本发明提供一种用于离子注入机的离子源的起弧腔室结构及其工作方法，其适用于离子注入机的离子源，所述离子注入机的离子源包括灯丝组件、阴极组件、半圆筒型起弧腔室组件、工艺气体通入组件、反射极组件；半圆筒型起弧腔室组件采用半圆筒型腔室设计，反射极组件采用悬空的反射极设计。本发明的用于离子注入机的离子源的起弧腔室结构为半圆筒型起弧腔室，简化了离子源的组装和保养流程；本发明采用优化的灯丝和阴极组件，有效地延长了离子源的使用寿命，大大提高了离子注入机的产能。发明通过全新的研发设计，降低了离子源的能耗，提高了离子萃取的效率和束流的强度，进而提高了工艺产品的良率。
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公开(公告)号：CN116013751A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211736063.4
申请日：2022-12-31
申请人： 北京凯世通半导体有限公司 , 上海凯世通半导体股份有限公司
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/317 , H01L21/67
摘要： 本发明提供一种离子喷枪的绝缘结构，所述离子喷枪的绝缘结构适用于离子喷枪，离子喷枪有两个独立相同的弧腔，分别是上弧腔和下弧腔；两个矩形喷口结构的相对上下排列，两个矩形喷口结构覆盖在上弧腔和下弧腔上；上弧腔和下弧腔独立产生等离子体，吸附在束流周围，中和晶圆表面的电荷；两个矩形喷口结构的每个的两个小孔上下排列，安装在离子喷枪弧腔上，两个小孔之间距离16mm。本发明离子喷枪的绝缘结构，设计成本低，维护成本低，增加绝缘子对其起到了支撑作用，能够解决其变形程度导致短路，使用寿命大大提高，节约维护成本。
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公开(公告)号：CN116005265A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211737521.6
申请日：2022-12-31
申请人： 北京凯世通半导体有限公司 , 上海凯世通半导体股份有限公司
IPC分类号： C30B31/22
摘要： 本发明提供一种离子喷枪起弧腔石墨双孔喷口结构，所述离子喷枪起弧腔石墨双孔喷口结构适用于离子喷枪，离子喷枪有两个独立相同的弧腔，分别是上弧腔和下弧腔；两个矩形喷口结构的相对上下排列，两个矩形喷口结构覆盖在上弧腔和下弧腔上；上弧腔和下弧腔独立产生等离子体，吸附在束流周围，中和晶圆表面的电荷；两个矩形喷口结构的每个的两个小孔上下排列，安装在离子喷枪弧腔上，两个小孔之间距离16mm。本发明离子喷枪弧腔石墨双孔喷口结构设计成本低，维护成本低，能够使等离子体更容易的从弧腔发射出来，提高束流的均匀性，提高了晶片的质量，增强了离子喷枪消除晶片表面电荷能力，减少晶片表面电荷积累，提高晶片的良率。
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公开(公告)号：CN211529927U
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202020286883.8
申请日：2020-03-10
申请人： 上海临港凯世通半导体有限公司 , 上海凯世通半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L21/677
摘要： 本实用新型公开了一种硅片输运装置，包括两个预抽真空装置和真空输运装置，真空输运装置用于在真空状态下在预抽真空装置和工艺处理装置之间传输硅片，真空输运装置包括：真空输运腔室、两个搬运机器人和中转台。两个搬运机器人中均有两个可独立动作的机械手，通过两个机械手的有序配合，使用一个机器人可对同一工位执行硅片交换。当一个搬运机器人在预抽真空装置和过渡中转台之间传输硅片时，另一个搬运机器人在中转台和工艺处理装置之间传输硅片。由于使用了具有两个可以独立动作的机械手的机器人对同一个工位进行硅片交换的技术，结合以具有多自由度的两个机械手，使得硅片传输可以高速进行，提高整体的产能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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